+86-755-83210135
sales@pneda.com
sales@pneda.com
2192172632
Отправить сообщение
На складе есть миллионы электронных компонентов. Цены и сроки выполнения заказа в течение 24 часов.

TPC8067-H,LQ(S

TPC8067-H,LQ(S

Только для справки

Номер детали TPC8067-H,LQ(S
Номер детали PNEDA TPC8067-H-LQ-S
Производитель Toshiba Semiconductor and Storage
Описание MOSFET N-CH 30V 9A 8SOP
Цена за единицу
  • 1$ 0,0000
  • 100$ 0,0000
  • 500$ 0,0000
  • 1000$ 0,0000
  • 2500$ 0,0000
В наличии 278
Склады USA, Europe, China, Hong Kong SAR
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Доставка DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery
Ориентировочная доставка мар 2 - мар 7 (Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [PNEDA-Гарантия] *

TPC8067-H Ресурсы

TPC8067-H Технические характеристики

ПроизводительToshiba Semiconductor and Storage
СерияU-MOSVII-H
Тип полевого транзистораN-Channel
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
напряжение стока в источник (Vdss)30V
ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C9A (Ta)
напряжение привода (макс. значения включены, минимальные значения включены)4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ Id, Vgs25mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs (th) (Макс) @ Id2.3V @ 100µA
Заряд затвора (Qg) (Макс) @ Vgs9.5nC @ 10V
Vgs (макс.)±20V
входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds690pF @ 10V
Функция FET-
Рассеиваемая мощность (макс.)1W (Ta)
рабочая температура150°C (TJ)
Тип монтажаSurface Mount
Пакет устройства поставщика8-SOP
Упаковка / Коробка8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

В PNEDA мы стремимся быть лидером отрасли, быстро и надежно поставляя высококачественные электронные компоненты нашим клиентам.

Наш подход основан на предоставлении нашим клиентам трех ключевых преимуществ:

  • Быстрое реагирование

    Наша команда быстро отвечает на ваши запросы и немедленно приступает к работе, чтобы найти ваши детали.

  • Гарантированное качество

    Наши процессы контроля качества защищают от подделки, обеспечивая надежность и производительность.

  • Глобальный доступ

    Наша всемирная сеть надежных ресурсов позволяет нам найти и доставить именно те детали, которые вам нужны.

Продукты, которые могут вас заинтересовать

FQI10N60CTU

ON Semiconductor

Производитель

ON Semiconductor

Серия

QFET®

Тип полевого транзистора

N-Channel

Технология

MOSFET (Metal Oxide)

напряжение стока в источник (Vdss)

600V

ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C

9.5A (Tc)

напряжение привода (макс. значения включены, минимальные значения включены)

10V

Rds On (макс.) @ Id, Vgs

730mOhm @ 4.75A, 10V

Vgs (th) (Макс) @ Id

4V @ 250µA

Заряд затвора (Qg) (Макс) @ Vgs

57nC @ 10V

Vgs (макс.)

±30V

входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds

2040pF @ 25V

Функция FET

-

Рассеиваемая мощность (макс.)

3.13W (Ta), 156W (Tc)

рабочая температура

-55°C ~ 150°C (TJ)

Тип монтажа

Through Hole

Пакет устройства поставщика

I2PAK (TO-262)

Упаковка / Коробка

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

Производитель

IXYS

Серия

PolarHT™

Тип полевого транзистора

N-Channel

Технология

MOSFET (Metal Oxide)

напряжение стока в источник (Vdss)

150V

ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C

120A (Tc)

напряжение привода (макс. значения включены, минимальные значения включены)

-

Rds On (макс.) @ Id, Vgs

16mOhm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (Макс) @ Id

-

Заряд затвора (Qg) (Макс) @ Vgs

150nC @ 10V

Vgs (макс.)

-

входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds

4900pF @ 25V

Функция FET

-

Рассеиваемая мощность (макс.)

