IRL3705ZPBF
Только для справки
| Номер детали | IRL3705ZPBF |
| Номер детали PNEDA | IRL3705ZPBF |
| Производитель | Infineon Technologies |
| Описание | MOSFET N-CH 55V 75A TO-220AB |
| Цена за единицу |
|
| В наличии | 2 962 |
| Склады | USA, Europe, China, Hong Kong SAR |
| Оплата |  |
| Доставка |  |
| Ориентировочная доставка | мар 2 - мар 7 (Выберите ускоренную доставку) |
| Гарантия | До 1 года [PNEDA-Гарантия] * |
IRL3705ZPBF Ресурсы
| Бренд | Infineon Technologies |
| Производитель. номер части | IRL3705ZPBF |
| Категория | Полупроводники › Транзисторы › Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-транзисторы - одиночные |
IRL3705ZPBF Технические характеристики
| Производитель | Infineon Technologies |
| Серия | HEXFET® |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| напряжение стока в источник (Vdss) | 55V |
| ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C | 75A (Tc) |
| напряжение привода (макс. значения включены, минимальные значения включены) | 4.5V, 10V |
| Rds On (макс.) @ Id, Vgs | 8mOhm @ 52A, 10V |
| Vgs (th) (Макс) @ Id | 3V @ 250µA |
| Заряд затвора (Qg) (Макс) @ Vgs | 60nC @ 5V |
| Vgs (макс.) | ±16V |
| входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 2880pF @ 25V |
| Функция FET | - |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 130W (Tc) |
| рабочая температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Пакет устройства поставщика | TO-220AB |
| Упаковка / Коробка | TO-220-3 |
В PNEDA мы стремимся быть лидером отрасли, быстро и надежно поставляя высококачественные электронные компоненты нашим клиентам.
Наш подход основан на предоставлении нашим клиентам трех ключевых преимуществ:
Быстрое реагирование
Наша команда быстро отвечает на ваши запросы и немедленно приступает к работе, чтобы найти ваши детали.
Гарантированное качество
Наши процессы контроля качества защищают от подделки, обеспечивая надежность и производительность.
Глобальный доступ
Наша всемирная сеть надежных ресурсов позволяет нам найти и доставить именно те детали, которые вам нужны.
Продукты, которые могут вас заинтересовать
|
Производитель Infineon Technologies Серия OptiMOS™ Тип полевого транзистора N-Channel Технология MOSFET (Metal Oxide) напряжение стока в источник (Vdss) 55V ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C 19A (Tc) напряжение привода (макс. значения включены, минимальные значения включены) 4.5V, 10V Rds On (макс.) @ Id, Vgs 64mOhm @ 8A, 10V Vgs (th) (Макс) @ Id 2V @ 14µA Заряд затвора (Qg) (Макс) @ Vgs 13nC @ 10V Vgs (макс.) ±20V входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 445pF @ 25V Функция FET - Рассеиваемая мощность (макс.) 47W (Tc) рабочая температура -55°C ~ 175°C (TJ) Тип монтажа Surface Mount Пакет устройства поставщика P-TO252-3 Упаковка / Коробка TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Производитель Vishay Siliconix Серия - Тип полевого транзистора N-Channel Технология MOSFET (Metal Oxide) напряжение стока в источник (Vdss) 60V ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C 7.7A (Tc) напряжение привода (макс. значения включены, минимальные значения включены) 4V, 5V Rds On (макс.) @ Id, Vgs 200mOhm @ 4.6A, 5V Vgs (th) (Макс) @ Id 2V @ 250µA Заряд затвора (Qg) (Макс) @ Vgs 8.4nC @ 5V Vgs (макс.) ±10V входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 400pF @ 25V Функция FET - Рассеиваемая мощность (макс.) 2.5W (Ta), 25W (Tc) рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ) Тип монтажа Through Hole Пакет устройства поставщика TO-251AA Упаковка / Коробка TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Производитель Alpha & Omega Semiconductor Inc. Серия - Тип полевого транзистора P-Channel Технология MOSFET (Metal Oxide) напряжение стока в источник (Vdss) 30V ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C 10.5A (Ta) напряжение привода (макс. значения включены, минимальные значения включены) 5V, 20V Rds On (макс.) @ Id, Vgs 14mOhm @ 11A, 20V Vgs (th) (Макс) @ Id 3V @ 250µA Заряд затвора (Qg) (Макс) @ Vgs 24nC @ 10V Vgs (макс.) ±25V входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 1400pF @ 15V Функция FET - Рассеиваемая мощность (макс.) 3.1W (Ta) рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ) Тип монтажа Surface Mount Пакет устройства поставщика 8-SOIC Упаковка / Коробка 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Производитель Vishay Siliconix Серия - Тип полевого транзистора N-Channel Технология MOSFET (Metal Oxide) напряжение стока в источник (Vdss) 400V ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C 5.5A (Tc) напряжение привода (макс. значения включены, минимальные значения включены) 10V Rds On (макс.) @ Id, Vgs 1Ohm @ 3.3A, 10V Vgs (th) (Макс) @ Id 4V @ 250µA Заряд затвора (Qg) (Макс) @ Vgs 38nC @ 10V Vgs (макс.) ±20V входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 700pF @ 25V Функция FET - Рассеиваемая мощность (макс.) 3.1W (Ta), 74W (Tc) рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ) Тип монтажа Surface Mount Пакет устройства поставщика D2PAK Упаковка / Коробка TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Производитель Alpha & Omega Semiconductor Inc. Серия - Тип полевого транзистора P-Channel Технология MOSFET (Metal Oxide) напряжение стока в источник (Vdss) 30V ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C 12A (Ta) напряжение привода (макс. значения включены, минимальные значения включены) 10V Rds On (макс.) @ Id, Vgs 13mOhm @ 12A, 20V Vgs (th) (Макс) @ Id 2.8V @ 250µA Заряд затвора (Qg) (Макс) @ Vgs 36nC @ 10V Vgs (макс.) ±25V входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 2600pF @ 15V Функция FET - Рассеиваемая мощность (макс.) 3.1W (Ta) рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ) Тип монтажа Surface Mount Пакет устройства поставщика - Упаковка / Коробка - |
Быстрый запрос
Добавить в корзину
Свяжитесь с нами
Не стесняйтесь обращаться к нам, если у вас есть вопросы по IRL3705ZPBF.
- ЗВОНИТЕ НАМ
+86-755-83210135
- ЭЛ. АДРЕС
- скайп
- Сообщение
