+86-0775-83210135 x8221
sales@pneda.com
live:sa02_23
WeChat WeChat
3008774181
Отправить сообщение
На складе есть миллионы электронных компонентов. Цены и сроки выполнения заказа в течение 24 часов.

TPC8067-H,LQ(S

TPC8067-H,LQ(S

Только для справки

Номер детали TPC8067-H,LQ(S
Номер детали PNEDA TPC8067-H-LQ-S
Производитель Toshiba Semiconductor and Storage
Описание MOSFET N-CH 30V 9A 8SOP
Цена за единицу
  • 1$ 0,0000
  • 100$ 0,0000
  • 500$ 0,0000
  • 1000$ 0,0000
  • 2500$ 0,0000
В наличии 278
Склады USA, Europe, China, Hong Kong SAR
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Доставка DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery
Ориентировочная доставка мая 12 - мая 17 (Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [PNEDA-Гарантия] *

TPC8067-H Ресурсы

TPC8067-H Технические характеристики

ПроизводительToshiba Semiconductor and Storage
СерияU-MOSVII-H
Тип полевого транзистораN-Channel
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
напряжение стока в источник (Vdss)30V
ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C9A (Ta)
напряжение привода (макс. значения включены, минимальные значения включены)4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ Id, Vgs25mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs (th) (Макс) @ Id2.3V @ 100µA
Заряд затвора (Qg) (Макс) @ Vgs9.5nC @ 10V
Vgs (макс.)±20V
входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds690pF @ 10V
Функция FET-
Рассеиваемая мощность (макс.)1W (Ta)
рабочая температура150°C (TJ)
Тип монтажаSurface Mount
Пакет устройства поставщика8-SOP
Упаковка / Коробка8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

В PNEDA мы стремимся быть лидером отрасли, быстро и надежно поставляя высококачественные электронные компоненты нашим клиентам.

Наш подход основан на предоставлении нашим клиентам трех ключевых преимуществ:

  • Быстрое реагирование

    Наша команда быстро отвечает на ваши запросы и немедленно приступает к работе, чтобы найти ваши детали.

  • Гарантированное качество

    Наши процессы контроля качества защищают от подделки, обеспечивая надежность и производительность.

  • Глобальный доступ

    Наша всемирная сеть надежных ресурсов позволяет нам найти и доставить именно те детали, которые вам нужны.

Продукты, которые могут вас заинтересовать

STD170N4F7AG

STMicroelectronics

Производитель

STMicroelectronics

Серия

Automotive, AEC-Q101, STripFET™

Тип полевого транзистора

N-Channel

Технология

MOSFET (Metal Oxide)

напряжение стока в источник (Vdss)

40V

ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C

80A (Tc)

напряжение привода (макс. значения включены, минимальные значения включены)

10V

Rds On (макс.) @ Id, Vgs

2.8mOhm @ 40A, 10V

Vgs (th) (Макс) @ Id

4V @ 250µA

Заряд затвора (Qg) (Макс) @ Vgs

63nC @ 10V

Vgs (макс.)

±20V

входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds

4350pF @ 25V

Функция FET

-

Рассеиваемая мощность (макс.)

172W (Tc)

рабочая температура

-55°C ~ 175°C (TJ)

Тип монтажа

Surface Mount

Пакет устройства поставщика

DPAK

Упаковка / Коробка

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Производитель

NXP USA Inc.

Серия

TrenchMOS™

Тип полевого транзистора

N-Channel

Технология

MOSFET (Metal Oxide)

напряжение стока в источник (Vdss)

30V

ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C

68A (Tc)

напряжение привода (макс. значения включены, минимальные значения включены)

4.5V, 10V

Rds On (макс.) @ Id, Vgs

7.9mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Макс) @ Id

2V @ 1mA

Заряд затвора (Qg) (Макс) @ Vgs

12nC @ 5V

Vgs (макс.)

±20V

входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds

1362pF @ 10V

Функция FET

-

Рассеиваемая мощность (макс.)

