+86-0775-83210135 x8221
sales@pneda.com
live:sa02_23
WeChat WeChat
3008774181
Отправить сообщение
На складе есть миллионы электронных компонентов. Цены и сроки выполнения заказа в течение 24 часов.

IRFR3708TRRPBF

IRFR3708TRRPBF

Только для справки

Номер детали IRFR3708TRRPBF
Номер детали PNEDA IRFR3708TRRPBF
Производитель Infineon Technologies
Описание MOSFET N-CH 30V 61A DPAK
Цена за единицу
  • 1$ 0,0000
  • 100$ 0,0000
  • 500$ 0,0000
  • 1000$ 0,0000
  • 2500$ 0,0000
В наличии 288
Склады USA, Europe, China, Hong Kong SAR
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Доставка DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery
Ориентировочная доставка мая 12 - мая 17 (Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [PNEDA-Гарантия] *

IRFR3708TRRPBF Ресурсы

IRFR3708TRRPBF Технические характеристики

ПроизводительInfineon Technologies
СерияHEXFET®
Тип полевого транзистораN-Channel
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
напряжение стока в источник (Vdss)30V
ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C61A (Tc)
напряжение привода (макс. значения включены, минимальные значения включены)2.8V, 10V
Rds On (макс.) @ Id, Vgs12.5mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Макс) @ Id2V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс) @ Vgs24nC @ 4.5V
Vgs (макс.)±12V
входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds2417pF @ 15V
Функция FET-
Рассеиваемая мощность (макс.)87W (Tc)
рабочая температура-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажаSurface Mount
Пакет устройства поставщикаD-Pak
Упаковка / КоробкаTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

В PNEDA мы стремимся быть лидером отрасли, быстро и надежно поставляя высококачественные электронные компоненты нашим клиентам.

Наш подход основан на предоставлении нашим клиентам трех ключевых преимуществ:

  • Быстрое реагирование

    Наша команда быстро отвечает на ваши запросы и немедленно приступает к работе, чтобы найти ваши детали.

  • Гарантированное качество

    Наши процессы контроля качества защищают от подделки, обеспечивая надежность и производительность.

  • Глобальный доступ

    Наша всемирная сеть надежных ресурсов позволяет нам найти и доставить именно те детали, которые вам нужны.

Продукты, которые могут вас заинтересовать

BSP125 E6327

Infineon Technologies

Производитель

Infineon Technologies

Серия

SIPMOS®

Тип полевого транзистора

N-Channel

Технология

MOSFET (Metal Oxide)

напряжение стока в источник (Vdss)

600V

ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C

120mA (Ta)

напряжение привода (макс. значения включены, минимальные значения включены)

4.5V, 10V

Rds On (макс.) @ Id, Vgs

45Ohm @ 120mA, 10V

Vgs (th) (Макс) @ Id

2.3V @ 94µA

Заряд затвора (Qg) (Макс) @ Vgs

6.6nC @ 10V

Vgs (макс.)

±20V

входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds

150pF @ 25V

Функция FET

-

Рассеиваемая мощность (макс.)

1.8W (Ta)

рабочая температура

-55°C ~ 150°C (TJ)

Тип монтажа

Surface Mount

Пакет устройства поставщика

PG-SOT223-4

Упаковка / Коробка

TO-261-4, TO-261AA

EFC6604R-A-TR

ON Semiconductor

Производитель

ON Semiconductor

Серия

-

Тип полевого транзистора

-

Технология

-

напряжение стока в источник (Vdss)

-

ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C

-

напряжение привода (макс. значения включены, минимальные значения включены)

-

Rds On (макс.) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Макс) @ Id

-

Заряд затвора (Qg) (Макс) @ Vgs

-

Vgs (макс.)

-

входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds

-

Функция FET

-

Рассеиваемая мощность (макс.)

-

рабочая температура

150°C (TJ)

Тип монтажа

Surface Mount

Пакет устройства поставщика

6-EFCP (1.9x1.46)

Упаковка / Коробка

6-XFBGA

SI4425BDY-T1-GE3

Vishay Siliconix

Производитель

Vishay Siliconix

Серия

TrenchFET®

Тип полевого транзистора

P-Channel

Технология

MOSFET (Metal Oxide)

напряжение стока в источник (Vdss)

30V

ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C

8.8A (Ta)

напряжение привода (макс. значения включены, минимальные значения включены)

4.5V, 10V

Rds On (макс.) @ Id, Vgs

12mOhm @ 11.4A, 10V

Vgs (th) (Макс) @ Id

3V @ 250µA

Заряд затвора (Qg) (Макс) @ Vgs

100nC @ 10V

Vgs (макс.)

