+86-0755-83210135 ext. 203
sales@pneda.com
sa02@pneda.com
WeChat WeChat
3008774181
Отправить сообщение
На складе есть миллионы электронных компонентов. Цены и сроки выполнения заказа в течение 24 часов.

SIR424DP-T1-GE3

SIR424DP-T1-GE3 SIR424DP-T1-GE3

Только для справки

Номер детали SIR424DP-T1-GE3
Номер детали PNEDA SIR424DP-T1-GE3
Производитель Vishay Siliconix
Описание MOSFET N-CH 20V 30A PPAK SO-8
Цена за единицу
  • 1$ 0,0000
  • 100$ 0,0000
  • 500$ 0,0000
  • 1000$ 0,0000
  • 2500$ 0,0000
В наличии 109 230
Склады USA, Europe, China, Hong Kong SAR
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Доставка DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery
Ориентировочная доставка янв 19 - янв 24 (Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [PNEDA-Гарантия] *

SIR424DP-T1-GE3 Ресурсы

Бренд Vishay Siliconix
Производитель. номер частиSIR424DP-T1-GE3
КатегорияПолупроводникиТранзисторыТранзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-транзисторы - одиночные
Лист данных
SIR424DP-T1-GE3, SIR424DP-T1-GE3 Таблица данных (Всего страниц: 13, Размер: 327,07 KB)
PDFSIR424DP-T1-GE3 Таблица данных Обложка
SIR424DP-T1-GE3 Таблица данных Страница 2 SIR424DP-T1-GE3 Таблица данных Страница 3 SIR424DP-T1-GE3 Таблица данных Страница 4 SIR424DP-T1-GE3 Таблица данных Страница 5 SIR424DP-T1-GE3 Таблица данных Страница 6 SIR424DP-T1-GE3 Таблица данных Страница 7 SIR424DP-T1-GE3 Таблица данных Страница 8 SIR424DP-T1-GE3 Таблица данных Страница 9 SIR424DP-T1-GE3 Таблица данных Страница 10 SIR424DP-T1-GE3 Таблица данных Страница 11

SIR424DP-T1-GE3 Технические характеристики

ПроизводительVishay Siliconix
СерияTrenchFET®
Тип полевого транзистораN-Channel
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
напряжение стока в источник (Vdss)20V
ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C30A (Tc)
напряжение привода (макс. значения включены, минимальные значения включены)4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ Id, Vgs5.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Макс) @ Id2.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс) @ Vgs35nC @ 10V
Vgs (макс.)±20V
входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds1250pF @ 10V
Функция FET-
Рассеиваемая мощность (макс.)4.8W (Ta), 41.7W (Tc)
рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажаSurface Mount
Пакет устройства поставщикаPowerPAK® SO-8
Упаковка / КоробкаPowerPAK® SO-8

В PNEDA мы стремимся быть лидером отрасли, быстро и надежно поставляя высококачественные электронные компоненты нашим клиентам.

Наш подход основан на предоставлении нашим клиентам трех ключевых преимуществ:

  • Быстрое реагирование

    Наша команда быстро отвечает на ваши запросы и немедленно приступает к работе, чтобы найти ваши детали.

  • Гарантированное качество

    Наши процессы контроля качества защищают от подделки, обеспечивая надежность и производительность.

  • Глобальный доступ

    Наша всемирная сеть надежных ресурсов позволяет нам найти и доставить именно те детали, которые вам нужны.

Продукты, которые могут вас заинтересовать

SPA06N60C3XKSA1

Infineon Technologies

Производитель

Infineon Technologies

Серия

CoolMOS™

Тип полевого транзистора

N-Channel

Технология

MOSFET (Metal Oxide)

напряжение стока в источник (Vdss)

650V

ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C

6.2A (Tc)

напряжение привода (макс. значения включены, минимальные значения включены)

10V

Rds On (макс.) @ Id, Vgs

750mOhm @ 3.9A, 10V

Vgs (th) (Макс) @ Id

3.9V @ 260µA

Заряд затвора (Qg) (Макс) @ Vgs

31nC @ 10V

Vgs (макс.)

±20V

входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds

620pF @ 25V

Функция FET

-

Рассеиваемая мощность (макс.)

32W (Tc)

рабочая температура

-55°C ~ 150°C (TJ)

Тип монтажа

Through Hole

Пакет устройства поставщика

PG-TO220-FP

Упаковка / Коробка

TO-220-3 Full Pack

NVLUS4C12NTAG

ON Semiconductor

Производитель

ON Semiconductor

Серия

-

Тип полевого транзистора

N-Channel

Технология

MOSFET (Metal Oxide)

напряжение стока в источник (Vdss)

30V

ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C

6.8A (Ta)

напряжение привода (макс. значения включены, минимальные значения включены)

3.3V, 10V

Rds On (макс.) @ Id, Vgs

9mOhm @ 9A, 10V

Vgs (th) (Макс) @ Id

2.1V @ 250µA

Заряд затвора (Qg) (Макс) @ Vgs

18nC @ 10V

Vgs (макс.)

