+86-755-83210135
sales@pneda.com
sales@pneda.com
2192172632
Отправить сообщение
На складе есть миллионы электронных компонентов. Цены и сроки выполнения заказа в течение 24 часов.

FDS4435

FDS4435

Только для справки

Номер детали FDS4435
Номер детали PNEDA FDS4435
Производитель ON Semiconductor
Описание MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-SOIC
Цена за единицу
  • 1$ 0,0000
  • 100$ 0,0000
  • 500$ 0,0000
  • 1000$ 0,0000
  • 2500$ 0,0000
В наличии 360
Склады USA, Europe, China, Hong Kong SAR
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Доставка DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery
Ориентировочная доставка мар 2 - мар 7 (Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [PNEDA-Гарантия] *

FDS4435 Ресурсы

Бренд ON Semiconductor
Производитель. номер частиFDS4435
КатегорияПолупроводникиТранзисторыТранзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-транзисторы - одиночные
Лист данных
FDS4435, FDS4435 Таблица данных (Всего страниц: 5, Размер: 64,33 KB)
PDFFDS4435 Таблица данных Обложка
FDS4435 Таблица данных Страница 2 FDS4435 Таблица данных Страница 3 FDS4435 Таблица данных Страница 4 FDS4435 Таблица данных Страница 5

FDS4435 Технические характеристики

ПроизводительON Semiconductor
СерияPowerTrench®
Тип полевого транзистораP-Channel
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
напряжение стока в источник (Vdss)30V
ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C8.8A (Ta)
напряжение привода (макс. значения включены, минимальные значения включены)4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ Id, Vgs20mOhm @ 8.8A, 10V
Vgs (th) (Макс) @ Id3V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс) @ Vgs24nC @ 5V
Vgs (макс.)±25V
входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds1604pF @ 15V
Функция FET-
Рассеиваемая мощность (макс.)2.5W (Ta)
рабочая температура-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажаSurface Mount
Пакет устройства поставщика8-SOIC
Упаковка / Коробка8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

В PNEDA мы стремимся быть лидером отрасли, быстро и надежно поставляя высококачественные электронные компоненты нашим клиентам.

Наш подход основан на предоставлении нашим клиентам трех ключевых преимуществ:

  • Быстрое реагирование

    Наша команда быстро отвечает на ваши запросы и немедленно приступает к работе, чтобы найти ваши детали.

  • Гарантированное качество

    Наши процессы контроля качества защищают от подделки, обеспечивая надежность и производительность.

  • Глобальный доступ

    Наша всемирная сеть надежных ресурсов позволяет нам найти и доставить именно те детали, которые вам нужны.

Продукты, которые могут вас заинтересовать

Производитель

NXP USA Inc.

Серия

-

Тип полевого транзистора

N-Channel

Технология

MOSFET (Metal Oxide)

напряжение стока в источник (Vdss)

20V

ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C

6A (Ta)

напряжение привода (макс. значения включены, минимальные значения включены)

1.8V, 4.5V

Rds On (макс.) @ Id, Vgs

27mOhm @ 6A, 4.5V

Vgs (th) (Макс) @ Id

1V @ 250µA

Заряд затвора (Qg) (Макс) @ Vgs

10nC @ 4.5V

Vgs (макс.)

±8V

входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds

470pF @ 10V

Функция FET

-

Рассеиваемая мощность (макс.)

530mW (Ta), 6.25W (Tc)

рабочая температура

-55°C ~ 150°C (TJ)

Тип монтажа

Surface Mount

Пакет устройства поставщика

6-TSOP

Упаковка / Коробка

SC-74, SOT-457

Производитель

IXYS

Серия

HiPerFET™, Polar3™

Тип полевого транзистора

N-Channel

Технология

MOSFET (Metal Oxide)

напряжение стока в источник (Vdss)

500V

ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C

14A (Tc)

напряжение привода (макс. значения включены, минимальные значения включены)

10V

Rds On (макс.) @ Id, Vgs

265mOhm @ 13A, 10V

Vgs (th) (Макс) @ Id

5V @ 4mA

Заряд затвора (Qg) (Макс) @ Vgs

42nC @ 10V

Vgs (макс.)

±30V

входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds

2220pF @ 25V

Функция FET

-

Рассеиваемая мощность (макс.)

