+86-0755-83210135 ext. 203
sales@pneda.com
sa02@pneda.com
WeChat WeChat
3008774181
Отправить сообщение
На складе есть миллионы электронных компонентов. Цены и сроки выполнения заказа в течение 24 часов.

NTMS5835NLR2G

NTMS5835NLR2G

Только для справки

Номер детали NTMS5835NLR2G
Номер детали PNEDA NTMS5835NLR2G
Производитель ON Semiconductor
Описание MOSFET N-CH 40V 9.2A 8SOIC
Цена за единицу
  • 1$ 0,0000
  • 100$ 0,0000
  • 500$ 0,0000
  • 1000$ 0,0000
  • 2500$ 0,0000
В наличии 3 168
Склады USA, Europe, China, Hong Kong SAR
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Доставка DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery
Ориентировочная доставка окт 18 - окт 23 (Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [PNEDA-Гарантия] *

NTMS5835NLR2G Ресурсы

Бренд ON Semiconductor
Производитель. номер частиNTMS5835NLR2G
КатегорияПолупроводникиТранзисторыТранзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-транзисторы - одиночные
Лист данных
NTMS5835NLR2G, NTMS5835NLR2G Таблица данных (Всего страниц: 6, Размер: 109,87 KB)
PDFNTMS5835NLR2G Таблица данных Обложка
NTMS5835NLR2G Таблица данных Страница 2 NTMS5835NLR2G Таблица данных Страница 3 NTMS5835NLR2G Таблица данных Страница 4 NTMS5835NLR2G Таблица данных Страница 5 NTMS5835NLR2G Таблица данных Страница 6

NTMS5835NLR2G Технические характеристики

ПроизводительON Semiconductor
Серия-
Тип полевого транзистораN-Channel
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
напряжение стока в источник (Vdss)40V
ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C9.2A (Ta)
напряжение привода (макс. значения включены, минимальные значения включены)4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ Id, Vgs10mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Макс) @ Id3V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс) @ Vgs50nC @ 10V
Vgs (макс.)±20V
входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds2115pF @ 20V
Функция FET-
Рассеиваемая мощность (макс.)1.5W (Ta)
рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажаSurface Mount
Пакет устройства поставщика8-SOIC
Упаковка / Коробка8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

В PNEDA мы стремимся быть лидером отрасли, быстро и надежно поставляя высококачественные электронные компоненты нашим клиентам.

Наш подход основан на предоставлении нашим клиентам трех ключевых преимуществ:

  • Быстрое реагирование

    Наша команда быстро отвечает на ваши запросы и немедленно приступает к работе, чтобы найти ваши детали.

  • Гарантированное качество

    Наши процессы контроля качества защищают от подделки, обеспечивая надежность и производительность.

  • Глобальный доступ

    Наша всемирная сеть надежных ресурсов позволяет нам найти и доставить именно те детали, которые вам нужны.

Продукты, которые могут вас заинтересовать

IXTH44P15T

IXYS

Производитель

IXYS

Серия

TrenchP™

Тип полевого транзистора

P-Channel

Технология

MOSFET (Metal Oxide)

напряжение стока в источник (Vdss)

150V

ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C

44A (Tc)

напряжение привода (макс. значения включены, минимальные значения включены)

10V

Rds On (макс.) @ Id, Vgs

65mOhm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (Макс) @ Id

4V @ 250µA

Заряд затвора (Qg) (Макс) @ Vgs

175nC @ 10V

Vgs (макс.)

±15V

входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds

13400pF @ 25V

Функция FET

-

Рассеиваемая мощность (макс.)

298W (Tc)

рабочая температура

-55°C ~ 150°C (TJ)

Тип монтажа

Through Hole

Пакет устройства поставщика

TO-247 (IXTH)

Упаковка / Коробка

TO-247-3

FDZ201N

ON Semiconductor

Производитель

ON Semiconductor

Серия

PowerTrench®

Тип полевого транзистора

N-Channel

Технология

MOSFET (Metal Oxide)

напряжение стока в источник (Vdss)

20V

ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C

9A (Ta)

напряжение привода (макс. значения включены, минимальные значения включены)

2.5V, 4.5V

Rds On (макс.) @ Id, Vgs

18mOhm @ 9A, 4.5V

Vgs (th) (Макс) @ Id

1.5V @ 250µA

Заряд затвора (Qg) (Макс) @ Vgs

15nC @ 4.5V

Vgs (макс.)

±12V

входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds

1127pF @ 10V

Функция FET

-

Рассеиваемая мощность (макс.)

