+86-0755-83210135 ext. 203
sales@pneda.com
sa02@pneda.com
WeChat WeChat
3008774181
Отправить сообщение
На складе есть миллионы электронных компонентов. Цены и сроки выполнения заказа в течение 24 часов.

NTR4171PT1G

NTR4171PT1G NTR4171PT1G

Только для справки

Номер детали NTR4171PT1G
Номер детали PNEDA NTR4171PT1G
Производитель ON Semiconductor
Описание MOSFET P-CH 30V 2.2A SOT23
Цена за единицу
  • 1$ 0,0000
  • 100$ 0,0000
  • 500$ 0,0000
  • 1000$ 0,0000
  • 2500$ 0,0000
В наличии 600 276
Склады USA, Europe, China, Hong Kong SAR
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Доставка DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery
Ориентировочная доставка сен 26 - окт 1 (Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [PNEDA-Гарантия] *

NTR4171PT1G Ресурсы

Бренд ON Semiconductor
Производитель. номер частиNTR4171PT1G
КатегорияПолупроводникиТранзисторыТранзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-транзисторы - одиночные
Лист данных
NTR4171PT1G, NTR4171PT1G Таблица данных (Всего страниц: 6, Размер: 121,95 KB)
PDFNTR4171PT3G Таблица данных Обложка
NTR4171PT3G Таблица данных Страница 2 NTR4171PT3G Таблица данных Страница 3 NTR4171PT3G Таблица данных Страница 4 NTR4171PT3G Таблица данных Страница 5 NTR4171PT3G Таблица данных Страница 6

NTR4171PT1G Технические характеристики

ПроизводительON Semiconductor
Серия-
Тип полевого транзистораP-Channel
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
напряжение стока в источник (Vdss)30V
ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C2.2A (Ta)
напряжение привода (макс. значения включены, минимальные значения включены)2.5V, 10V
Rds On (макс.) @ Id, Vgs75mOhm @ 2.2A, 10V
Vgs (th) (Макс) @ Id1.4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс) @ Vgs15.6nC @ 10V
Vgs (макс.)±12V
входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds720pF @ 15V
Функция FET-
Рассеиваемая мощность (макс.)480mW (Ta)
рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажаSurface Mount
Пакет устройства поставщикаSOT-23-3 (TO-236)
Упаковка / КоробкаTO-236-3, SC-59, SOT-23-3

В PNEDA мы стремимся быть лидером отрасли, быстро и надежно поставляя высококачественные электронные компоненты нашим клиентам.

Наш подход основан на предоставлении нашим клиентам трех ключевых преимуществ:

  • Быстрое реагирование

    Наша команда быстро отвечает на ваши запросы и немедленно приступает к работе, чтобы найти ваши детали.

  • Гарантированное качество

    Наши процессы контроля качества защищают от подделки, обеспечивая надежность и производительность.

  • Глобальный доступ

    Наша всемирная сеть надежных ресурсов позволяет нам найти и доставить именно те детали, которые вам нужны.

Продукты, которые могут вас заинтересовать

NTBV45N06LT4G

ON Semiconductor

Производитель

ON Semiconductor

Серия

-

Тип полевого транзистора

N-Channel

Технология

MOSFET (Metal Oxide)

напряжение стока в источник (Vdss)

60V

ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C

45A (Ta)

напряжение привода (макс. значения включены, минимальные значения включены)

-

Rds On (макс.) @ Id, Vgs

28mOhm @ 22.5A, 5V

Vgs (th) (Макс) @ Id

2V @ 250µA

Заряд затвора (Qg) (Макс) @ Vgs

32nC @ 5V

Vgs (макс.)

-

входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds

1700pF @ 25V

Функция FET

-

Рассеиваемая мощность (макс.)

2.4W (Ta), 125W (Tj)

рабочая температура

-

Тип монтажа

Surface Mount

Пакет устройства поставщика

D2PAK

Упаковка / Коробка

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

STI6N95K5

STMicroelectronics

Производитель

STMicroelectronics

Серия

MDmesh™

Тип полевого транзистора

-

Технология

-

напряжение стока в источник (Vdss)

-

ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C

-

напряжение привода (макс. значения включены, минимальные значения включены)

-

Rds On (макс.) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Макс) @ Id

-

Заряд затвора (Qg) (Макс) @ Vgs

-

Vgs (макс.)

-

входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds

-

Функция FET

-

Рассеиваемая мощность (макс.)

