+86-0755-83210135 ext. 203
sales@pneda.com
sa02@pneda.com
WeChat WeChat
3008774181
Отправить сообщение
На складе есть миллионы электронных компонентов. Цены и сроки выполнения заказа в течение 24 часов.

IRFB13N50APBF

IRFB13N50APBF

Только для справки

Номер детали IRFB13N50APBF
Номер детали PNEDA IRFB13N50APBF
Производитель Vishay Siliconix
Описание MOSFET N-CH 500V 14A TO-220AB
Цена за единицу
  • 1$ 0,0000
  • 100$ 0,0000
  • 500$ 0,0000
  • 1000$ 0,0000
  • 2500$ 0,0000
В наличии 16 962
Склады USA, Europe, China, Hong Kong SAR
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Доставка DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery
Ориентировочная доставка ноя 30 - дек 5 (Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [PNEDA-Гарантия] *

IRFB13N50APBF Ресурсы

Бренд Vishay Siliconix
Производитель. номер частиIRFB13N50APBF
КатегорияПолупроводникиТранзисторыТранзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-транзисторы - одиночные
Лист данных
IRFB13N50APBF, IRFB13N50APBF Таблица данных (Всего страниц: 10, Размер: 293,47 KB)
PDFIRFB13N50A Таблица данных Обложка
IRFB13N50A Таблица данных Страница 2 IRFB13N50A Таблица данных Страница 3 IRFB13N50A Таблица данных Страница 4 IRFB13N50A Таблица данных Страница 5 IRFB13N50A Таблица данных Страница 6 IRFB13N50A Таблица данных Страница 7 IRFB13N50A Таблица данных Страница 8 IRFB13N50A Таблица данных Страница 9 IRFB13N50A Таблица данных Страница 10

IRFB13N50APBF Технические характеристики

ПроизводительVishay Siliconix
Серия-
Тип полевого транзистораN-Channel
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
напряжение стока в источник (Vdss)500V
ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C14A (Tc)
напряжение привода (макс. значения включены, минимальные значения включены)10V
Rds On (макс.) @ Id, Vgs450mOhm @ 8.4A, 10V
Vgs (th) (Макс) @ Id4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс) @ Vgs81nC @ 10V
Vgs (макс.)±30V
входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds1910pF @ 25V
Функция FET-
Рассеиваемая мощность (макс.)250W (Tc)
рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажаThrough Hole
Пакет устройства поставщикаTO-220AB
Упаковка / КоробкаTO-220-3

В PNEDA мы стремимся быть лидером отрасли, быстро и надежно поставляя высококачественные электронные компоненты нашим клиентам.

Наш подход основан на предоставлении нашим клиентам трех ключевых преимуществ:

  • Быстрое реагирование

    Наша команда быстро отвечает на ваши запросы и немедленно приступает к работе, чтобы найти ваши детали.

  • Гарантированное качество

    Наши процессы контроля качества защищают от подделки, обеспечивая надежность и производительность.

  • Глобальный доступ

    Наша всемирная сеть надежных ресурсов позволяет нам найти и доставить именно те детали, которые вам нужны.

Продукты, которые могут вас заинтересовать

NTMFS5C430NLT1G

ON Semiconductor

Производитель

ON Semiconductor

Серия

-

Тип полевого транзистора

N-Channel

Технология

MOSFET (Metal Oxide)

напряжение стока в источник (Vdss)

40V

ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C

-

напряжение привода (макс. значения включены, минимальные значения включены)

4.5V, 10V

Rds On (макс.) @ Id, Vgs

1.5mOhm @ 50A, 10V

Vgs (th) (Макс) @ Id

2V @ 250µA

Заряд затвора (Qg) (Макс) @ Vgs

70nC @ 10V

Vgs (макс.)

±20V

входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds

4300pF @ 20V

Функция FET

-

Рассеиваемая мощность (макс.)

3.8W (Ta), 110W (Tc)

рабочая температура

-55°C ~ 175°C (TJ)

Тип монтажа

Surface Mount

Пакет устройства поставщика

5-DFN (5x6) (8-SOFL)

Упаковка / Коробка

8-PowerTDFN

STW45N60DM6

STMicroelectronics

Производитель

STMicroelectronics

Серия

MDmesh™ DM6

Тип полевого транзистора

N-Channel

Технология

MOSFET (Metal Oxide)

напряжение стока в источник (Vdss)

600V

ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C

30A (Tc)

напряжение привода (макс. значения включены, минимальные значения включены)

10V

Rds On (макс.) @ Id, Vgs

99mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (Макс) @ Id

4.75V @ 250µA

Заряд затвора (Qg) (Макс) @ Vgs

44nC @ 10V

Vgs (макс.)

±25V

входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds

1920pF @ 100V

Функция FET

-

Рассеиваемая мощность (макс.)

