+86-0755-83210135 ext. 203
sales@pneda.com
sa02@pneda.com
WeChat WeChat
3008774181
Отправить сообщение
На складе есть миллионы электронных компонентов. Цены и сроки выполнения заказа в течение 24 часов.

NDT454P

NDT454P NDT454P

Только для справки

Номер детали NDT454P
Номер детали PNEDA NDT454P
Производитель ON Semiconductor
Описание MOSFET P-CH 30V 5.9A SOT-223
Цена за единицу
  • 1$ 0,0000
  • 100$ 0,0000
  • 500$ 0,0000
  • 1000$ 0,0000
  • 2500$ 0,0000
В наличии 30 882
Склады USA, Europe, China, Hong Kong SAR
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Доставка DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery
Ориентировочная доставка окт 18 - окт 23 (Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [PNEDA-Гарантия] *

NDT454P Ресурсы

NDT454P Технические характеристики

ПроизводительON Semiconductor
Серия-
Тип полевого транзистораP-Channel
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
напряжение стока в источник (Vdss)30V
ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C5.9A (Ta)
напряжение привода (макс. значения включены, минимальные значения включены)4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ Id, Vgs50mOhm @ 5.9A, 10V
Vgs (th) (Макс) @ Id2.7V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс) @ Vgs40nC @ 10V
Vgs (макс.)±20V
входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds950pF @ 15V
Функция FET-
Рассеиваемая мощность (макс.)3W (Ta)
рабочая температура-65°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажаSurface Mount
Пакет устройства поставщикаSOT-223-4
Упаковка / КоробкаTO-261-4, TO-261AA

В PNEDA мы стремимся быть лидером отрасли, быстро и надежно поставляя высококачественные электронные компоненты нашим клиентам.

Наш подход основан на предоставлении нашим клиентам трех ключевых преимуществ:

  • Быстрое реагирование

    Наша команда быстро отвечает на ваши запросы и немедленно приступает к работе, чтобы найти ваши детали.

  • Гарантированное качество

    Наши процессы контроля качества защищают от подделки, обеспечивая надежность и производительность.

  • Глобальный доступ

    Наша всемирная сеть надежных ресурсов позволяет нам найти и доставить именно те детали, которые вам нужны.

Продукты, которые могут вас заинтересовать

FCH041N65EFLN4

ON Semiconductor

Производитель

ON Semiconductor

Серия

FRFET®, SuperFET® II

Тип полевого транзистора

N-Channel

Технология

MOSFET (Metal Oxide)

напряжение стока в источник (Vdss)

650V

ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C

76A (Tc)

напряжение привода (макс. значения включены, минимальные значения включены)

10V

Rds On (макс.) @ Id, Vgs

41mOhm @ 38A, 10V

Vgs (th) (Макс) @ Id

5V @ 7.6mA

Заряд затвора (Qg) (Макс) @ Vgs

298nC @ 10V

Vgs (макс.)

±20V

входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds

12560pF @ 100V

Функция FET

-

Рассеиваемая мощность (макс.)

595W (Tc)

рабочая температура

-55°C ~ 150°C (TJ)

Тип монтажа

Through Hole

Пакет устройства поставщика

TO-247-4

Упаковка / Коробка

TO-247-4

IRF710L

Vishay Siliconix

Производитель

Vishay Siliconix

Серия

-

Тип полевого транзистора

N-Channel

Технология

MOSFET (Metal Oxide)

напряжение стока в источник (Vdss)

400V

ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C

2A (Tc)

напряжение привода (макс. значения включены, минимальные значения включены)

10V

Rds On (макс.) @ Id, Vgs

3.6Ohm @ 1.2A, 10V

Vgs (th) (Макс) @ Id

4V @ 250µA

Заряд затвора (Qg) (Макс) @ Vgs

17nC @ 10V

Vgs (макс.)

±20V

входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds

170pF @ 25V

Функция FET

-

Рассеиваемая мощность (макс.)

-

рабочая температура

-55°C ~ 150°C (TJ)

Тип монтажа

Through Hole

Пакет устройства поставщика

I2PAK

Упаковка / Коробка

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

APTM50DAM17G

Microsemi

Производитель

Microsemi Corporation

Серия

-

Тип полевого транзистора

N-Channel

Технология

MOSFET (Metal Oxide)

напряжение стока в источник (Vdss)

500V

ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C

180A (Tc)

напряжение привода (макс. значения включены, минимальные значения включены)

10V

Rds On (макс.) @ Id, Vgs

20mOhm @ 90A, 10V

Vgs (th) (Макс) @ Id

5V @ 10mA

Заряд затвора (Qg) (Макс) @ Vgs

560nC @ 10V

Vgs (макс.)

