Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
На складе есть миллионы электронных компонентов. Цены и сроки выполнения заказа в течение 24 часов.

IRLML6401TRPBF

IRLML6401TRPBF IRLML6401TRPBF

Только для справки

Номер детали IRLML6401TRPBF
Номер детали PNEDA IRLML6401TRPBF
Описание MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT-23
Производитель Infineon Technologies
Цена за единицу Запросить цитату
В наличии 1 835 610
Склады Shipped from Hong Kong SAR
Ориентировочная доставка сен 29 - окт 4 (Выберите ускоренную доставку)
Guarantee До 1 года [PNEDA-Гарантия] *

IRLML6401TRPBF Ресурсы

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

В PNEDA мы стремимся быть лидером отрасли, быстро и надежно поставляя высококачественные электронные компоненты нашим клиентам.

Наш подход основан на предоставлении нашим клиентам трех ключевых преимуществ:

  • Быстрое реагирование

    Наша команда быстро отвечает на ваши запросы и немедленно приступает к работе, чтобы найти ваши детали.

  • Гарантированное качество

    Наши процессы контроля качества защищают от подделки, обеспечивая надежность и производительность.

  • Глобальный доступ

    Наша всемирная сеть надежных ресурсов позволяет нам найти и доставить именно те детали, которые вам нужны.

Hot search vocabulary

  • IRLML6401TRPBF Datasheet
  • where to find IRLML6401TRPBF
  • Infineon Technologies

  • Infineon Technologies IRLML6401TRPBF
  • IRLML6401TRPBF PDF Datasheet
  • IRLML6401TRPBF Stock

  • IRLML6401TRPBF Pinout
  • Datasheet IRLML6401TRPBF
  • IRLML6401TRPBF Supplier

  • Infineon Technologies Distributor
  • IRLML6401TRPBF Price
  • IRLML6401TRPBF Distributor

IRLML6401TRPBF Технические характеристики

ПроизводительInfineon Technologies
СерияHEXFET®
Тип полевого транзистораP-Channel
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
напряжение стока в источник (Vdss)12V
ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C4.3A (Ta)
напряжение привода (макс. значения включены, минимальные значения включены)1.8V, 4.5V
Rds On (макс.) @ Id, Vgs50mOhm @ 4.3A, 4.5V
Vgs (th) (Макс) @ Id950mV @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс) @ Vgs15nC @ 5V
Vgs (макс.)±8V
входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds830pF @ 10V
Функция FET-
Рассеиваемая мощность (макс.)1.3W (Ta)
рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажаSurface Mount
Пакет устройства поставщикаMicro3™/SOT-23
Упаковка / КоробкаTO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Продукты, которые могут вас заинтересовать

IPP65R065C7XKSA1

Infineon Technologies

Производитель

Infineon Technologies

Серия

CoolMOS™ C7

Тип полевого транзистора

N-Channel

Технология

MOSFET (Metal Oxide)

напряжение стока в источник (Vdss)

650V

ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C

33A (Tc)

напряжение привода (макс. значения включены, минимальные значения включены)

10V

Rds On (макс.) @ Id, Vgs

65mOhm @ 17.1A, 10V

Vgs (th) (Макс) @ Id

4V @ 850µA

Заряд затвора (Qg) (Макс) @ Vgs

64nC @ 10V

Vgs (макс.)

±20V

входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds

3020pF @ 400V

Функция FET

-

Рассеиваемая мощность (макс.)

171W (Tc)

рабочая температура

-55°C ~ 150°C (TJ)

Тип монтажа

Through Hole

Пакет устройства поставщика

PG-TO220-3

Упаковка / Коробка

TO-220-3

IRLZ44STRR

Vishay Siliconix

Производитель

Vishay Siliconix

Серия

-

Тип полевого транзистора

N-Channel

Технология

MOSFET (Metal Oxide)

напряжение стока в источник (Vdss)

60V

ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C

50A (Tc)

напряжение привода (макс. значения включены, минимальные значения включены)

4V, 5V

Rds On (макс.) @ Id, Vgs

28mOhm @ 31A, 5V

Vgs (th) (Макс) @ Id

2V @ 250µA

Заряд затвора (Qg) (Макс) @ Vgs

66nC @ 5V

Vgs (макс.)

±10V

входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds

3300pF @ 25V

Функция FET

-

Рассеиваемая мощность (макс.)

