+86-0755-83210135 ext. 203
sales@pneda.com
sa02@pneda.com
WeChat WeChat
3008774181
Отправить сообщение
На складе есть миллионы электронных компонентов. Цены и сроки выполнения заказа в течение 24 часов.

STH320N4F6-6

STH320N4F6-6

Только для справки

Номер детали STH320N4F6-6
Номер детали PNEDA STH320N4F6-6
Производитель STMicroelectronics
Описание MOSFET N-CH 40V 200A H2PAK-6
Цена за единицу
  • 1$ 0,0000
  • 100$ 0,0000
  • 500$ 0,0000
  • 1000$ 0,0000
  • 2500$ 0,0000
В наличии 8 514
Склады USA, Europe, China, Hong Kong SAR
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Доставка DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery
Ориентировочная доставка сен 26 - окт 1 (Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [PNEDA-Гарантия] *

STH320N4F6-6 Ресурсы

Бренд STMicroelectronics
Производитель. номер частиSTH320N4F6-6
КатегорияПолупроводникиТранзисторыТранзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-транзисторы - одиночные
Лист данных
STH320N4F6-6, STH320N4F6-6 Таблица данных (Всего страниц: 18, Размер: 882,91 KB)
PDFSTH320N4F6-6 Таблица данных Обложка
STH320N4F6-6 Таблица данных Страница 2 STH320N4F6-6 Таблица данных Страница 3 STH320N4F6-6 Таблица данных Страница 4 STH320N4F6-6 Таблица данных Страница 5 STH320N4F6-6 Таблица данных Страница 6 STH320N4F6-6 Таблица данных Страница 7 STH320N4F6-6 Таблица данных Страница 8 STH320N4F6-6 Таблица данных Страница 9 STH320N4F6-6 Таблица данных Страница 10 STH320N4F6-6 Таблица данных Страница 11

STH320N4F6-6 Технические характеристики

ПроизводительSTMicroelectronics
СерияAutomotive, AEC-Q101, DeepGATE™, STripFET™ VI
Тип полевого транзистораN-Channel
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
напряжение стока в источник (Vdss)40V
ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C200A (Tc)
напряжение привода (макс. значения включены, минимальные значения включены)10V
Rds On (макс.) @ Id, Vgs1.3mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (Макс) @ Id4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс) @ Vgs240nC @ 10V
Vgs (макс.)±20V
входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds13800pF @ 15V
Функция FET-
Рассеиваемая мощность (макс.)300W (Tc)
рабочая температура-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажаSurface Mount
Пакет устройства поставщикаH2PAK-6
Упаковка / КоробкаTO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)

В PNEDA мы стремимся быть лидером отрасли, быстро и надежно поставляя высококачественные электронные компоненты нашим клиентам.

Наш подход основан на предоставлении нашим клиентам трех ключевых преимуществ:

  • Быстрое реагирование

    Наша команда быстро отвечает на ваши запросы и немедленно приступает к работе, чтобы найти ваши детали.

  • Гарантированное качество

    Наши процессы контроля качества защищают от подделки, обеспечивая надежность и производительность.

  • Глобальный доступ

    Наша всемирная сеть надежных ресурсов позволяет нам найти и доставить именно те детали, которые вам нужны.

Продукты, которые могут вас заинтересовать

FDU8870

ON Semiconductor

Производитель

ON Semiconductor

Серия

PowerTrench®

Тип полевого транзистора

N-Channel

Технология

MOSFET (Metal Oxide)

напряжение стока в источник (Vdss)

30V

ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C

21A (Ta), 160A (Tc)

напряжение привода (макс. значения включены, минимальные значения включены)

4.5V, 10V

Rds On (макс.) @ Id, Vgs

3.9mOhm @ 35A, 10V

Vgs (th) (Макс) @ Id

2.5V @ 250µA

Заряд затвора (Qg) (Макс) @ Vgs

118nC @ 10V

Vgs (макс.)

±20V

входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds

5160pF @ 15V

Функция FET

-

Рассеиваемая мощность (макс.)

160W (Tc)

рабочая температура

-55°C ~ 175°C (TJ)

Тип монтажа

Through Hole

Пакет устройства поставщика

I-PAK

Упаковка / Коробка

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

IRF7526D1

Infineon Technologies

Производитель

Infineon Technologies

Серия

FETKY™

Тип полевого транзистора

P-Channel

Технология

MOSFET (Metal Oxide)

напряжение стока в источник (Vdss)

30V

ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C

2A (Ta)

напряжение привода (макс. значения включены, минимальные значения включены)

4.5V, 10V

Rds On (макс.) @ Id, Vgs

200mOhm @ 1.2A, 10V

Vgs (th) (Макс) @ Id

1V @ 250µA

Заряд затвора (Qg) (Макс) @ Vgs

11nC @ 10V

Vgs (макс.)

±20V

входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds

180pF @ 25V

Функция FET

Schottky Diode (Isolated)

Рассеиваемая мощность (макс.)

