+86-0755-83210135
sales@pneda.com
sa12@pneda.com
WeChat WeChat
3008774181
Отправить сообщение
На складе есть миллионы электронных компонентов. Цены и сроки выполнения заказа в течение 24 часов.

RCD080N25TL

RCD080N25TL

Только для справки

Номер детали RCD080N25TL
Номер детали PNEDA RCD080N25TL
Производитель Rohm Semiconductor
Описание MOSFET N-CH 250V 8A SOT-428
Цена за единицу
  • 1$ 0,0000
  • 100$ 0,0000
  • 500$ 0,0000
  • 1000$ 0,0000
  • 2500$ 0,0000
В наличии 24 018
Склады USA, Europe, China, Hong Kong SAR
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Доставка DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery
Ориентировочная доставка мая 30 - июн 4 (Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [PNEDA-Гарантия] *

RCD080N25TL Ресурсы

Бренд Rohm Semiconductor
Производитель. номер частиRCD080N25TL
КатегорияПолупроводникиТранзисторыТранзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-транзисторы - одиночные
Лист данных
RCD080N25TL, RCD080N25TL Таблица данных (Всего страниц: 8, Размер: 622,34 KB)
PDFRCD080N25TL Таблица данных Обложка
RCD080N25TL Таблица данных Страница 2 RCD080N25TL Таблица данных Страница 3 RCD080N25TL Таблица данных Страница 4 RCD080N25TL Таблица данных Страница 5 RCD080N25TL Таблица данных Страница 6 RCD080N25TL Таблица данных Страница 7 RCD080N25TL Таблица данных Страница 8

RCD080N25TL Технические характеристики

ПроизводительRohm Semiconductor
Серия-
Тип полевого транзистораN-Channel
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
напряжение стока в источник (Vdss)250V
ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C8A (Ta)
напряжение привода (макс. значения включены, минимальные значения включены)10V
Rds On (макс.) @ Id, Vgs300mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (Макс) @ Id5V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (Макс) @ Vgs25nC @ 10V
Vgs (макс.)±30V
входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds1440pF @ 25V
Функция FET-
Рассеиваемая мощность (макс.)850mW (Ta), 20W (Tc)
рабочая температура150°C (TJ)
Тип монтажаSurface Mount
Пакет устройства поставщикаCPT3
Упаковка / КоробкаTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

В PNEDA мы стремимся быть лидером отрасли, быстро и надежно поставляя высококачественные электронные компоненты нашим клиентам.

Наш подход основан на предоставлении нашим клиентам трех ключевых преимуществ:

  • Быстрое реагирование

    Наша команда быстро отвечает на ваши запросы и немедленно приступает к работе, чтобы найти ваши детали.

  • Гарантированное качество

    Наши процессы контроля качества защищают от подделки, обеспечивая надежность и производительность.

  • Глобальный доступ

    Наша всемирная сеть надежных ресурсов позволяет нам найти и доставить именно те детали, которые вам нужны.

Продукты, которые могут вас заинтересовать

Производитель

IXYS

Серия

PolarHV™

Тип полевого транзистора

N-Channel

Технология

MOSFET (Metal Oxide)

напряжение стока в источник (Vdss)

300V

ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C

88A (Tc)

напряжение привода (макс. значения включены, минимальные значения включены)

10V

Rds On (макс.) @ Id, Vgs

33mOhm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (Макс) @ Id

5V @ 4mA

Заряд затвора (Qg) (Макс) @ Vgs

224nC @ 10V

Vgs (макс.)

±20V

входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds

7500pF @ 25V

Функция FET

-

Рассеиваемая мощность (макс.)

600W (Tc)

рабочая температура

-55°C ~ 150°C (TJ)

Тип монтажа

Chassis Mount

Пакет устройства поставщика

SOT-227B

Упаковка / Коробка

SOT-227-4, miniBLOC

AOB20C60L

Alpha & Omega Semiconductor

Производитель

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Серия

-

Тип полевого транзистора

N-Channel

Технология

MOSFET (Metal Oxide)

напряжение стока в источник (Vdss)

600V

ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C

20A (Tc)

напряжение привода (макс. значения включены, минимальные значения включены)

10V

Rds On (макс.) @ Id, Vgs

250mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Макс) @ Id

5V @ 250µA

Заряд затвора (Qg) (Макс) @ Vgs

74nC @ 10V

Vgs (макс.)

±30V

входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds

3440pF @ 100V

Функция FET

-

Рассеиваемая мощность (макс.)