±30V

входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds

28000pF @ 25V

Функция FET

-

Рассеиваемая мощность (макс.)

1250W (Tc)

рабочая температура

-40°C ~ 150°C (TJ)

Тип монтажа

Chassis Mount

Пакет устройства поставщика

SP6

Упаковка / Коробка

SP6

STL15N60M2-EP

STMicroelectronics

Производитель

STMicroelectronics

Серия

MDmesh™ M2-EP

Тип полевого транзистора

N-Channel

Технология

MOSFET (Metal Oxide)

напряжение стока в источник (Vdss)

600V

ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C

7A (Tc)

напряжение привода (макс. значения включены, минимальные значения включены)

10V

Rds On (макс.) @ Id, Vgs

418mOhm @ 4.5A, 10V

Vgs (th) (Макс) @ Id

4.75V @ 250µA

Заряд затвора (Qg) (Макс) @ Vgs

17nC @ 10V

Vgs (макс.)

±25V

входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds

590pF @ 100V

Функция FET

-

Рассеиваемая мощность (макс.)

55W (Tc)

рабочая температура

-55°C ~ 150°C (TJ)

Тип монтажа

Surface Mount

Пакет устройства поставщика

PowerFlat™ (5x6) HV

Упаковка / Коробка

8-PowerVDFN

NVTFS4C06NTWG

ON Semiconductor

Производитель

ON Semiconductor

Серия

-

Тип полевого транзистора

N-Channel

Технология

MOSFET (Metal Oxide)

напряжение стока в источник (Vdss)

30V

ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C

21A (Ta)

напряжение привода (макс. значения включены, минимальные значения включены)

4.5V, 10V

Rds On (макс.) @ Id, Vgs

4.2mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (Макс) @ Id

2.2V @ 250µA

Заряд затвора (Qg) (Макс) @ Vgs

26nC @ 10V

Vgs (макс.)

±20V

входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds

1683pF @ 15V

Функция FET

-

Рассеиваемая мощность (макс.)

3.1W (Ta), 37W (Tc)

рабочая температура

-55°C ~ 175°C (TJ)

Тип монтажа

Surface Mount

Пакет устройства поставщика

8-WDFN (3.3x3.3)

Упаковка / Коробка

8-PowerWDFN

Certificates

Быстрый запрос

Добавить в корзину

Свяжитесь с нами

Нужна помощь?

Не стесняйтесь обращаться к нам, если у вас есть вопросы по NDT454P.

Недавно продано

SP3010-04UTG

SP3010-04UTG

Littelfuse

TVS DIODE 6V 12.3V 10UDFN

MT25QU512ABB8ESF-0SIT

MT25QU512ABB8ESF-0SIT

Micron Technology Inc.

IC FLASH 512M SPI 133MHZ 16SOIC

MS561101BA03-50

MS561101BA03-50

TE Connectivity Measurement Specialties

BAROMETRIC PRESSURE SENSOR

IHLP2525CZERR33M01

IHLP2525CZERR33M01

Vishay Dale

FIXED IND 330NH 20A 3.9 MOHM SMD

MAX6315US31D3+T

MAX6315US31D3+T

Maxim Integrated

IC RESET CIRCUIT 3.08V SOT143-4

0467.750NR

0467.750NR

Littelfuse

FUSE BOARD MOUNT 750MA 32VAC/VDC

APXK160ARA101MF61G

APXK160ARA101MF61G

United Chemi-Con

CAP ALUM POLY 100UF 20% 16V SMD

BK/MDA-4-R

BK/MDA-4-R

Eaton - Electronics Division

FUSE CERAMIC 4A 250VAC 3AB 3AG

0451004.MR

0451004.MR

Littelfuse

FUSE BRD MNT 4A 125VAC/VDC 2SMD

74FCT3807SOGI

74FCT3807SOGI

IDT, Integrated Device Technology

IC CLK BUFFER 1:10 100MHZ 20SOIC

L7980TR

L7980TR

STMicroelectronics

IC REG BUCK ADJ 2A 8VFQFPN

LTC3642EMS8E-5#PBF

LTC3642EMS8E-5#PBF

Linear Technology/Analog Devices

IC REG BUCK 5V 50MA 8MSOP