1.25W (Ta)

рабочая температура

-55°C ~ 150°C (TJ)

Тип монтажа

Surface Mount

Пакет устройства поставщика

Micro8™

Упаковка / Коробка

8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)

NTLUS4C16NTAG

ON Semiconductor

Производитель

ON Semiconductor

Серия

µCool™

Тип полевого транзистора

N-Channel

Технология

MOSFET (Metal Oxide)

напряжение стока в источник (Vdss)

30V

ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C

9.4A (Ta)

напряжение привода (макс. значения включены, минимальные значения включены)

1.8V, 10V

Rds On (макс.) @ Id, Vgs

11.4mOhm @ 8A, 10V

Vgs (th) (Макс) @ Id

1.1V @ 250µA

Заряд затвора (Qg) (Макс) @ Vgs

7.5nC @ 4.5V

Vgs (макс.)

±12V

входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds

690pF @ 15V

Функция FET

-

Рассеиваемая мощность (макс.)

2.37W (Ta)

рабочая температура

-55°C ~ 150°C (TJ)

Тип монтажа

Surface Mount

Пакет устройства поставщика

6-UDFN (1.6x1.6)

Упаковка / Коробка

6-PowerUFDFN

NTD5865NT4G

ON Semiconductor

Производитель

ON Semiconductor

Серия

-

Тип полевого транзистора

N-Channel

Технология

MOSFET (Metal Oxide)

напряжение стока в источник (Vdss)

60V

ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C

43A (Tc)

напряжение привода (макс. значения включены, минимальные значения включены)

10V

Rds On (макс.) @ Id, Vgs

18mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Макс) @ Id

4V @ 250µA

Заряд затвора (Qg) (Макс) @ Vgs

23nC @ 10V

Vgs (макс.)

±20V

входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds

1261pF @ 25V

Функция FET

-

Рассеиваемая мощность (макс.)

71W (Tc)

рабочая температура

-55°C ~ 175°C (TJ)

Тип монтажа

Surface Mount

Пакет устройства поставщика

DPAK

Упаковка / Коробка

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

STF25N60M2-EP

STMicroelectronics

Производитель

STMicroelectronics

Серия

MDmesh™ M2-EP

Тип полевого транзистора

N-Channel

Технология

MOSFET (Metal Oxide)

напряжение стока в источник (Vdss)

600V

ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C

18A (Tc)

напряжение привода (макс. значения включены, минимальные значения включены)

10V

Rds On (макс.) @ Id, Vgs

188mOhm @ 9A, 10V

Vgs (th) (Макс) @ Id

4.75V @ 250µA

Заряд затвора (Qg) (Макс) @ Vgs

29nC @ 10V

Vgs (макс.)

±25V

входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds

1090pF @ 100V

Функция FET

-

Рассеиваемая мощность (макс.)

30W (Tc)

рабочая температура

-55°C ~ 150°C (TJ)

Тип монтажа

Through Hole

Пакет устройства поставщика

TO-220FP

Упаковка / Коробка

TO-220-3 Full Pack

Certificates

Быстрый запрос

Добавить в корзину

Свяжитесь с нами

Нужна помощь?

Не стесняйтесь обращаться к нам, если у вас есть вопросы по STH320N4F6-6.

Недавно продано

LTC2912HTS8-2#TRMPBF

LTC2912HTS8-2#TRMPBF

Linear Technology/Analog Devices

IC VOLT MONITOR SNGL TSOT23-8

MAX16025TE+

MAX16025TE+

Maxim Integrated

IC SUPERVISORY CIRC DL 16TQFN

FP25R12KE3BOSA1

FP25R12KE3BOSA1

Infineon Technologies

IGBT MODULE 1200V 25A

MAX14780EESA+T

MAX14780EESA+T

Maxim Integrated

IC TRANSCEIVER HALF 1/1 8SOIC

ADV7180BCPZ

ADV7180BCPZ

Analog Devices

IC VIDEO DECODER SDTV 40-LFCSP

67F120

67F120

Sensata-Airpax

THERMOSTAT 120 DEG NO TO-220

M4A5-32/32-10JNC

M4A5-32/32-10JNC

Lattice Semiconductor Corporation

IC CPLD 32MC 10NS 44PLCC

RB751V40T1G

RB751V40T1G

ON Semiconductor

DIODE SCHOTTKY 30V 30MA SOD323

PBSS5250X,115

PBSS5250X,115

Nexperia

TRANS PNP 50V 2A SOT89

ATMEGA168PA-MUR

ATMEGA168PA-MUR

Microchip Technology

IC MCU 8BIT 16KB FLASH 32VQFN

74LCX16244MTD

74LCX16244MTD

ON Semiconductor

IC BUF NON-INVERT 3.6V 48TSSOP

WSL1206R0100FEA

WSL1206R0100FEA

Vishay Dale

RES 0.01 OHM 1% 1/4W 1206