86-755-83210135
sales@pneda.com
Ben@pneda.com
WeChat WeChat
2881496244
Отправить сообщение
На складе есть миллионы электронных компонентов. Цены и сроки выполнения заказа в течение 24 часов.

STL16N60M2

STL16N60M2

Только для справки

Номер детали STL16N60M2
Номер детали PNEDA STL16N60M2
Производитель STMicroelectronics
Описание MOSFET N-CH 600V 8A POWERFLAT
Цена за единицу
  • 1$ 0,0000
  • 100$ 0,0000
  • 500$ 0,0000
  • 1000$ 0,0000
  • 2500$ 0,0000
В наличии 7 272
Склады USA, Europe, China, Hong Kong SAR
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Доставка DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery
Ориентировочная доставка мая 30 - июн 4 (Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [PNEDA-Гарантия] *

STL16N60M2 Ресурсы

Бренд STMicroelectronics
Производитель. номер частиSTL16N60M2
КатегорияПолупроводникиТранзисторыТранзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-транзисторы - одиночные
Лист данных
STL16N60M2, STL16N60M2 Таблица данных (Всего страниц: 15, Размер: 467,58 KB)
PDFSTL16N60M2 Таблица данных Обложка
STL16N60M2 Таблица данных Страница 2 STL16N60M2 Таблица данных Страница 3 STL16N60M2 Таблица данных Страница 4 STL16N60M2 Таблица данных Страница 5 STL16N60M2 Таблица данных Страница 6 STL16N60M2 Таблица данных Страница 7 STL16N60M2 Таблица данных Страница 8 STL16N60M2 Таблица данных Страница 9 STL16N60M2 Таблица данных Страница 10 STL16N60M2 Таблица данных Страница 11

STL16N60M2 Технические характеристики

ПроизводительSTMicroelectronics
СерияMDmesh™ M2
Тип полевого транзистораN-Channel
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
напряжение стока в источник (Vdss)600V
ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C8A (Tc)
напряжение привода (макс. значения включены, минимальные значения включены)10V
Rds On (макс.) @ Id, Vgs355mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (Макс) @ Id4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс) @ Vgs19nC @ 10V
Vgs (макс.)±25V
входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds704pF @ 100V
Функция FET-
Рассеиваемая мощность (макс.)52W (Tc)
рабочая температура150°C (TJ)
Тип монтажаSurface Mount
Пакет устройства поставщикаPowerFlat™ (5x6) HV
Упаковка / Коробка8-PowerVDFN

В PNEDA мы стремимся быть лидером отрасли, быстро и надежно поставляя высококачественные электронные компоненты нашим клиентам.

Наш подход основан на предоставлении нашим клиентам трех ключевых преимуществ:

  • Быстрое реагирование

    Наша команда быстро отвечает на ваши запросы и немедленно приступает к работе, чтобы найти ваши детали.

  • Гарантированное качество

    Наши процессы контроля качества защищают от подделки, обеспечивая надежность и производительность.

  • Глобальный доступ

    Наша всемирная сеть надежных ресурсов позволяет нам найти и доставить именно те детали, которые вам нужны.

Продукты, которые могут вас заинтересовать

IXFH20N85X

IXYS

Производитель

IXYS

Серия

HiPerFET™

Тип полевого транзистора

N-Channel

Технология

MOSFET (Metal Oxide)

напряжение стока в источник (Vdss)

850V

ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C

20A (Tc)

напряжение привода (макс. значения включены, минимальные значения включены)

10V

Rds On (макс.) @ Id, Vgs

330mOhm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (Макс) @ Id

5.5V @ 2.5mA

Заряд затвора (Qg) (Макс) @ Vgs

63nC @ 10V

Vgs (макс.)

±30V

входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds

1660pF @ 25V

Функция FET

-

Рассеиваемая мощность (макс.)

540W (Tc)

рабочая температура

-55°C ~ 150°C (TJ)

Тип монтажа

Through Hole

Пакет устройства поставщика

TO-247

Упаковка / Коробка

TO-247-3

STW40N95DK5

STMicroelectronics

Производитель

STMicroelectronics

Серия

MDmesh™ DK5

Тип полевого транзистора

N-Channel

Технология

MOSFET (Metal Oxide)

напряжение стока в источник (Vdss)

950V

ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C

38A (Tc)

напряжение привода (макс. значения включены, минимальные значения включены)

10V

Rds On (макс.) @ Id, Vgs

130mOhm @ 19A, 10V

Vgs (th) (Макс) @ Id

5V @ 100µA

Заряд затвора (Qg) (Макс) @ Vgs

100nC @ 10V

Vgs (макс.)

±30V

входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds

3480pF @ 100V

Функция FET

-

Рассеиваемая мощность (макс.)