463W (Tc)

рабочая температура

-55°C ~ 150°C (TJ)

Тип монтажа

Surface Mount

Пакет устройства поставщика

TO-263 (D²Pak)

Упаковка / Коробка

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

NTLUS4195PZTAG

ON Semiconductor

Производитель

ON Semiconductor

Серия

-

Тип полевого транзистора

P-Channel

Технология

MOSFET (Metal Oxide)

напряжение стока в источник (Vdss)

30V

ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C

2A (Ta)

напряжение привода (макс. значения включены, минимальные значения включены)

4.5V, 10V

Rds On (макс.) @ Id, Vgs

90mOhm @ 3A, 10V

Vgs (th) (Макс) @ Id

3V @ 250µA

Заряд затвора (Qg) (Макс) @ Vgs

5nC @ 4.5V

Vgs (макс.)

±20V

входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds

250pF @ 15V

Функция FET

-

Рассеиваемая мощность (макс.)

600mW (Ta)

рабочая температура

-55°C ~ 150°C (TJ)

Тип монтажа

Surface Mount

Пакет устройства поставщика

6-UDFN (1.6x1.6)

Упаковка / Коробка

6-PowerUFDFN

FCH041N65F-F085

ON Semiconductor

Производитель

ON Semiconductor

Серия

Automotive, AEC-Q101, SuperFET® II

Тип полевого транзистора

N-Channel

Технология

MOSFET (Metal Oxide)

напряжение стока в источник (Vdss)

650V

ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C

76A (Tc)

напряжение привода (макс. значения включены, минимальные значения включены)

10V

Rds On (макс.) @ Id, Vgs

41mOhm @ 38A, 10V

Vgs (th) (Макс) @ Id

5V @ 250µA

Заряд затвора (Qg) (Макс) @ Vgs

304nC @ 10V

Vgs (макс.)

±20V

входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds

13566pF @ 25V

Функция FET

-

Рассеиваемая мощность (макс.)

595W (Tc)

рабочая температура

-55°C ~ 150°C (TJ)

Тип монтажа

Through Hole

Пакет устройства поставщика

TO-247-3

Упаковка / Коробка

TO-247-3

2N7002K-TP

Micro Commercial Co

Производитель

Micro Commercial Co

Серия

-

Тип полевого транзистора

N-Channel

Технология

MOSFET (Metal Oxide)

напряжение стока в источник (Vdss)

60V

ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C

340mA (Ta)

напряжение привода (макс. значения включены, минимальные значения включены)

4.5V, 10V

Rds On (макс.) @ Id, Vgs

5Ohm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (Макс) @ Id

1V @ 1mA

Заряд затвора (Qg) (Макс) @ Vgs

-

Vgs (макс.)

±20V

входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds

40pF @ 10V

Функция FET

-

Рассеиваемая мощность (макс.)

350mW (Ta)

рабочая температура

-55°C ~ 150°C (TJ)

Тип монтажа

Surface Mount

Пакет устройства поставщика

SOT-23

Упаковка / Коробка

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Certificates

Быстрый запрос

Добавить в корзину

Свяжитесь с нами

Нужна помощь?

Не стесняйтесь обращаться к нам, если у вас есть вопросы по RCD080N25TL.

Недавно продано

527R-01LF

527R-01LF

IDT, Integrated Device Technology

IC CLK SLICER ZDB CONFIG 28-SSOP

SC18IS600IBS,157

SC18IS600IBS,157

NXP

IC I2C BUS INTERFACE 24-HVQFN

BD677A

BD677A

STMicroelectronics

TRANS NPN DARL 60V 4A SOT-32

ASPIAIG-F7030-4R7M-T

ASPIAIG-F7030-4R7M-T

Abracon

FIXED IND 4.7UH 9A 26.7MOHM

VIPER100A

VIPER100A

STMicroelectronics

IC SWIT PWM SMPS CM PENTAWATT5

A42MX16-PQ160

A42MX16-PQ160

Microsemi

IC FPGA 125 I/O 160QFP

ATTINY816-MN

ATTINY816-MN

Microchip Technology

IC MCU 8BIT 8KB FLASH 20QFN

PIC18F6520-I/PT

PIC18F6520-I/PT

Microchip Technology

IC MCU 8BIT 32KB FLASH 64TQFP

T520D337M006ATE015

T520D337M006ATE015

KEMET

CAP TANT POLY 330UF 6.3V 2917

3224W-1-202E

3224W-1-202E

Bourns

TRIMMER 2K OHM 0.25W J LEAD TOP

CKP25202R2M-T

CKP25202R2M-T

Taiyo Yuden

FIXED IND 2.2UH 400MA 90 MOHM

MAX7360ETL+

MAX7360ETL+

Maxim Integrated

IC CTRLR KEY-SW I2C 40TQFN