-

рабочая температура

-

Тип монтажа

Through Hole

Пакет устройства поставщика

I2PAK (TO-262)

Упаковка / Коробка

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

ECH8420-TL-H

ON Semiconductor

Производитель

ON Semiconductor

Серия

-

Тип полевого транзистора

N-Channel

Технология

MOSFET (Metal Oxide)

напряжение стока в источник (Vdss)

20V

ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C

14A (Ta)

напряжение привода (макс. значения включены, минимальные значения включены)

1.8V, 4.5V

Rds On (макс.) @ Id, Vgs

6.8mOhm @ 7A, 4.5V

Vgs (th) (Макс) @ Id

-

Заряд затвора (Qg) (Макс) @ Vgs

29nC @ 4.5V

Vgs (макс.)

±12V

входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds

2430pF @ 10V

Функция FET

-

Рассеиваемая мощность (макс.)

1.6W (Ta)

рабочая температура

150°C (TJ)

Тип монтажа

Surface Mount

Пакет устройства поставщика

8-ECH

Упаковка / Коробка

8-SMD, Flat Lead

IRLR3715PBF

Infineon Technologies

Производитель

Infineon Technologies

Серия

HEXFET®

Тип полевого транзистора

N-Channel

Технология

MOSFET (Metal Oxide)

напряжение стока в источник (Vdss)

20V

ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C

54A (Tc)

напряжение привода (макс. значения включены, минимальные значения включены)

4.5V, 10V

Rds On (макс.) @ Id, Vgs

14mOhm @ 26A, 10V

Vgs (th) (Макс) @ Id

3V @ 250µA

Заряд затвора (Qg) (Макс) @ Vgs

17nC @ 4.5V

Vgs (макс.)

±20V

входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds

1060pF @ 10V

Функция FET

-

Рассеиваемая мощность (макс.)

3.8W (Ta), 71W (Tc)

рабочая температура

-55°C ~ 175°C (TJ)

Тип монтажа

Surface Mount

Пакет устройства поставщика

D-Pak

Упаковка / Коробка

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

SIR462DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

Производитель

Vishay Siliconix

Серия

TrenchFET®

Тип полевого транзистора

N-Channel

Технология

MOSFET (Metal Oxide)

напряжение стока в источник (Vdss)

30V

ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C

30A (Tc)

напряжение привода (макс. значения включены, минимальные значения включены)

4.5V, 10V

Rds On (макс.) @ Id, Vgs

7.9mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Макс) @ Id

3V @ 250µA

Заряд затвора (Qg) (Макс) @ Vgs

30nC @ 10V

Vgs (макс.)

±20V

входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds

1155pF @ 15V

Функция FET

-

Рассеиваемая мощность (макс.)

4.8W (Ta), 41.7W (Tc)

рабочая температура

-55°C ~ 150°C (TJ)

Тип монтажа

Surface Mount

Пакет устройства поставщика

PowerPAK® SO-8

Упаковка / Коробка

PowerPAK® SO-8

Certificates

Быстрый запрос

Добавить в корзину

Свяжитесь с нами

Нужна помощь?

Не стесняйтесь обращаться к нам, если у вас есть вопросы по NTR4171PT1G.

Недавно продано

IHLP2525CZERR47M01

IHLP2525CZERR47M01

Vishay Dale

FIXED IND 470NH 17.5A 4.2 MOHM

DS1225AD-150IND

DS1225AD-150IND

Maxim Integrated

IC NVSRAM 64K PARALLEL 28EDIP

ST72F321BAR9T6

ST72F321BAR9T6

STMicroelectronics

IC MCU 8BIT 60KB FLASH 64LQFP

WSL1206R0100FEA

WSL1206R0100FEA

Vishay Dale

RES 0.01 OHM 1% 1/4W 1206

DLP11SN900HL2L

DLP11SN900HL2L

Murata

CMC 150MA 2LN 90 OHM SMD

MC34063ABD

MC34063ABD

STMicroelectronics

IC REG BUCK BST ADJ 1.5A 8SO

MAX1953EUB+

MAX1953EUB+

Maxim Integrated

IC REG CTRLR BUCK 10UMAX

74HC32D,652

74HC32D,652

Nexperia

IC GATE OR 4CH 2-INP 14SO

S3A-13-F

S3A-13-F

Diodes Incorporated

DIODE GEN PURP 50V 3A SMC

APXK160ARA101MF61G

APXK160ARA101MF61G

United Chemi-Con

CAP ALUM POLY 100UF 20% 16V SMD

ADP191ACBZ-R7

ADP191ACBZ-R7

Analog Devices

IC CTLR HIGH LSIDE PWR SW 4WLCSP

ADM2587EBRWZ-REEL7

ADM2587EBRWZ-REEL7

Analog Devices

DGTL ISO RS422/RS485 20SOIC