450W (Tc)

рабочая температура

-55°C ~ 150°C

Тип монтажа

Through Hole

Пакет устройства поставщика

TO-247

Упаковка / Коробка

TO-247-3

FQA7N80_F109

ON Semiconductor

Производитель

ON Semiconductor

Серия

QFET®

Тип полевого транзистора

N-Channel

Технология

MOSFET (Metal Oxide)

напряжение стока в источник (Vdss)

800V

ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C

7.2A (Tc)

напряжение привода (макс. значения включены, минимальные значения включены)

10V

Rds On (макс.) @ Id, Vgs

1.5Ohm @ 3.6A, 10V

Vgs (th) (Макс) @ Id

5V @ 250µA

Заряд затвора (Qg) (Макс) @ Vgs

52nC @ 10V

Vgs (макс.)

±30V

входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds

1850pF @ 25V

Функция FET

-

Рассеиваемая мощность (макс.)

198W (Tc)

рабочая температура

-55°C ~ 150°C (TJ)

Тип монтажа

Through Hole

Пакет устройства поставщика

TO-3P

Упаковка / Коробка

TO-3P-3, SC-65-3

ZXMN2069FTA

Diodes Incorporated

Производитель

Diodes Incorporated

Серия

-

Тип полевого транзистора

N-Channel

Технология

MOSFET (Metal Oxide)

напряжение стока в источник (Vdss)

-

ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C

-

напряжение привода (макс. значения включены, минимальные значения включены)

4.5V, 10V

Rds On (макс.) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Макс) @ Id

-

Заряд затвора (Qg) (Макс) @ Vgs

-

Vgs (макс.)

±20V

входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds

-

Функция FET

-

Рассеиваемая мощность (макс.)

-

рабочая температура

-55°C ~ 150°C (TJ)

Тип монтажа

Surface Mount

Пакет устройства поставщика

SOT-23-3

Упаковка / Коробка

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

RTL035N03TR

Rohm Semiconductor

Производитель

Rohm Semiconductor

Серия

-

Тип полевого транзистора

N-Channel

Технология

MOSFET (Metal Oxide)

напряжение стока в источник (Vdss)

30V

ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C

3.5A (Ta)

напряжение привода (макс. значения включены, минимальные значения включены)

2.5V, 4.5V

Rds On (макс.) @ Id, Vgs

56mOhm @ 3.5A, 4.5V

Vgs (th) (Макс) @ Id

1.5V @ 1mA

Заряд затвора (Qg) (Макс) @ Vgs

6.4nC @ 4.5V

Vgs (макс.)

12V

входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds

350pF @ 10V

Функция FET

-

Рассеиваемая мощность (макс.)

1W (Ta)

рабочая температура

150°C (TJ)

Тип монтажа

Surface Mount

Пакет устройства поставщика

TUMT6

Упаковка / Коробка

6-SMD, Flat Leads

Certificates

Быстрый запрос

Добавить в корзину

Свяжитесь с нами

Нужна помощь?

Не стесняйтесь обращаться к нам, если у вас есть вопросы по STL16N60M2.

Недавно продано

MC33174DR2G

MC33174DR2G

ON Semiconductor

IC OPAMP GP 4 CIRCUIT 14SOIC

IR2110STRPBF

IR2110STRPBF

Infineon Technologies

IC DRIVER HIGH/LOW SIDE 16SOIC

LV8548MC-AH

LV8548MC-AH

ON Semiconductor

IC MOTOR DRIVER PAR MFP10S

ADP3330ARTZ-5-RL7

ADP3330ARTZ-5-RL7

Analog Devices

IC REG LINEAR 5V 200MA SOT23-6

LTC4365IDDB#TRMPBF

LTC4365IDDB#TRMPBF

Linear Technology/Analog Devices

IC OVERVOLTAGE PROTECT 8-DFN

MC33074DR2G

MC33074DR2G

ON Semiconductor

IC OPAMP GP 4 CIRCUIT 14SOIC

STGW45HF60WDI

STGW45HF60WDI

STMicroelectronics

IGBT 600V 70A 250W TO247

LTC6813ILWE-1#3ZZPBF

LTC6813ILWE-1#3ZZPBF

Linear Technology/Analog Devices

18 CHANNEL MULTICELL BATTERY STA

NFE31PT220R1E9L

NFE31PT220R1E9L

Murata

FILTER LC(T) 22PF SMD

BTB06-600SWRG

BTB06-600SWRG

STMicroelectronics

TRIAC SENS GATE 600V 6A TO220AB

1.5KE200CA

1.5KE200CA

STMicroelectronics

TVS DIODE 171V 353V DO201

LPS0800H1000JB

LPS0800H1000JB

Vishay Sfernice

RES CHAS MNT 100 OHM 5% 800W