62.5W (Tc)

рабочая температура

-55°C ~ 150°C (TJ)

Тип монтажа

Surface Mount

Пакет устройства поставщика

LFPAK56, Power-SO8

Упаковка / Коробка

SC-100, SOT-669

Производитель

IXYS

Серия

HiPerFET™

Тип полевого транзистора

N-Channel

Технология

MOSFET (Metal Oxide)

напряжение стока в источник (Vdss)

85V

ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C

180A (Tc)

напряжение привода (макс. значения включены, минимальные значения включены)

10V

Rds On (макс.) @ Id, Vgs

7mOhm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (Макс) @ Id

4V @ 8mA

Заряд затвора (Qg) (Макс) @ Vgs

320nC @ 10V

Vgs (макс.)

±20V

входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds

9100pF @ 25V

Функция FET

-

Рассеиваемая мощность (макс.)

560W (Tc)

рабочая температура

-55°C ~ 150°C (TJ)

Тип монтажа

Through Hole

Пакет устройства поставщика

TO-264AA (IXFK)

Упаковка / Коробка

TO-264-3, TO-264AA

TK20A60W5,S5VX

Toshiba Semiconductor and Storage

Производитель

Toshiba Semiconductor and Storage

Серия

DTMOSIV

Тип полевого транзистора

N-Channel

Технология

MOSFET (Metal Oxide)

напряжение стока в источник (Vdss)

600V

ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C

20A (Ta)

напряжение привода (макс. значения включены, минимальные значения включены)

10V

Rds On (макс.) @ Id, Vgs

175mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Макс) @ Id

4.5V @ 1mA

Заряд затвора (Qg) (Макс) @ Vgs

55nC @ 10V

Vgs (макс.)

±30V

входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds

1800pF @ 300V

Функция FET

-

Рассеиваемая мощность (макс.)

45W (Tc)

рабочая температура

150°C (TJ)

Тип монтажа

Through Hole

Пакет устройства поставщика

TO-220SIS

Упаковка / Коробка

TO-220-3 Full Pack

Производитель

IXYS

Серия

PolarHT™

Тип полевого транзистора

N-Channel

Технология

MOSFET (Metal Oxide)

напряжение стока в источник (Vdss)

150V

ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C

120A (Tc)

напряжение привода (макс. значения включены, минимальные значения включены)

-

Rds On (макс.) @ Id, Vgs

16mOhm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (Макс) @ Id

-

Заряд затвора (Qg) (Макс) @ Vgs

150nC @ 10V

Vgs (макс.)

-

входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds

4900pF @ 25V

Функция FET

-

Рассеиваемая мощность (макс.)

-

рабочая температура

-

Тип монтажа

Through Hole

Пакет устройства поставщика

TO-3P

Упаковка / Коробка

TO-3P-3, SC-65-3

Certificates

Быстрый запрос

Добавить в корзину

Свяжитесь с нами

Нужна помощь?

Не стесняйтесь обращаться к нам, если у вас есть вопросы по TPC8067-H.

Недавно продано

DECB33J681KC4B

DECB33J681KC4B

Murata

CAP CER 680PF 6.3KV RADIAL

MAX3208EAUB+T

MAX3208EAUB+T

Maxim Integrated

TVS DIODE 10UMAX

LT1884IS8

LT1884IS8

Linear Technology/Analog Devices

IC OPAMP GP 2 CIRCUIT 8SO

T491X227K016AT

T491X227K016AT

KEMET

CAP TANT 220UF 10% 16V 2917

LTC2802IDE#TRPBF

LTC2802IDE#TRPBF

Linear Technology/Analog Devices

IC TRANSCEIVER HALF 1/1 12DFN

ASPIAIG-F7030-4R7M-T

ASPIAIG-F7030-4R7M-T

Abracon

FIXED IND 4.7UH 9A 26.7MOHM

AD7305BRZ

AD7305BRZ

Analog Devices

IC DAC 8BIT V-OUT 20SOIC

LTM8046MPY#PBF

LTM8046MPY#PBF

Linear Technology/Analog Devices

DC DC CONVERTER 1.8-12V

SMBJ5.0CA

SMBJ5.0CA

AVX

TVS DIODE 5V 9.2V SMB

DG212BDY

DG212BDY

Vishay Siliconix

IC SWITCH QUAD SPST 16SOIC

AOZ1094AIL

AOZ1094AIL

Alpha & Omega Semiconductor

IC REG BUCK ADJUSTABLE 5A 8SOIC

AS5047D-ATSM

AS5047D-ATSM

ams

ROTARY ENCODER MAGNETIC PROG