86-755-83210135
sales@pneda.com
Ben@pneda.com
WeChat WeChat
2881496244
Отправить сообщение
На складе есть миллионы электронных компонентов. Цены и сроки выполнения заказа в течение 24 часов.

TPC8067-H,LQ(S

TPC8067-H,LQ(S

Только для справки

Номер детали TPC8067-H,LQ(S
Номер детали PNEDA TPC8067-H-LQ-S
Производитель Toshiba Semiconductor and Storage
Описание MOSFET N-CH 30V 9A 8SOP
Цена за единицу
  • 1$ 0,0000
  • 100$ 0,0000
  • 500$ 0,0000
  • 1000$ 0,0000
  • 2500$ 0,0000
В наличии 5 004
Склады USA, Europe, China, Hong Kong SAR
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Доставка DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery
Ориентировочная доставка мая 30 - июн 4 (Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [PNEDA-Гарантия] *

TPC8067-H Ресурсы

TPC8067-H Технические характеристики

ПроизводительToshiba Semiconductor and Storage
СерияU-MOSVII-H
Тип полевого транзистораN-Channel
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
напряжение стока в источник (Vdss)30V
ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C9A (Ta)
напряжение привода (макс. значения включены, минимальные значения включены)4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ Id, Vgs25mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs (th) (Макс) @ Id2.3V @ 100µA
Заряд затвора (Qg) (Макс) @ Vgs9.5nC @ 10V
Vgs (макс.)±20V
входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds690pF @ 10V
Функция FET-
Рассеиваемая мощность (макс.)1W (Ta)
рабочая температура150°C (TJ)
Тип монтажаSurface Mount
Пакет устройства поставщика8-SOP
Упаковка / Коробка8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

В PNEDA мы стремимся быть лидером отрасли, быстро и надежно поставляя высококачественные электронные компоненты нашим клиентам.

Наш подход основан на предоставлении нашим клиентам трех ключевых преимуществ:

  • Быстрое реагирование

    Наша команда быстро отвечает на ваши запросы и немедленно приступает к работе, чтобы найти ваши детали.

  • Гарантированное качество

    Наши процессы контроля качества защищают от подделки, обеспечивая надежность и производительность.

  • Глобальный доступ

    Наша всемирная сеть надежных ресурсов позволяет нам найти и доставить именно те детали, которые вам нужны.

Продукты, которые могут вас заинтересовать

FQP6N50C

ON Semiconductor

Производитель

ON Semiconductor

Серия

QFET®

Тип полевого транзистора

N-Channel

Технология

MOSFET (Metal Oxide)

напряжение стока в источник (Vdss)

500V

ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C

5.5A (Tc)

напряжение привода (макс. значения включены, минимальные значения включены)

10V

Rds On (макс.) @ Id, Vgs

1.2Ohm @ 2.8A, 10V

Vgs (th) (Макс) @ Id

4V @ 250µA

Заряд затвора (Qg) (Макс) @ Vgs

25nC @ 10V

Vgs (макс.)

±30V

входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds

700pF @ 25V

Функция FET

-

Рассеиваемая мощность (макс.)

98W (Tc)

рабочая температура

-55°C ~ 150°C (TJ)

Тип монтажа

Through Hole

Пакет устройства поставщика

TO-220-3

Упаковка / Коробка

TO-220-3

Производитель

IXYS

Серия

PolarHT™

Тип полевого транзистора

N-Channel

Технология

MOSFET (Metal Oxide)

напряжение стока в источник (Vdss)

150V

ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C

120A (Tc)

напряжение привода (макс. значения включены, минимальные значения включены)

-

Rds On (макс.) @ Id, Vgs

16mOhm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (Макс) @ Id

-

Заряд затвора (Qg) (Макс) @ Vgs

150nC @ 10V

Vgs (макс.)

-

входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds

4900pF @ 25V

Функция FET

-

Рассеиваемая мощность (макс.)

-

рабочая температура

-

Тип монтажа

Through Hole

Пакет устройства поставщика

TO-3P

Упаковка / Коробка

TO-3P-3, SC-65-3

SI5445BDC-T1-E3

Vishay Siliconix

Производитель

Vishay Siliconix

Серия

TrenchFET®

Тип полевого транзистора

P-Channel

Технология

MOSFET (Metal Oxide)

напряжение стока в источник (Vdss)

8V

ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C

5.2A (Ta)

напряжение привода (макс. значения включены, минимальные значения включены)

1.8V, 4.5V

Rds On (макс.) @ Id, Vgs

33mOhm @ 5.2A, 4.5V

Vgs (th) (Макс) @ Id

1V @ 250µA

Заряд затвора (Qg) (Макс) @ Vgs

21nC @ 4.5V

Vgs (макс.)