2W (Ta)

рабочая температура

-55°C ~ 150°C (TJ)

Тип монтажа

Surface Mount

Пакет устройства поставщика

12-BGA (2x2.5)

Упаковка / Коробка

12-WFBGA

IXFH60N60X

IXYS

Производитель

IXYS

Серия

HiPerFET™

Тип полевого транзистора

N-Channel

Технология

MOSFET (Metal Oxide)

напряжение стока в источник (Vdss)

600V

ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C

60A (Tc)

напряжение привода (макс. значения включены, минимальные значения включены)

10V

Rds On (макс.) @ Id, Vgs

55mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (Макс) @ Id

4.5V @ 8mA

Заряд затвора (Qg) (Макс) @ Vgs

143nC @ 10V

Vgs (макс.)

±30V

входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds

5800pF @ 25V

Функция FET

-

Рассеиваемая мощность (макс.)

890W (Tc)

рабочая температура

-55°C ~ 150°C (TJ)

Тип монтажа

Through Hole

Пакет устройства поставщика

TO-247

Упаковка / Коробка

TO-247-3

IRF7521D1

Infineon Technologies

Производитель

Infineon Technologies

Серия

FETKY™

Тип полевого транзистора

N-Channel

Технология

MOSFET (Metal Oxide)

напряжение стока в источник (Vdss)

20V

ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C

2.4A (Ta)

напряжение привода (макс. значения включены, минимальные значения включены)

2.7V, 4.5V

Rds On (макс.) @ Id, Vgs

135mOhm @ 1.7A, 4.5V

Vgs (th) (Макс) @ Id

700mV @ 250µA

Заряд затвора (Qg) (Макс) @ Vgs

8nC @ 4.5V

Vgs (макс.)

±12V

входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds

260pF @ 15V

Функция FET

Schottky Diode (Isolated)

Рассеиваемая мощность (макс.)

1.3W (Ta)

рабочая температура

-55°C ~ 150°C (TJ)

Тип монтажа

Surface Mount

Пакет устройства поставщика

Micro8™

Упаковка / Коробка

8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)

DMN2022UFDF-13

Diodes Incorporated

Производитель

Diodes Incorporated

Серия

-

Тип полевого транзистора

N-Channel

Технология

MOSFET (Metal Oxide)

напряжение стока в источник (Vdss)

20V

ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C

7.9A (Ta)

напряжение привода (макс. значения включены, минимальные значения включены)

1.5V, 4.5V

Rds On (макс.) @ Id, Vgs

22mOhm @ 4A, 4.5V

Vgs (th) (Макс) @ Id

1V @ 250µA

Заряд затвора (Qg) (Макс) @ Vgs

18nC @ 8V

Vgs (макс.)

±8V

входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds

907pF @ 10V

Функция FET

-

Рассеиваемая мощность (макс.)

660mW (Ta)

рабочая температура

-55°C ~ 150°C (TJ)

Тип монтажа

Surface Mount

Пакет устройства поставщика

U-DFN2020-6 (Type F)

Упаковка / Коробка

6-UDFN Exposed Pad

Certificates

Быстрый запрос

Добавить в корзину

Свяжитесь с нами

Нужна помощь?

Не стесняйтесь обращаться к нам, если у вас есть вопросы по NTMS5835NLR2G.

Недавно продано

ALS70A243DF063

ALS70A243DF063

KEMET

CAP ALUM 24000UF 20% 63V SCREW

HV9910BLG-G

HV9910BLG-G

Microchip Technology

IC LED DRIVER CTRLR DIM 8SOIC

AD9837BCPZ-RL

AD9837BCPZ-RL

Analog Devices

IC DDS 16MHZ 10BIT 10LFCSP

ADUM1100ARZ

ADUM1100ARZ

Analog Devices

DGTL ISO 2.5KV GEN PURP 8SOIC

74AC11MTCX

74AC11MTCX

ON Semiconductor

IC GATE AND 3CH 3-INP 14TSSOP

VRF150

VRF150

Microsemi

RF MOSFET N-CHANNEL 50V M174

PIC18F6527-I/PT

PIC18F6527-I/PT

Microchip Technology

IC MCU 8BIT 48KB FLASH 64TQFP

GRM43ER71A226KE01L

GRM43ER71A226KE01L

Murata

CAP CER 22UF 10V X7R 1812

CS4207-CNZ

CS4207-CNZ

Cirrus Logic Inc.

IC CODEC AUD HDPN AMP COMM 48QFN

IS25LP032D-JNLE-TR

IS25LP032D-JNLE-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IC FLASH 32M SPI 133MHZ 8SOP

MAX6315US31D3+T

MAX6315US31D3+T

Maxim Integrated

IC RESET CIRCUIT 3.08V SOT143-4

AT28C16-15PC

AT28C16-15PC

Microchip Technology

IC EEPROM 16K PARALLEL 24DIP