±20V

входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds

-

Функция FET

-

Рассеиваемая мощность (макс.)

1.5W (Ta)

рабочая температура

-55°C ~ 150°C (TJ)

Тип монтажа

Surface Mount

Пакет устройства поставщика

8-SO

Упаковка / Коробка

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Производитель

NXP USA Inc.

Серия

TrenchMOS™

Тип полевого транзистора

N-Channel

Технология

MOSFET (Metal Oxide)

напряжение стока в источник (Vdss)

55V

ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C

13A (Tc)

напряжение привода (макс. значения включены, минимальные значения включены)

4.5V, 10V

Rds On (макс.) @ Id, Vgs

137mOhm @ 13A, 10V

Vgs (th) (Макс) @ Id

2V @ 1mA

Заряд затвора (Qg) (Макс) @ Vgs

-

Vgs (макс.)

±10V

входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds

339pF @ 25V

Функция FET

-

Рассеиваемая мощность (макс.)

53W (Tc)

рабочая температура

-55°C ~ 175°C (TJ)

Тип монтажа

Through Hole

Пакет устройства поставщика

TO-220AB

Упаковка / Коробка

TO-220-3

SPN03N60S5

Infineon Technologies

Производитель

Infineon Technologies

Серия

CoolMOS™

Тип полевого транзистора

N-Channel

Технология

MOSFET (Metal Oxide)

напряжение стока в источник (Vdss)

600V

ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C

700mA (Ta)

напряжение привода (макс. значения включены, минимальные значения включены)

10V

Rds On (макс.) @ Id, Vgs

1.4Ohm @ 2A, 10V

Vgs (th) (Макс) @ Id

5.5V @ 135µA

Заряд затвора (Qg) (Макс) @ Vgs

12.8nC @ 10V

Vgs (макс.)

±20V

входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds

440pF @ 25V

Функция FET

-

Рассеиваемая мощность (макс.)

1.8W (Ta)

рабочая температура

-55°C ~ 150°C (TJ)

Тип монтажа

Surface Mount

Пакет устройства поставщика

PG-SOT223-4

Упаковка / Коробка

TO-261-4, TO-261AA

Certificates

Быстрый запрос

Добавить в корзину

Свяжитесь с нами

Нужна помощь?

Не стесняйтесь обращаться к нам, если у вас есть вопросы по IRFR3708TRRPBF.

Недавно продано

ADUM1250ARZ

ADUM1250ARZ

Analog Devices

DGTL ISO 2.5KV 2CH I2C 8SOIC

BC807-16,215

BC807-16,215

Nexperia

TRANS PNP 45V 0.5A SOT23

AD7305BRZ

AD7305BRZ

Analog Devices

IC DAC 8BIT V-OUT 20SOIC

AD826AR

AD826AR

Analog Devices

IC OPAMP VFB 2 CIRCUIT 8SOIC

SMBJ16A

SMBJ16A

Taiwan Semiconductor Corporation

TVS DIODE 16V 26V DO214AA

LTM8046MPY#PBF

LTM8046MPY#PBF

Linear Technology/Analog Devices

DC DC CONVERTER 1.8-12V

S29GL256P11FFIV10

S29GL256P11FFIV10

Cypress Semiconductor

IC FLASH 256M PARALLEL 64FBGA

KA7810AETU

KA7810AETU

ON Semiconductor

IC REG LINEAR 10V 1A TO220-3

ATSAMD21G18A-AUT

ATSAMD21G18A-AUT

Microchip Technology

IC MCU 32BIT 256KB FLASH 48TQFP

LT8610ABHMSE#TRPBF

LT8610ABHMSE#TRPBF

Linear Technology/Analog Devices

IC REG BUCK ADJ 3.5A 16MSOP

MAX3232ESE+T

MAX3232ESE+T

Maxim Integrated

IC TRANSCEIVER FULL 2/2 16SO

CNY17-4X007

CNY17-4X007

Vishay Semiconductor Opto Division

OPTOISO 5KV TRANS W/BASE 6SMD