+86-0775-83210135 x8221
sales@pneda.com
live:sa02_23
WeChat WeChat
3008774181
Отправить сообщение
На складе есть миллионы электронных компонентов. Цены и сроки выполнения заказа в течение 24 часов.

SI1065X-T1-E3

SI1065X-T1-E3

Только для справки

Номер детали SI1065X-T1-E3
Номер детали PNEDA SI1065X-T1-E3
Производитель Vishay Siliconix
Описание MOSFET P-CH 12V 1.18A SOT563F
Цена за единицу
  • 1$ 0,0000
  • 100$ 0,0000
  • 500$ 0,0000
  • 1000$ 0,0000
  • 2500$ 0,0000
В наличии 302
Склады USA, Europe, China, Hong Kong SAR
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Доставка DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery
Ориентировочная доставка мая 12 - мая 17 (Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [PNEDA-Гарантия] *

SI1065X-T1-E3 Ресурсы

Бренд Vishay Siliconix
Производитель. номер частиSI1065X-T1-E3
КатегорияПолупроводникиТранзисторыТранзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-транзисторы - одиночные
Лист данных
SI1065X-T1-E3, SI1065X-T1-E3 Таблица данных (Всего страниц: 8, Размер: 172,56 KB)
PDFSI1065X-T1-GE3 Таблица данных Обложка
SI1065X-T1-GE3 Таблица данных Страница 2 SI1065X-T1-GE3 Таблица данных Страница 3 SI1065X-T1-GE3 Таблица данных Страница 4 SI1065X-T1-GE3 Таблица данных Страница 5 SI1065X-T1-GE3 Таблица данных Страница 6 SI1065X-T1-GE3 Таблица данных Страница 7 SI1065X-T1-GE3 Таблица данных Страница 8

SI1065X-T1-E3 Технические характеристики

ПроизводительVishay Siliconix
СерияTrenchFET®
Тип полевого транзистораP-Channel
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
напряжение стока в источник (Vdss)12V
ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C-
напряжение привода (макс. значения включены, минимальные значения включены)1.8V, 4.5V
Rds On (макс.) @ Id, Vgs156mOhm @ 1.18A, 4.5V
Vgs (th) (Макс) @ Id950mV @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс) @ Vgs10.8nC @ 5V
Vgs (макс.)±8V
входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds480pF @ 6V
Функция FET-
Рассеиваемая мощность (макс.)236mW (Ta)
рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажаSurface Mount
Пакет устройства поставщикаSC-89-6
Упаковка / КоробкаSOT-563, SOT-666

В PNEDA мы стремимся быть лидером отрасли, быстро и надежно поставляя высококачественные электронные компоненты нашим клиентам.

Наш подход основан на предоставлении нашим клиентам трех ключевых преимуществ:

  • Быстрое реагирование

    Наша команда быстро отвечает на ваши запросы и немедленно приступает к работе, чтобы найти ваши детали.

  • Гарантированное качество

    Наши процессы контроля качества защищают от подделки, обеспечивая надежность и производительность.

  • Глобальный доступ

    Наша всемирная сеть надежных ресурсов позволяет нам найти и доставить именно те детали, которые вам нужны.

Продукты, которые могут вас заинтересовать

Производитель

IXYS

Серия

HiPerFET™

Тип полевого транзистора

N-Channel

Технология

MOSFET (Metal Oxide)

напряжение стока в источник (Vdss)

300V

ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C

50A (Tc)

напряжение привода (макс. значения включены, минимальные значения включены)

10V

Rds On (макс.) @ Id, Vgs

80mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (Макс) @ Id

6.5V @ 4mA

Заряд затвора (Qg) (Макс) @ Vgs

65nC @ 10V

Vgs (макс.)

±20V

входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds

3160pF @ 25V

Функция FET

-

Рассеиваемая мощность (макс.)

690W (Tc)

рабочая температура

-55°C ~ 150°C (TJ)

Тип монтажа

Through Hole

Пакет устройства поставщика

TO-247AD (IXFH)

Упаковка / Коробка

TO-247-3

PSMN5R4-25YLDX

Nexperia

Производитель

Nexperia USA Inc.

Серия

-

Тип полевого транзистора

N-Channel

Технология

MOSFET (Metal Oxide)

напряжение стока в источник (Vdss)

25V

ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C

70A (Tc)

напряжение привода (макс. значения включены, минимальные значения включены)

4.5V, 10V

Rds On (макс.) @ Id, Vgs

5.69mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (Макс) @ Id

2.2V @ 1mA

Заряд затвора (Qg) (Макс) @ Vgs

12.4nC @ 10V

Vgs (макс.)

±20V

входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds

858pF @ 12V

Функция FET

Schottky Diode (Body)

Рассеиваемая мощность (макс.)