±8V

входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds

-

Функция FET

-

Рассеиваемая мощность (макс.)

1.3W (Ta)

рабочая температура

-55°C ~ 150°C (TJ)

Тип монтажа

Surface Mount

Пакет устройства поставщика

1206-8 ChipFET™

Упаковка / Коробка

8-SMD, Flat Lead

IRLU2703PBF

Infineon Technologies

Производитель

Infineon Technologies

Серия

HEXFET®

Тип полевого транзистора

N-Channel

Технология

MOSFET (Metal Oxide)

напряжение стока в источник (Vdss)

30V

ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C

23A (Tc)

напряжение привода (макс. значения включены, минимальные значения включены)

4.5V, 10V

Rds On (макс.) @ Id, Vgs

45mOhm @ 14A, 10V

Vgs (th) (Макс) @ Id

1V @ 250µA

Заряд затвора (Qg) (Макс) @ Vgs

15nC @ 4.5V

Vgs (макс.)

±16V

входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds

450pF @ 25V

Функция FET

-

Рассеиваемая мощность (макс.)

45W (Tc)

рабочая температура

-55°C ~ 175°C (TJ)

Тип монтажа

Through Hole

Пакет устройства поставщика

IPAK (TO-251)

Упаковка / Коробка

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Производитель

NXP USA Inc.

Серия

TrenchMOS™

Тип полевого транзистора

N-Channel

Технология

MOSFET (Metal Oxide)

напряжение стока в источник (Vdss)

30V

ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C

68A (Tc)

напряжение привода (макс. значения включены, минимальные значения включены)

4.5V, 10V

Rds On (макс.) @ Id, Vgs

7.9mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Макс) @ Id

2V @ 1mA

Заряд затвора (Qg) (Макс) @ Vgs

12nC @ 5V

Vgs (макс.)

±20V

входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds

1362pF @ 10V

Функция FET

-

Рассеиваемая мощность (макс.)

62.5W (Tc)

рабочая температура

-55°C ~ 150°C (TJ)

Тип монтажа

Surface Mount

Пакет устройства поставщика

LFPAK56, Power-SO8

Упаковка / Коробка

SC-100, SOT-669

Certificates

Быстрый запрос

Добавить в корзину

Свяжитесь с нами

Нужна помощь?

Не стесняйтесь обращаться к нам, если у вас есть вопросы по TPC8067-H.

Недавно продано

MC33174DR2G

MC33174DR2G

ON Semiconductor

IC OPAMP GP 4 CIRCUIT 14SOIC

IR2110STRPBF

IR2110STRPBF

Infineon Technologies

IC DRIVER HIGH/LOW SIDE 16SOIC

LV8548MC-AH

LV8548MC-AH

ON Semiconductor

IC MOTOR DRIVER PAR MFP10S

ADP3330ARTZ-5-RL7

ADP3330ARTZ-5-RL7

Analog Devices

IC REG LINEAR 5V 200MA SOT23-6

LTC4365IDDB#TRMPBF

LTC4365IDDB#TRMPBF

Linear Technology/Analog Devices

IC OVERVOLTAGE PROTECT 8-DFN

MC33074DR2G

MC33074DR2G

ON Semiconductor

IC OPAMP GP 4 CIRCUIT 14SOIC

STGW45HF60WDI

STGW45HF60WDI

STMicroelectronics

IGBT 600V 70A 250W TO247

LTC6813ILWE-1#3ZZPBF

LTC6813ILWE-1#3ZZPBF

Linear Technology/Analog Devices

18 CHANNEL MULTICELL BATTERY STA

NFE31PT220R1E9L

NFE31PT220R1E9L

Murata

FILTER LC(T) 22PF SMD

BTB06-600SWRG

BTB06-600SWRG

STMicroelectronics

TRIAC SENS GATE 600V 6A TO220AB

1.5KE200CA

1.5KE200CA

STMicroelectronics

TVS DIODE 171V 353V DO201

LPS0800H1000JB

LPS0800H1000JB

Vishay Sfernice

RES CHAS MNT 100 OHM 5% 800W