±20V

входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds

1172pF @ 15V

Функция FET

-

Рассеиваемая мощность (макс.)

630mW (Ta)

рабочая температура

-55°C ~ 150°C (TJ)

Тип монтажа

Surface Mount

Пакет устройства поставщика

6-UDFN (2x2)

Упаковка / Коробка

6-UDFN Exposed Pad

DMP25H18DLFDE-13

Diodes Incorporated

Производитель

Diodes Incorporated

Серия

-

Тип полевого транзистора

P-Channel

Технология

MOSFET (Metal Oxide)

напряжение стока в источник (Vdss)

250V

ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C

260mA (Ta)

напряжение привода (макс. значения включены, минимальные значения включены)

3.5V, 10V

Rds On (макс.) @ Id, Vgs

14Ohm @ 200mA, 10V

Vgs (th) (Макс) @ Id

2.5V @ 1mA

Заряд затвора (Qg) (Макс) @ Vgs

2.8nC @ 10V

Vgs (макс.)

±40V

входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds

81pF @ 25V

Функция FET

-

Рассеиваемая мощность (макс.)

600mW (Ta)

рабочая температура

-55°C ~ 150°C (TJ)

Тип монтажа

Surface Mount

Пакет устройства поставщика

U-DFN2020-6 (Type E)

Упаковка / Коробка

6-UDFN Exposed Pad

BUK7620-100A,118

Nexperia

Производитель

Nexperia USA Inc.

Серия

Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™

Тип полевого транзистора

N-Channel

Технология

MOSFET (Metal Oxide)

напряжение стока в источник (Vdss)

100V

ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C

63A (Tc)

напряжение привода (макс. значения включены, минимальные значения включены)

10V

Rds On (макс.) @ Id, Vgs

20mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (Макс) @ Id

4V @ 1mA

Заряд затвора (Qg) (Макс) @ Vgs

-

Vgs (макс.)

±20V

входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds

4373pF @ 25V

Функция FET

-

Рассеиваемая мощность (макс.)

200W (Tc)

рабочая температура

-55°C ~ 175°C (TJ)

Тип монтажа

Surface Mount

Пакет устройства поставщика

D2PAK

Упаковка / Коробка

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

SI3805DV-T1-E3

Vishay Siliconix

Производитель

Vishay Siliconix

Серия

LITTLE FOOT®

Тип полевого транзистора

P-Channel

Технология

MOSFET (Metal Oxide)

напряжение стока в источник (Vdss)

20V

ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C

3.3A (Tc)

напряжение привода (макс. значения включены, минимальные значения включены)

2.5V, 10V

Rds On (макс.) @ Id, Vgs

84mOhm @ 3A, 10V

Vgs (th) (Макс) @ Id

1.5V @ 250µA

Заряд затвора (Qg) (Макс) @ Vgs

12nC @ 10V

Vgs (макс.)

±12V

входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds

330pF @ 10V

Функция FET

Schottky Diode (Isolated)

Рассеиваемая мощность (макс.)

1.1W (Ta), 1.4W (Tc)

рабочая температура

-55°C ~ 150°C (TJ)

Тип монтажа

Surface Mount

Пакет устройства поставщика

6-TSOP

Упаковка / Коробка

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Certificates

Быстрый запрос

Добавить в корзину

Свяжитесь с нами

Нужна помощь?

Не стесняйтесь обращаться к нам, если у вас есть вопросы по SIR424DP-T1-GE3.

Недавно продано

MOCD217M

MOCD217M

ON Semiconductor

OPTOISO 2.5KV 2CH TRANS 8SOIC

0251001.MXL

0251001.MXL

Littelfuse

FUSE BRD MNT 1A 125VAC/VDC AXIAL

PS2801C-4-A

PS2801C-4-A

CEL

OPTOISO 2.5KV 4CH TRANS 16SSOP

STPS40L40CT

STPS40L40CT

STMicroelectronics

DIODE ARRAY SCHOTTKY 40V TO220AB

IRFR5305PBF

IRFR5305PBF

Infineon Technologies

MOSFET P-CH 55V 31A DPAK

PI3USB30532ZLE

PI3USB30532ZLE

Diodes Incorporated

IC MUX/DEMUX USB 3.0 40TQFN

NCP3064BDR2G

NCP3064BDR2G

ON Semiconductor

IC REG BUCK BST ADJ 1.5A 8SOIC

MMSZ4700T1G

MMSZ4700T1G

ON Semiconductor

DIODE ZENER 13V 500MW SOD123

MP1584EN-LF-Z

MP1584EN-LF-Z

Monolithic Power Systems Inc.

IC REG BUCK ADJUSTABLE 3A 8SOIC

CM1230-02CP

CM1230-02CP

ON Semiconductor

TVS DIODE 3.3V 9.8V 4WLCSP

RB496EATR

RB496EATR

Rohm Semiconductor

DIODE ARRAY SCHOTTKY 20V TSMD5

CNY17F-2

CNY17F-2

Everlight Electronics Co Ltd

OPTOISOLTR 5KV TRANSISTOR 6-DIP