Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
На складе есть миллионы электронных компонентов. Цены и сроки выполнения заказа в течение 24 часов.

NTF2955T1G

NTF2955T1G NTF2955T1G

Только для справки

Номер детали NTF2955T1G
Номер детали PNEDA NTF2955T1G
Описание MOSFET P-CH 60V 1.7A SOT-223
Производитель ON Semiconductor
Цена за единицу Запросить цитату
В наличии 177 480
Склады Shipped from Hong Kong SAR
Ориентировочная доставка сен 29 - окт 4 (Выберите ускоренную доставку)
Guarantee До 1 года [PNEDA-Гарантия] *

NTF2955T1G Ресурсы

Бренд ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Производитель. номер частиNTF2955T1G
КатегорияПолупроводникиТранзисторыТранзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-транзисторы - одиночные
Лист данных
NTF2955T1G, NTF2955T1G Таблица данных (Всего страниц: 7, Размер: 125,73 KB)
PDFNVF2955PT1G Таблица данных Обложка
NVF2955PT1G Таблица данных Страница 2 NVF2955PT1G Таблица данных Страница 3 NVF2955PT1G Таблица данных Страница 4 NVF2955PT1G Таблица данных Страница 5 NVF2955PT1G Таблица данных Страница 6 NVF2955PT1G Таблица данных Страница 7

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

В PNEDA мы стремимся быть лидером отрасли, быстро и надежно поставляя высококачественные электронные компоненты нашим клиентам.

Наш подход основан на предоставлении нашим клиентам трех ключевых преимуществ:

  • Быстрое реагирование

    Наша команда быстро отвечает на ваши запросы и немедленно приступает к работе, чтобы найти ваши детали.

  • Гарантированное качество

    Наши процессы контроля качества защищают от подделки, обеспечивая надежность и производительность.

  • Глобальный доступ

    Наша всемирная сеть надежных ресурсов позволяет нам найти и доставить именно те детали, которые вам нужны.

Hot search vocabulary

  • NTF2955T1G Datasheet
  • where to find NTF2955T1G
  • ON Semiconductor

  • ON Semiconductor NTF2955T1G
  • NTF2955T1G PDF Datasheet
  • NTF2955T1G Stock

  • NTF2955T1G Pinout
  • Datasheet NTF2955T1G
  • NTF2955T1G Supplier

  • ON Semiconductor Distributor
  • NTF2955T1G Price
  • NTF2955T1G Distributor

NTF2955T1G Технические характеристики

ПроизводительON Semiconductor
Серия-
Тип полевого транзистораP-Channel
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
напряжение стока в источник (Vdss)60V
ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C1.7A (Ta)
напряжение привода (макс. значения включены, минимальные значения включены)10V
Rds On (макс.) @ Id, Vgs185mOhm @ 2.4A, 10V
Vgs (th) (Макс) @ Id4V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (Макс) @ Vgs14.3nC @ 10V
Vgs (макс.)±20V
входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds492pF @ 25V
Функция FET-
Рассеиваемая мощность (макс.)1W (Ta)
рабочая температура-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажаSurface Mount
Пакет устройства поставщикаSOT-223
Упаковка / КоробкаTO-261-4, TO-261AA

Продукты, которые могут вас заинтересовать

DMP25H18DLFDE-13

Diodes Incorporated

Производитель

Diodes Incorporated

Серия

-

Тип полевого транзистора

P-Channel

Технология

MOSFET (Metal Oxide)

напряжение стока в источник (Vdss)

250V

ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C

260mA (Ta)

напряжение привода (макс. значения включены, минимальные значения включены)

3.5V, 10V

Rds On (макс.) @ Id, Vgs

14Ohm @ 200mA, 10V

Vgs (th) (Макс) @ Id

2.5V @ 1mA

Заряд затвора (Qg) (Макс) @ Vgs

2.8nC @ 10V

Vgs (макс.)

±40V

входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds

81pF @ 25V

Функция FET

-

Рассеиваемая мощность (макс.)

600mW (Ta)

рабочая температура

-55°C ~ 150°C (TJ)

Тип монтажа

Surface Mount

Пакет устройства поставщика

U-DFN2020-6 (Type E)

Упаковка / Коробка

6-UDFN Exposed Pad

CPH6350-TL-W

ON Semiconductor

Производитель

ON Semiconductor

Серия

-

Тип полевого транзистора

P-Channel

Технология

MOSFET (Metal Oxide)

напряжение стока в источник (Vdss)

30V

ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C

6A (Ta)

напряжение привода (макс. значения включены, минимальные значения включены)

4V, 10V

Rds On (макс.) @ Id, Vgs

43mOhm @ 3A, 10V

Vgs (th) (Макс) @ Id

-

Заряд затвора (Qg) (Макс) @ Vgs

13nC @ 10V

Vgs (макс.)