210W (Tc)

рабочая температура

-55°C ~ 150°C (TJ)

Тип монтажа

Through Hole

Пакет устройства поставщика

TO-247

Упаковка / Коробка

TO-247-3

IPB080N06N G

Infineon Technologies

Производитель

Infineon Technologies

Серия

OptiMOS™

Тип полевого транзистора

N-Channel

Технология

MOSFET (Metal Oxide)

напряжение стока в источник (Vdss)

60V

ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C

80A (Tc)

напряжение привода (макс. значения включены, минимальные значения включены)

10V

Rds On (макс.) @ Id, Vgs

7.7mOhm @ 80A, 10V

Vgs (th) (Макс) @ Id

4V @ 150µA

Заряд затвора (Qg) (Макс) @ Vgs

93nC @ 10V

Vgs (макс.)

±20V

входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds

3500pF @ 30V

Функция FET

-

Рассеиваемая мощность (макс.)

214W (Tc)

рабочая температура

-55°C ~ 175°C (TJ)

Тип монтажа

Surface Mount

Пакет устройства поставщика

PG-TO263-3-2

Упаковка / Коробка

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

IRFB7430PBF

Infineon Technologies

Производитель

Infineon Technologies

Серия

HEXFET®, StrongIRFET™

Тип полевого транзистора

N-Channel

Технология

MOSFET (Metal Oxide)

напряжение стока в источник (Vdss)

40V

ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C

195A (Tc)

напряжение привода (макс. значения включены, минимальные значения включены)

6V, 10V

Rds On (макс.) @ Id, Vgs

1.3mOhm @ 100A, 10V

Vgs (th) (Макс) @ Id

3.9V @ 250µA

Заряд затвора (Qg) (Макс) @ Vgs

460nC @ 10V

Vgs (макс.)

±20V

входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds

14240pF @ 25V

Функция FET

-

Рассеиваемая мощность (макс.)

375W (Tc)

рабочая температура

-55°C ~ 175°C (TJ)

Тип монтажа

Through Hole

Пакет устройства поставщика

TO-220AB

Упаковка / Коробка

TO-220-3

SIHW23N60E-GE3

Vishay Siliconix

Производитель

Vishay Siliconix

Серия

-

Тип полевого транзистора

N-Channel

Технология

MOSFET (Metal Oxide)

напряжение стока в источник (Vdss)

600V

ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C

23A (Tc)

напряжение привода (макс. значения включены, минимальные значения включены)

10V

Rds On (макс.) @ Id, Vgs

158mOhm @ 12A, 10V

Vgs (th) (Макс) @ Id

4V @ 250µA

Заряд затвора (Qg) (Макс) @ Vgs

95nC @ 10V

Vgs (макс.)

±20V

входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds

2418pF @ 100V

Функция FET

-

Рассеиваемая мощность (макс.)

227W (Tc)

рабочая температура

-55°C ~ 150°C (TJ)

Тип монтажа

Through Hole

Пакет устройства поставщика

TO-247AD

Упаковка / Коробка

TO-247-3

Certificates

Быстрый запрос

Добавить в корзину

Свяжитесь с нами

Нужна помощь?

Не стесняйтесь обращаться к нам, если у вас есть вопросы по IRFB13N50APBF.

Недавно продано

MT29F8G16ABACAWP:C

MT29F8G16ABACAWP:C

Micron Technology Inc.

IC FLASH 8G PARALLEL 48TSOP I

CM453232-3R3KL

CM453232-3R3KL

Bourns

FIXED IND 3.3UH 355MA 800 MOHM

FT4232HL-REEL

FT4232HL-REEL

FTDI, Future Technology Devices International Ltd

IC USB HS QUAD UART/SYNC 64-LQFP

AC0603FR-0710RL

AC0603FR-0710RL

Yageo

RES SMD 10 OHM 1% 1/10W 0603

AXH016A0X3-SRZ

AXH016A0X3-SRZ

ABB Embedded Power

DC DC CONVERTER 0.8-3.6V 58W

LTC2802IDE#TRPBF

LTC2802IDE#TRPBF

Linear Technology/Analog Devices

IC TRANSCEIVER HALF 1/1 12DFN

TPSD107K010R0100

TPSD107K010R0100

AVX

CAP TANT 100UF 10% 10V 2917

AS5047P-ATSM

AS5047P-ATSM

ams

ROTARY ENCODER MAGNETIC PROG

LM2901DR2G

LM2901DR2G

ON Semiconductor

IC COMP QUAD SGL SUPPLY 14SOIC

MAX17043G+T

MAX17043G+T

Maxim Integrated

IC 2-WIRE FG MODEL GAUGE LO BATT

M28W160CT70N6E

M28W160CT70N6E

Micron Technology Inc.

IC FLASH 16M PARALLEL 48TSOP

DHRB34C102M2FB

DHRB34C102M2FB

Murata

CAP CER 1000PF 15KV RADIAL