180W (Tc)

рабочая температура

-55°C ~ 150°C (TJ)

Тип монтажа

Through Hole

Пакет устройства поставщика

TO-247

Упаковка / Коробка

TO-247-3

R5009ANJTL

Rohm Semiconductor

Производитель

Rohm Semiconductor

Серия

-

Тип полевого транзистора

N-Channel

Технология

MOSFET (Metal Oxide)

напряжение стока в источник (Vdss)

500V

ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C

9A (Ta)

напряжение привода (макс. значения включены, минимальные значения включены)

10V

Rds On (макс.) @ Id, Vgs

720mOhm @ 4.5A, 10V

Vgs (th) (Макс) @ Id

4.5V @ 1mA

Заряд затвора (Qg) (Макс) @ Vgs

21nC @ 10V

Vgs (макс.)

±30V

входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds

650pF @ 25V

Функция FET

-

Рассеиваемая мощность (макс.)

50W (Tc)

рабочая температура

150°C (TJ)

Тип монтажа

Surface Mount

Пакет устройства поставщика

LPTS

Упаковка / Коробка

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

IXTQ52N30P

IXYS

Производитель

IXYS

Серия

PolarHT™

Тип полевого транзистора

N-Channel

Технология

MOSFET (Metal Oxide)

напряжение стока в источник (Vdss)

300V

ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C

52A (Tc)

напряжение привода (макс. значения включены, минимальные значения включены)

10V

Rds On (макс.) @ Id, Vgs

66mOhm @ 26A, 10V

Vgs (th) (Макс) @ Id

5V @ 250µA

Заряд затвора (Qg) (Макс) @ Vgs

110nC @ 10V

Vgs (макс.)

±20V

входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds

3490pF @ 25V

Функция FET

-

Рассеиваемая мощность (макс.)

400W (Tc)

рабочая температура

-55°C ~ 150°C (TJ)

Тип монтажа

Through Hole

Пакет устройства поставщика

TO-3P

Упаковка / Коробка

TO-3P-3, SC-65-3

ZXMP6A13GTA

Diodes Incorporated

Производитель

Diodes Incorporated

Серия

-

Тип полевого транзистора

P-Channel

Технология

MOSFET (Metal Oxide)

напряжение стока в источник (Vdss)

60V

ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C

1.7A (Ta)

напряжение привода (макс. значения включены, минимальные значения включены)

4.5V, 10V

Rds On (макс.) @ Id, Vgs

390mOhm @ 900mA, 10V

Vgs (th) (Макс) @ Id

1V @ 250µA

Заряд затвора (Qg) (Макс) @ Vgs

5.9nC @ 10V

Vgs (макс.)

±20V

входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds

219pF @ 30V

Функция FET

-

Рассеиваемая мощность (макс.)

2W (Ta)

рабочая температура

-55°C ~ 150°C (TJ)

Тип монтажа

Surface Mount

Пакет устройства поставщика

SOT-223

Упаковка / Коробка

TO-261-4, TO-261AA

Certificates

Быстрый запрос

Добавить в корзину

Свяжитесь с нами

Нужна помощь?

Не стесняйтесь обращаться к нам, если у вас есть вопросы по FDS4435.

Недавно продано

TDA2822M

TDA2822M

STMicroelectronics

IC AMP AUDIO DUAL LOW VOLT 8MDIP

NRVBS3200T3G

NRVBS3200T3G

ON Semiconductor

DIODE SCHOTTKY 200V 3A SMB

NC7SZ373P6X

NC7SZ373P6X

ON Semiconductor

IC LATCH UHS D 3-STATE SC70-6

23LC1024-I/SN

23LC1024-I/SN

Microchip Technology

IC SRAM 1M SPI 20MHZ 8SOIC

DAN217UMTL

DAN217UMTL

Rohm Semiconductor

DIODE ARRAY GP 80V 100MA UMD3F

AD5934YRSZ

AD5934YRSZ

Analog Devices

IC DDS 16.776MHZ 12BIT 16SSOP

PCF8566T/1,118

PCF8566T/1,118

NXP

IC LCD DVR UNVRSL LOW-MUX 40VSOP

MMBT3904-7-F

MMBT3904-7-F

Diodes Incorporated

TRANS NPN 40V 0.2A SMD SOT23-3

SSC9522S

SSC9522S

Sanken

IC CTLR QUASI RES AC/DC 8SOP

ELXY500ETC560MF15D

ELXY500ETC560MF15D

United Chemi-Con

CAP ALUM 56UF 20% 50V RADIAL

MT25QL128ABA1EW9-0SIT

MT25QL128ABA1EW9-0SIT

Micron Technology Inc.

IC FLASH 128M SPI 133MHZ 8WPDFN

S25FL032P0XMFI001

S25FL032P0XMFI001

Cypress Semiconductor

IC FLASH 32M SPI 104MHZ 16SOIC