HUF75344P3


Только для справки
Номер детали | HUF75344P3 |
Номер детали PNEDA | HUF75344P3 |
Описание | MOSFET N-CH 55V 75A TO-220AB |
Производитель | ON Semiconductor |
Цена за единицу | Запросить цитату |
В наличии | 13 440 |
Склады | Shipped from Hong Kong SAR |
Ориентировочная доставка | авг 17 - авг 22 (Выберите ускоренную доставку) |
Guarantee | До 1 года [PNEDA-Гарантия] * |
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
HUF75344P3 Ресурсы
Бренд | ON Semiconductor |
ECAD Module |
![]() |
Производитель. номер части | HUF75344P3 |
Категория | Полупроводники › Транзисторы › Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-транзисторы - одиночные |
Лист данных |
Payment Method






- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode





- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
В PNEDA мы стремимся быть лидером отрасли, быстро и надежно поставляя высококачественные электронные компоненты нашим клиентам.
Наш подход основан на предоставлении нашим клиентам трех ключевых преимуществ:
Быстрое реагирование
Наша команда быстро отвечает на ваши запросы и немедленно приступает к работе, чтобы найти ваши детали.
Гарантированное качество
Наши процессы контроля качества защищают от подделки, обеспечивая надежность и производительность.
Глобальный доступ
Наша всемирная сеть надежных ресурсов позволяет нам найти и доставить именно те детали, которые вам нужны.
Hot search vocabulary
- HUF75344P3 Datasheet
- where to find HUF75344P3
- ON Semiconductor
- ON Semiconductor HUF75344P3
- HUF75344P3 PDF Datasheet
- HUF75344P3 Stock
- HUF75344P3 Pinout
- Datasheet HUF75344P3
- HUF75344P3 Supplier
- ON Semiconductor Distributor
- HUF75344P3 Price
- HUF75344P3 Distributor
HUF75344P3 Технические характеристики
Производитель | ON Semiconductor |
Серия | UltraFET™ |
Тип полевого транзистора | N-Channel |
Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
напряжение стока в источник (Vdss) | 55V |
ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C | 75A (Tc) |
напряжение привода (макс. значения включены, минимальные значения включены) | 10V |
Rds On (макс.) @ Id, Vgs | 8mOhm @ 75A, 10V |
Vgs (th) (Макс) @ Id | 4V @ 250µA |
Заряд затвора (Qg) (Макс) @ Vgs | 210nC @ 20V |
Vgs (макс.) | ±20V |
входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 3200pF @ 25V |
Функция FET | - |
Рассеиваемая мощность (макс.) | 285W (Tc) |
рабочая температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Тип монтажа | Through Hole |
Пакет устройства поставщика | TO-220-3 |
Упаковка / Коробка | TO-220-3 |
Продукты, которые могут вас заинтересовать
Производитель IXYS Серия HiPerFET™ Тип полевого транзистора N-Channel Технология MOSFET (Metal Oxide) напряжение стока в источник (Vdss) 85V ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C 80A (Tc) напряжение привода (макс. значения включены, минимальные значения включены) 10V Rds On (макс.) @ Id, Vgs 11mOhm @ 40A, 10V Vgs (th) (Макс) @ Id 4V @ 4mA Заряд затвора (Qg) (Макс) @ Vgs 180nC @ 10V Vgs (макс.) ±20V входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 4800pF @ 25V Функция FET - Рассеиваемая мощность (макс.) 230W (Tc) рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ) Тип монтажа Through Hole Пакет устройства поставщика ISOPLUS220™ Упаковка / Коробка ISOPLUS220™ |
Производитель ON Semiconductor Серия FRFET® Тип полевого транзистора N-Channel Технология MOSFET (Metal Oxide) напряжение стока в источник (Vdss) 500V ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C 10A (Tc) напряжение привода (макс. значения включены, минимальные значения включены) 10V Rds On (макс.) @ Id, Vgs 800mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (Макс) @ Id 5V @ 250µA Заряд затвора (Qg) (Макс) @ Vgs 30nC @ 10V Vgs (макс.) ±30V входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 1395pF @ 25V Функция FET - Рассеиваемая мощность (макс.) 42W (Tc) рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ) Тип монтажа Through Hole Пакет устройства поставщика TO-220F Упаковка / Коробка TO-220-3 Full Pack |
Производитель IXYS Серия - Тип полевого транзистора N-Channel Технология MOSFET (Metal Oxide) напряжение стока в источник (Vdss) 500V ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C 21A (Tc) напряжение привода (макс. значения включены, минимальные значения включены) 10V Rds On (макс.) @ Id, Vgs 220mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Макс) @ Id 4.5V @ 250µA Заряд затвора (Qg) (Макс) @ Vgs 95nC @ 10V Vgs (макс.) ±20V входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds - Функция FET - Рассеиваемая мощность (макс.) - рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ) Тип монтажа Through Hole Пакет устройства поставщика ISOPLUS i4-PAC™ Упаковка / Коробка i4-Pac™-5 |
Производитель ON Semiconductor Серия - Тип полевого транзистора N-Channel Технология MOSFET (Metal Oxide) напряжение стока в источник (Vdss) 100V ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C 26A (Ta) напряжение привода (макс. значения включены, минимальные значения включены) 4V, 10V Rds On (макс.) @ Id, Vgs 60mOhm @ 13A, 10V Vgs (th) (Макс) @ Id - Заряд затвора (Qg) (Макс) @ Vgs 44nC @ 10V Vgs (макс.) ±20V входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 2150pF @ 20V Функция FET - Рассеиваемая мощность (макс.) 1.65W (Ta), 50W (Tc) рабочая температура 150°C (TJ) Тип монтажа Surface Mount Пакет устройства поставщика TO-263-2 Упаковка / Коробка TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Производитель Infineon Technologies Серия HEXFET® Тип полевого транзистора N-Channel Технология MOSFET (Metal Oxide) напряжение стока в источник (Vdss) 100V ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C 42A (Tc) напряжение привода (макс. значения включены, минимальные значения включены) 4.5V, 10V Rds On (макс.) @ Id, Vgs 14mOhm @ 38A, 10V Vgs (th) (Макс) @ Id 2.5V @ 100µA Заряд затвора (Qg) (Макс) @ Vgs 48nC @ 4.5V Vgs (макс.) ±16V входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 3980pF @ 25V Функция FET - Рассеиваемая мощность (макс.) 140W (Tc) рабочая температура -55°C ~ 175°C (TJ) Тип монтажа Surface Mount Пакет устройства поставщика D-Pak Упаковка / Коробка TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |