+86-755-83210135
sales@pneda.com
sales@pneda.com
2192172632
Отправить сообщение
На складе есть миллионы электронных компонентов. Цены и сроки выполнения заказа в течение 24 часов.

IRFHM792TRPBF

IRFHM792TRPBF IRFHM792TRPBF

Только для справки

Номер детали IRFHM792TRPBF
Номер детали PNEDA IRFHM792TRPBF
Производитель Infineon Technologies
Описание MOSFET 2N-CH 100V 2.3A 8PQFN
Цена за единицу
  • 1$ 0,0000
  • 100$ 0,0000
  • 500$ 0,0000
  • 1000$ 0,0000
  • 2500$ 0,0000
В наличии 300
Склады USA, Europe, China, Hong Kong SAR
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Доставка DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery
Ориентировочная доставка янв 28 - фев 2 (Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [PNEDA-Гарантия] *

IRFHM792TRPBF Ресурсы

IRFHM792TRPBF Технические характеристики

ПроизводительInfineon Technologies
СерияHEXFET®
Тип полевого транзистора2 N-Channel (Dual)
Функция FETStandard
напряжение стока в источник (Vdss)100V
ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C2.3A
Rds On (макс.) @ Id, Vgs195mOhm @ 2.9A, 10V
Vgs (th) (Макс) @ Id4V @ 10µA
Заряд затвора (Qg) (Макс) @ Vgs6.3nC @ 10V
входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds251pF @ 25V
мощность - макс.2.3W
рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажаSurface Mount
Упаковка / Коробка8-PowerVDFN
Пакет устройства поставщика8-PQFN (3.3x3.3), Power33

В PNEDA мы стремимся быть лидером отрасли, быстро и надежно поставляя высококачественные электронные компоненты нашим клиентам.

Наш подход основан на предоставлении нашим клиентам трех ключевых преимуществ:

  • Быстрое реагирование

    Наша команда быстро отвечает на ваши запросы и немедленно приступает к работе, чтобы найти ваши детали.

  • Гарантированное качество

    Наши процессы контроля качества защищают от подделки, обеспечивая надежность и производительность.

  • Глобальный доступ

    Наша всемирная сеть надежных ресурсов позволяет нам найти и доставить именно те детали, которые вам нужны.

Продукты, которые могут вас заинтересовать

EMH2407-S-TL-HX

ON Semiconductor

Производитель

ON Semiconductor

Серия

-

Тип полевого транзистора

-

Функция FET

-

напряжение стока в источник (Vdss)

-

ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C

-

Rds On (макс.) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Макс) @ Id

-

Заряд затвора (Qg) (Макс) @ Vgs

-

входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds

-

мощность - макс.

-

рабочая температура

-

Тип монтажа

Surface Mount

Упаковка / Коробка

8-SMD, Flat Lead

Пакет устройства поставщика

8-EMH

PMGD290UCEAX

Nexperia

Производитель

Nexperia USA Inc.

Серия

-

Тип полевого транзистора

N and P-Channel

Функция FET

Logic Level Gate

напряжение стока в источник (Vdss)

20V

ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C

725mA, 500mA

Rds On (макс.) @ Id, Vgs

380mOhm @ 500mA, 4.5V

Vgs (th) (Макс) @ Id

1.3V @ 250µA

Заряд затвора (Qg) (Макс) @ Vgs

0.68nC @ 4.5V

входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds

83pF @ 10V

мощность - макс.

280mW

рабочая температура

-55°C ~ 150°C (TJ)

Тип монтажа

Surface Mount

Упаковка / Коробка

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Пакет устройства поставщика

6-TSSOP

SI6993DQ-T1-E3

Vishay Siliconix

Производитель

Vishay Siliconix

Серия

TrenchFET®

Тип полевого транзистора

2 P-Channel (Dual)

Функция FET

Logic Level Gate

напряжение стока в источник (Vdss)

30V

ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C

3.6A

Rds On (макс.) @ Id, Vgs

31mOhm @ 4.7A, 10V

Vgs (th) (Макс) @ Id

3V @ 250µA

Заряд затвора (Qg) (Макс) @ Vgs

20nC @ 4.5V

входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds

-

мощность - макс.

830mW

рабочая температура

-55°C ~ 150°C (TJ)

Тип монтажа

Surface Mount

Упаковка / Коробка

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

Пакет устройства поставщика

8-TSSOP

BUK7K6R8-40E,115

Nexperia

Производитель

Nexperia USA Inc.

Серия

Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™

Тип полевого транзистора

2 N-Channel (Dual)

Функция FET

Standard

напряжение стока в источник (Vdss)

40V

ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C

40A

Rds On (макс.) @ Id, Vgs

6.8mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Макс) @ Id

4V @ 1mA

Заряд затвора (Qg) (Макс) @ Vgs

28.9nC @ 10V

входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds

1947pF @ 25V

мощность - макс.

64W

рабочая температура

-55°C ~ 175°C (TJ)

Тип монтажа

Surface Mount

Упаковка / Коробка

SOT-1205, 8-LFPAK56

Пакет устройства поставщика

LFPAK56D

IRF9910

Infineon Technologies

Производитель

Infineon Technologies

Серия

HEXFET®

Тип полевого транзистора

2 N-Channel (Dual)

Функция FET

Logic Level Gate

напряжение стока в источник (Vdss)

20V

ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C

10A, 12A

Rds On (макс.) @ Id, Vgs

13.4mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Макс) @ Id

2.55V @ 250µA

Заряд затвора (Qg) (Макс) @ Vgs

11nC @ 4.5V

входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds

900pF @ 10V

мощность - макс.

2W

рабочая температура

-55°C ~ 150°C (TJ)

Тип монтажа

Surface Mount

Упаковка / Коробка

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Пакет устройства поставщика

8-SO

Certificates

Быстрый запрос

Добавить в корзину

Свяжитесь с нами

Нужна помощь?

Не стесняйтесь обращаться к нам, если у вас есть вопросы по IRFHM792TRPBF.

Недавно продано

0251007.NRT1L

0251007.NRT1L

Littelfuse

FUSE BRD MNT 7A 125VAC/VDC AXIAL

IS43TR16128D-125KBLI

IS43TR16128D-125KBLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

2G 1.5V DDR3 128MX16 1600MT 96 B

IPS5451S

IPS5451S

Infineon Technologies

IC MOSFET HS PWR SW 35A D2PAK

XC6222B281MR-G

XC6222B281MR-G

Torex Semiconductor Ltd

IC REG LINEAR 2.8V 700MA SOT25

ULN2003ADR2G

ULN2003ADR2G

ON Semiconductor

IC PWR RELAY 7NPN 1:1 16SO

OP295GSZ-REEL

OP295GSZ-REEL

Analog Devices

IC OPAMP GP 2 CIRCUIT 8SOIC

AS5047D-ATSM

AS5047D-ATSM

ams

ROTARY ENCODER MAGNETIC PROG

7443551131

7443551131

Wurth Electronics

FIXED IND 13UH 10A 11.2 MOHM SMD

USB4604-1080HN

USB4604-1080HN

Microchip Technology

IC USB HUB/FLASH CTLR 48QFN

T520D337M006ATE015

T520D337M006ATE015

KEMET

CAP TANT POLY 330UF 6.3V 2917

MIC2026-1YM

MIC2026-1YM

Microchip Technology

IC PW DIST SW DUAL 8SOIC

ATMEGA32A-AU

ATMEGA32A-AU

Microchip Technology

IC MCU 8BIT 32KB FLASH 44TQFP