+86-0755-83210135 ext. 203
sales@pneda.com
sa02@pneda.com
WeChat WeChat
3008774181
Отправить сообщение
На складе есть миллионы электронных компонентов. Цены и сроки выполнения заказа в течение 24 часов.

SI2301CDS-T1-GE3

SI2301CDS-T1-GE3 SI2301CDS-T1-GE3

Только для справки

Номер детали SI2301CDS-T1-GE3
Номер детали PNEDA SI2301CDS-T1-GE3
Производитель Vishay Siliconix
Описание MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3
Цена за единицу
  • 1$ 0,0000
  • 100$ 0,0000
  • 500$ 0,0000
  • 1000$ 0,0000
  • 2500$ 0,0000
В наличии 1 078 854
Склады USA, Europe, China, Hong Kong SAR
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Доставка DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery
Ориентировочная доставка авг 5 - авг 10 (Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [PNEDA-Гарантия] *

SI2301CDS-T1-GE3 Ресурсы

Бренд Vishay Siliconix
Производитель. номер частиSI2301CDS-T1-GE3
КатегорияПолупроводникиТранзисторыТранзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-транзисторы - одиночные
Лист данных
SI2301CDS-T1-GE3, SI2301CDS-T1-GE3 Таблица данных (Всего страниц: 9, Размер: 197,85 KB)
PDFSI2301CDS-T1-E3 Таблица данных Обложка
SI2301CDS-T1-E3 Таблица данных Страница 2 SI2301CDS-T1-E3 Таблица данных Страница 3 SI2301CDS-T1-E3 Таблица данных Страница 4 SI2301CDS-T1-E3 Таблица данных Страница 5 SI2301CDS-T1-E3 Таблица данных Страница 6 SI2301CDS-T1-E3 Таблица данных Страница 7 SI2301CDS-T1-E3 Таблица данных Страница 8 SI2301CDS-T1-E3 Таблица данных Страница 9

SI2301CDS-T1-GE3 Технические характеристики

ПроизводительVishay Siliconix
СерияTrenchFET®
Тип полевого транзистораP-Channel
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
напряжение стока в источник (Vdss)20V
ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C3.1A (Tc)
напряжение привода (макс. значения включены, минимальные значения включены)2.5V, 4.5V
Rds On (макс.) @ Id, Vgs112mOhm @ 2.8A, 4.5V
Vgs (th) (Макс) @ Id1V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс) @ Vgs10nC @ 4.5V
Vgs (макс.)±8V
входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds405pF @ 10V
Функция FET-
Рассеиваемая мощность (макс.)860mW (Ta), 1.6W (Tc)
рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажаSurface Mount
Пакет устройства поставщикаSOT-23-3 (TO-236)
Упаковка / КоробкаTO-236-3, SC-59, SOT-23-3

В PNEDA мы стремимся быть лидером отрасли, быстро и надежно поставляя высококачественные электронные компоненты нашим клиентам.

Наш подход основан на предоставлении нашим клиентам трех ключевых преимуществ:

  • Быстрое реагирование

    Наша команда быстро отвечает на ваши запросы и немедленно приступает к работе, чтобы найти ваши детали.

  • Гарантированное качество

    Наши процессы контроля качества защищают от подделки, обеспечивая надежность и производительность.

  • Глобальный доступ

    Наша всемирная сеть надежных ресурсов позволяет нам найти и доставить именно те детали, которые вам нужны.

Продукты, которые могут вас заинтересовать

NVMFS6H858NWFT1G

ON Semiconductor

Производитель

ON Semiconductor

Серия

*

Тип полевого транзистора

-

Технология

-

напряжение стока в источник (Vdss)

-

ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C

-

напряжение привода (макс. значения включены, минимальные значения включены)

-

Rds On (макс.) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Макс) @ Id

-

Заряд затвора (Qg) (Макс) @ Vgs

-

Vgs (макс.)

-

входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds

-

Функция FET

-

Рассеиваемая мощность (макс.)

-

рабочая температура

-

Тип монтажа

-

Пакет устройства поставщика

-

Упаковка / Коробка

-

STW6N95K5

STMicroelectronics

Производитель

STMicroelectronics

Серия

SuperMESH5™

Тип полевого транзистора

N-Channel

Технология

MOSFET (Metal Oxide)

напряжение стока в источник (Vdss)

950V

ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C

9A (Tc)

напряжение привода (макс. значения включены, минимальные значения включены)

10V

Rds On (макс.) @ Id, Vgs

1.25Ohm @ 3A, 10V

Vgs (th) (Макс) @ Id

5V @ 100µA

Заряд затвора (Qg) (Макс) @ Vgs

13nC @ 10V

Vgs (макс.)