47W (Tc)

рабочая температура

-55°C ~ 175°C (TJ)

Тип монтажа

Surface Mount

Пакет устройства поставщика

LFPAK56, Power-SO8

Упаковка / Коробка

SC-100, SOT-669

IRF7353D2

Infineon Technologies

Производитель

Infineon Technologies

Серия

FETKY™

Тип полевого транзистора

N-Channel

Технология

MOSFET (Metal Oxide)

напряжение стока в источник (Vdss)

30V

ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C

6.5A (Ta)

напряжение привода (макс. значения включены, минимальные значения включены)

4.5V, 10V

Rds On (макс.) @ Id, Vgs

29mOhm @ 5.8A, 10V

Vgs (th) (Макс) @ Id

1V @ 250µA

Заряд затвора (Qg) (Макс) @ Vgs

33nC @ 10V

Vgs (макс.)

±20V

входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds

650pF @ 25V

Функция FET

Schottky Diode (Isolated)

Рассеиваемая мощность (макс.)

2W (Ta)

рабочая температура

-55°C ~ 150°C (TJ)

Тип монтажа

Surface Mount

Пакет устройства поставщика

8-SO

Упаковка / Коробка

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Производитель

NXP USA Inc.

Серия

TrenchMOS™

Тип полевого транзистора

N-Channel

Технология

MOSFET (Metal Oxide)

напряжение стока в источник (Vdss)

40V

ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C

100A (Tc)

напряжение привода (макс. значения включены, минимальные значения включены)

5V, 10V

Rds On (макс.) @ Id, Vgs

2.8mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (Макс) @ Id

2.1V @ 1mA

Заряд затвора (Qg) (Макс) @ Vgs

69.5nC @ 5V

Vgs (макс.)

±10V

входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds

9150pF @ 25V

Функция FET

-

Рассеиваемая мощность (макс.)

234W (Tc)

рабочая температура

-55°C ~ 175°C (TJ)

Тип монтажа

Through Hole

Пакет устройства поставщика

TO-220AB

Упаковка / Коробка

TO-220-3

Производитель

IXYS

Серия

-

Тип полевого транзистора

N-Channel

Технология

MOSFET (Metal Oxide)

напряжение стока в источник (Vdss)

650V

ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C

120A (Tc)

напряжение привода (макс. значения включены, минимальные значения включены)

10V

Rds On (макс.) @ Id, Vgs

24mOhm @ 60A, 10V

Vgs (th) (Макс) @ Id

4.5V @ 8mA

Заряд затвора (Qg) (Макс) @ Vgs

240nC @ 10V

Vgs (макс.)

±30V

входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds

13600pF @ 25V

Функция FET

-

Рассеиваемая мощность (макс.)

1250W (Tc)

рабочая температура

-55°C ~ 150°C (TJ)

Тип монтажа

Through Hole

Пакет устройства поставщика

TO-264 (IXTK)

Упаковка / Коробка

TO-264-3, TO-264AA

Certificates

Быстрый запрос

Добавить в корзину

Свяжитесь с нами

Нужна помощь?

Не стесняйтесь обращаться к нам, если у вас есть вопросы по SI1065X-T1-E3.

Недавно продано

CNY17-4X007

CNY17-4X007

Vishay Semiconductor Opto Division

OPTOISO 5KV TRANS W/BASE 6SMD

ATSAMD21G18A-AUT

ATSAMD21G18A-AUT

Microchip Technology

IC MCU 32BIT 256KB FLASH 48TQFP

AD8551ARZ

AD8551ARZ

Analog Devices

IC OPAMP ZERO-DRIFT 1 CIRC 8SOIC

2SA2222SG

2SA2222SG

ON Semiconductor

TRANS PNP 50V 10A TO-220ML

MC68HC908GR8CFA

MC68HC908GR8CFA

NXP

IC MCU 8BIT 7.5KB FLASH 32LQFP

VLCF4020T-2R2N1R7

VLCF4020T-2R2N1R7

TDK

FIXED IND 2.2UH 1.72A 59 MOHM

REF196GSZ

REF196GSZ

Analog Devices

IC VREF SERIES 3.3V 8SOIC

MAX8556ETE+T

MAX8556ETE+T

Maxim Integrated

IC REG LINEAR POS ADJ 4A 16TQFN

MIC5235-3.3YM5-TR

MIC5235-3.3YM5-TR

Microchip Technology

IC REG LINEAR 3.3V 150MA SOT23-5

FA-20H 12.0000MD30Z-K3

FA-20H 12.0000MD30Z-K3

EPSON

CRYSTAL 12.00 MHZ 10.0PF SMD

1SS133T-72

1SS133T-72

Rohm Semiconductor

DIODE GEN PURP 80V 130MA MSD

MAX31865ATP+

MAX31865ATP+

Maxim Integrated

IC RTD TO DIGITAL CONVERT 20QFN