±20V

входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds

600pF @ 10V

Функция FET

-

Рассеиваемая мощность (макс.)

1.6W (Ta)

рабочая температура

150°C (TJ)

Тип монтажа

Surface Mount

Пакет устройства поставщика

6-CPH

Упаковка / Коробка

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

FCH060N80-F155

ON Semiconductor

Производитель

ON Semiconductor

Серия

SuperFET® II

Тип полевого транзистора

N-Channel

Технология

MOSFET (Metal Oxide)

напряжение стока в источник (Vdss)

800V

ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C

56A (Tc)

напряжение привода (макс. значения включены, минимальные значения включены)

10V

Rds On (макс.) @ Id, Vgs

60mOhm @ 29A, 10V

Vgs (th) (Макс) @ Id

4.5V @ 5.8mA

Заряд затвора (Qg) (Макс) @ Vgs

350nC @ 10V

Vgs (макс.)

±20V

входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds

14685pF @ 100V

Функция FET

Super Junction

Рассеиваемая мощность (макс.)

500W (Tc)

рабочая температура

-55°C ~ 150°C (TJ)

Тип монтажа

Through Hole

Пакет устройства поставщика

TO-247 Long Leads

Упаковка / Коробка

TO-247-3

IRLMS6802TR

Infineon Technologies

Производитель

Infineon Technologies

Серия

HEXFET®

Тип полевого транзистора

P-Channel

Технология

MOSFET (Metal Oxide)

напряжение стока в источник (Vdss)

20V

ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C

5.6A (Ta)

напряжение привода (макс. значения включены, минимальные значения включены)

2.5V, 4.5V

Rds On (макс.) @ Id, Vgs

50mOhm @ 5.1A, 4.5V

Vgs (th) (Макс) @ Id

1.2V @ 250µA

Заряд затвора (Qg) (Макс) @ Vgs

16nC @ 5V

Vgs (макс.)

±12V

входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds

1079pF @ 10V

Функция FET

-

Рассеиваемая мощность (макс.)

2W (Ta)

рабочая температура

-55°C ~ 150°C (TJ)

Тип монтажа

Surface Mount

Пакет устройства поставщика

Micro6™(SOT23-6)

Упаковка / Коробка

SOT-23-6

IRFU1205PBF

Infineon Technologies

Производитель

Infineon Technologies

Серия

HEXFET®

Тип полевого транзистора

N-Channel

Технология

MOSFET (Metal Oxide)

напряжение стока в источник (Vdss)

55V

ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C

44A (Tc)

напряжение привода (макс. значения включены, минимальные значения включены)

10V

Rds On (макс.) @ Id, Vgs

27mOhm @ 26A, 10V

Vgs (th) (Макс) @ Id

4V @ 250µA

Заряд затвора (Qg) (Макс) @ Vgs

65nC @ 10V

Vgs (макс.)

±20V

входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds

1300pF @ 25V

Функция FET

-

Рассеиваемая мощность (макс.)

107W (Tc)

рабочая температура

-55°C ~ 175°C (TJ)

Тип монтажа

Through Hole

Пакет устройства поставщика

IPAK (TO-251)

Упаковка / Коробка

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Недавно продано

MT29F16G08ABACAWP-ITZ:C

MT29F16G08ABACAWP-ITZ:C

Micron Technology Inc.

IC FLASH 16G PARALLEL 48TSOP

ALT4532M-171-T001

ALT4532M-171-T001

TDK

XFRMR LAN 1CT:1CT 170UH

FT245RL-REEL

FT245RL-REEL

FTDI, Future Technology Devices International Ltd

IC USB TO PARALLEL FIFO 28-SSOP

LE75181BBSC

LE75181BBSC

Microchip Technology

IC LINE CARD LCAS 1CH 16SOIC

SMLVT3V3

SMLVT3V3

STMicroelectronics

TVS DIODE 3.3V 10.3V SMB

SF-1206F700-2

SF-1206F700-2

Bourns

FUSE BOARD MOUNT 7A 24VDC 1206

MB96F673ABPMC-GSE1

MB96F673ABPMC-GSE1

Cypress Semiconductor

IC MCU 16BIT 96KB FLASH 64LQFP

STM8S003F3P6

STM8S003F3P6

STMicroelectronics

IC MCU 8BIT 8KB FLASH 20TSSOP

MMBT2222ALT1G

MMBT2222ALT1G

ON Semiconductor

TRANS NPN 40V 0.6A SOT23

4610X-101-332LF

4610X-101-332LF

Bourns

RES ARRAY 9 RES 3.3K OHM 10SIP

LM833DT

LM833DT

STMicroelectronics

IC AUDIO 2 CIRCUIT 8SO

ADG506AKR

ADG506AKR

Analog Devices

IC MULTIPLEXER 16X1 28SOIC