±30V

входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds

450pF @ 100V

Функция FET

-

Рассеиваемая мощность (макс.)

90W (Tc)

рабочая температура

-55°C ~ 150°C (TJ)

Тип монтажа

Through Hole

Пакет устройства поставщика

TO-247-3

Упаковка / Коробка

TO-247-3

DN2540N3-G-P003

Microchip Technology

Производитель

Microchip Technology

Серия

-

Тип полевого транзистора

N-Channel

Технология

MOSFET (Metal Oxide)

напряжение стока в источник (Vdss)

400V

ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C

120mA (Tj)

напряжение привода (макс. значения включены, минимальные значения включены)

0V

Rds On (макс.) @ Id, Vgs

25Ohm @ 120mA, 0V

Vgs (th) (Макс) @ Id

-

Заряд затвора (Qg) (Макс) @ Vgs

-

Vgs (макс.)

±20V

входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds

300pF @ 25V

Функция FET

Depletion Mode

Рассеиваемая мощность (макс.)

1W (Tc)

рабочая температура

-55°C ~ 150°C (TJ)

Тип монтажа

Through Hole

Пакет устройства поставщика

TO-92 (TO-226)

Упаковка / Коробка

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

2SK3813-Z-E1-AZ

Renesas Electronics America

Производитель

Renesas Electronics America

Серия

-

Тип полевого транзистора

-

Технология

-

напряжение стока в источник (Vdss)

-

ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C

-

напряжение привода (макс. значения включены, минимальные значения включены)

-

Rds On (макс.) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Макс) @ Id

-

Заряд затвора (Qg) (Макс) @ Vgs

-

Vgs (макс.)

-

входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds

-

Функция FET

-

Рассеиваемая мощность (макс.)

-

рабочая температура

-

Тип монтажа

-

Пакет устройства поставщика

-

Упаковка / Коробка

-

FDP5680

ON Semiconductor

Производитель

ON Semiconductor

Серия

PowerTrench®

Тип полевого транзистора

N-Channel

Технология

MOSFET (Metal Oxide)

напряжение стока в источник (Vdss)

60V

ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C

40A (Tc)

напряжение привода (макс. значения включены, минимальные значения включены)

6V, 10V

Rds On (макс.) @ Id, Vgs

20mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Макс) @ Id

4V @ 250µA

Заряд затвора (Qg) (Макс) @ Vgs

46nC @ 10V

Vgs (макс.)

±20V

входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds

1850pF @ 25V

Функция FET

-

Рассеиваемая мощность (макс.)

65W (Tc)

рабочая температура

-65°C ~ 175°C (TJ)

Тип монтажа

Through Hole

Пакет устройства поставщика

TO-220-3

Упаковка / Коробка

TO-220-3

Certificates

Быстрый запрос

Добавить в корзину

Свяжитесь с нами

Нужна помощь?

Не стесняйтесь обращаться к нам, если у вас есть вопросы по SI2301CDS-T1-GE3.

Недавно продано

ADM3222ARSZ

ADM3222ARSZ

Analog Devices

IC TRANSCEIVER FULL 2/2 20SSOP

WSL20102L000FEA

WSL20102L000FEA

Vishay Dale

RES 0.002 OHM 1% 1/2W 2010

2773021447

2773021447

Fair-Rite Products

FERRITE BEAD 2SMD 1LN

2843010402

2843010402

Fair-Rite Products

FERRITE CORE MULTI-APERTURE

MC908AZ60ACFUER

MC908AZ60ACFUER

NXP

IC MCU 8BIT 60KB FLASH 64QFP

ST62T25CM6

ST62T25CM6

STMicroelectronics

IC MCU 8BIT 4KB OTP 28SOIC

ADP1763ACPZ-1.3-R7

ADP1763ACPZ-1.3-R7

Analog Devices

IC REG LINEAR 1.3V 3A 16LFCSP

FDC6331L

FDC6331L

ON Semiconductor

IC LOAD SWITCH INT 8VIN SSOT-6

BZX585-B4V7,115

BZX585-B4V7,115

Nexperia

DIODE ZENER 4.7V 300MW SOD523

FT245RL-REEL

FT245RL-REEL

FTDI, Future Technology Devices International Ltd

IC USB TO PARALLEL FIFO 28-SSOP

AD629ARZ

AD629ARZ

Analog Devices

IC OPAMP DIFF 1 CIRCUIT 8SOIC

MT40A512M16LY-062E IT:E

MT40A512M16LY-062E IT:E

Micron Technology Inc.

IC DRAM 8G PARALLEL 1.6GHZ