3.7W (Ta), 150W (Tc)

рабочая температура

-55°C ~ 175°C (TJ)

Тип монтажа

Surface Mount

Пакет устройства поставщика

D2PAK

Упаковка / Коробка

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

SI1056X-T1-GE3

Vishay Siliconix

Производитель

Vishay Siliconix

Серия

TrenchFET®

Тип полевого транзистора

N-Channel

Технология

MOSFET (Metal Oxide)

напряжение стока в источник (Vdss)

20V

ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C

-

напряжение привода (макс. значения включены, минимальные значения включены)

1.8V, 4.5V

Rds On (макс.) @ Id, Vgs

89mOhm @ 1.32A, 4.5V

Vgs (th) (Макс) @ Id

950mV @ 250µA

Заряд затвора (Qg) (Макс) @ Vgs

8.7nC @ 5V

Vgs (макс.)

±8V

входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds

400pF @ 10V

Функция FET

-

Рассеиваемая мощность (макс.)

236mW (Ta)

рабочая температура

-55°C ~ 150°C (TJ)

Тип монтажа

Surface Mount

Пакет устройства поставщика

SC-89-6

Упаковка / Коробка

SOT-563, SOT-666

IRFZ46NL

Infineon Technologies

Производитель

Infineon Technologies

Серия

HEXFET®

Тип полевого транзистора

N-Channel

Технология

MOSFET (Metal Oxide)

напряжение стока в источник (Vdss)

55V

ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C

53A (Tc)

напряжение привода (макс. значения включены, минимальные значения включены)

10V

Rds On (макс.) @ Id, Vgs

16.5mOhm @ 28A, 10V

Vgs (th) (Макс) @ Id

4V @ 250µA

Заряд затвора (Qg) (Макс) @ Vgs

72nC @ 10V

Vgs (макс.)

±20V

входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds

1696pF @ 25V

Функция FET

-

Рассеиваемая мощность (макс.)

3.8W (Ta), 107W (Tc)

рабочая температура

-55°C ~ 175°C (TJ)

Тип монтажа

Through Hole

Пакет устройства поставщика

TO-262

Упаковка / Коробка

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

NVMFS5C456NLWFT1G

ON Semiconductor

Производитель

ON Semiconductor

Серия

-

Тип полевого транзистора

N-Channel

Технология

MOSFET (Metal Oxide)

напряжение стока в источник (Vdss)

40V

ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C

-

напряжение привода (макс. значения включены, минимальные значения включены)

4.5V, 10V

Rds On (макс.) @ Id, Vgs

3.7mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Макс) @ Id

2V @ 250µA

Заряд затвора (Qg) (Макс) @ Vgs

18nC @ 10V

Vgs (макс.)

±20V

входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds

1600pF @ 25V

Функция FET

-

Рассеиваемая мощность (макс.)

3.6W (Ta), 55W (Tc)

рабочая температура

-55°C ~ 175°C (TJ)

Тип монтажа

Surface Mount

Пакет устройства поставщика

5-DFN (5x6) (8-SOFL)

Упаковка / Коробка

8-PowerTDFN

Недавно продано

MT29F16G08ABACAWP-ITZ:C

MT29F16G08ABACAWP-ITZ:C

Micron Technology Inc.

IC FLASH 16G PARALLEL 48TSOP

ALT4532M-171-T001

ALT4532M-171-T001

TDK

XFRMR LAN 1CT:1CT 170UH

FT245RL-REEL

FT245RL-REEL

FTDI, Future Technology Devices International Ltd

IC USB TO PARALLEL FIFO 28-SSOP

LE75181BBSC

LE75181BBSC

Microchip Technology

IC LINE CARD LCAS 1CH 16SOIC

SMLVT3V3

SMLVT3V3

STMicroelectronics

TVS DIODE 3.3V 10.3V SMB

SF-1206F700-2

SF-1206F700-2

Bourns

FUSE BOARD MOUNT 7A 24VDC 1206

MB96F673ABPMC-GSE1

MB96F673ABPMC-GSE1

Cypress Semiconductor

IC MCU 16BIT 96KB FLASH 64LQFP

STM8S003F3P6

STM8S003F3P6

STMicroelectronics

IC MCU 8BIT 8KB FLASH 20TSSOP

MMBT2222ALT1G

MMBT2222ALT1G

ON Semiconductor

TRANS NPN 40V 0.6A SOT23

4610X-101-332LF

4610X-101-332LF

Bourns

RES ARRAY 9 RES 3.3K OHM 10SIP

LM833DT

LM833DT

STMicroelectronics

IC AUDIO 2 CIRCUIT 8SO

ADG506AKR

ADG506AKR

Analog Devices

IC MULTIPLEXER 16X1 28SOIC