-

рабочая температура

-

Тип монтажа

Through Hole

Пакет устройства поставщика

TO-3P

Упаковка / Коробка

TO-3P-3, SC-65-3

IXTA27N20T

IXYS

Производитель

IXYS

Серия

-

Тип полевого транзистора

N-Channel

Технология

MOSFET (Metal Oxide)

напряжение стока в источник (Vdss)

20V

ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C

27A (Tc)

напряжение привода (макс. значения включены, минимальные значения включены)

-

Rds On (макс.) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Макс) @ Id

-

Заряд затвора (Qg) (Макс) @ Vgs

-

Vgs (макс.)

-

входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds

-

Функция FET

-

Рассеиваемая мощность (макс.)

-

рабочая температура

-

Тип монтажа

Surface Mount

Пакет устройства поставщика

TO-263 (IXTA)

Упаковка / Коробка

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Производитель

IXYS

Серия

HiPerFET™

Тип полевого транзистора

N-Channel

Технология

MOSFET (Metal Oxide)

напряжение стока в источник (Vdss)

85V

ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C

180A (Tc)

напряжение привода (макс. значения включены, минимальные значения включены)

10V

Rds On (макс.) @ Id, Vgs

7mOhm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (Макс) @ Id

4V @ 8mA

Заряд затвора (Qg) (Макс) @ Vgs

320nC @ 10V

Vgs (макс.)

±20V

входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds

9100pF @ 25V

Функция FET

-

Рассеиваемая мощность (макс.)

560W (Tc)

рабочая температура

-55°C ~ 150°C (TJ)

Тип монтажа

Through Hole

Пакет устройства поставщика

TO-264AA (IXFK)

Упаковка / Коробка

TO-264-3, TO-264AA

FQP6N50C

ON Semiconductor

Производитель

ON Semiconductor

Серия

QFET®

Тип полевого транзистора

N-Channel

Технология

MOSFET (Metal Oxide)

напряжение стока в источник (Vdss)

500V

ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C

5.5A (Tc)

напряжение привода (макс. значения включены, минимальные значения включены)

10V

Rds On (макс.) @ Id, Vgs

1.2Ohm @ 2.8A, 10V

Vgs (th) (Макс) @ Id

4V @ 250µA

Заряд затвора (Qg) (Макс) @ Vgs

25nC @ 10V

Vgs (макс.)

±30V

входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds

700pF @ 25V

Функция FET

-

Рассеиваемая мощность (макс.)

98W (Tc)

рабочая температура

-55°C ~ 150°C (TJ)

Тип монтажа

Through Hole

Пакет устройства поставщика

TO-220-3

Упаковка / Коробка

TO-220-3

Certificates

Быстрый запрос

Добавить в корзину

Свяжитесь с нами

Нужна помощь?

Не стесняйтесь обращаться к нам, если у вас есть вопросы по TPC8067-H.

Недавно продано

IRLMS6702TRPBF

IRLMS6702TRPBF

Infineon Technologies

MOSFET P-CH 20V 2.4A 6-TSOP

PCF8566T/1,118

PCF8566T/1,118

NXP

IC LCD DVR UNVRSL LOW-MUX 40VSOP

WSL20103L000FEA

WSL20103L000FEA

Vishay Dale

RES 0.003 OHM 1% 1/2W 2010

DAN217UMTL

DAN217UMTL

Rohm Semiconductor

DIODE ARRAY GP 80V 100MA UMD3F

FQD3P50TM

FQD3P50TM

ON Semiconductor

MOSFET P-CH 500V 2.1A DPAK

23LC1024-I/SN

23LC1024-I/SN

Microchip Technology

IC SRAM 1M SPI 20MHZ 8SOIC

USB2512I-AEZG

USB2512I-AEZG

Microchip Technology

IC USB 2.0 2PORT HUB CTLR 36-QFN

0437007.WR

0437007.WR

Littelfuse

FUSE BRD MNT 7A 32VAC 35VDC 1206

S25FL032P0XMFI001

S25FL032P0XMFI001

Cypress Semiconductor

IC FLASH 32M SPI 104MHZ 16SOIC

1.5KE200CA

1.5KE200CA

STMicroelectronics

TVS DIODE 171V 353V DO201

NCP3064BDR2G

NCP3064BDR2G

ON Semiconductor

IC REG BUCK BST ADJ 1.5A 8SOIC

ABM8-25.000MHZ-D2-T

ABM8-25.000MHZ-D2-T

Abracon

CRYSTAL 25.000MHZ 18PF SMD