86-755-83210135
sales@pneda.com
Ben@pneda.com
WeChat WeChat
2881496244
Отправить сообщение
На складе есть миллионы электронных компонентов. Цены и сроки выполнения заказа в течение 24 часов.

BSS138-7-F

BSS138-7-F BSS138-7-F

Только для справки

Номер детали BSS138-7-F
Номер детали PNEDA BSS138-7-F
Производитель Diodes Incorporated
Описание MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
Цена за единицу
  • 1$ 0,0000
  • 100$ 0,0000
  • 500$ 0,0000
  • 1000$ 0,0000
  • 2500$ 0,0000
В наличии 11 288 610
Склады USA, Europe, China, Hong Kong SAR
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Доставка DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery
Ориентировочная доставка мая 30 - июн 4 (Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [PNEDA-Гарантия] *

BSS138-7-F Ресурсы

Бренд Diodes Incorporated
Производитель. номер частиBSS138-7-F
КатегорияПолупроводникиТранзисторыТранзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-транзисторы - одиночные
Лист данных
BSS138-7-F, BSS138-7-F Таблица данных (Всего страниц: 5, Размер: 381,79 KB)
PDFBSS138Q-7-F Таблица данных Обложка
BSS138Q-7-F Таблица данных Страница 2 BSS138Q-7-F Таблица данных Страница 3 BSS138Q-7-F Таблица данных Страница 4 BSS138Q-7-F Таблица данных Страница 5

BSS138-7-F Технические характеристики

ПроизводительDiodes Incorporated
Серия-
Тип полевого транзистораN-Channel
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
напряжение стока в источник (Vdss)50V
ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C200mA (Ta)
напряжение привода (макс. значения включены, минимальные значения включены)10V
Rds On (макс.) @ Id, Vgs3.5Ohm @ 220mA, 10V
Vgs (th) (Макс) @ Id1.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс) @ Vgs-
Vgs (макс.)±20V
входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds50pF @ 10V
Функция FET-
Рассеиваемая мощность (макс.)300mW (Ta)
рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажаSurface Mount
Пакет устройства поставщикаSOT-23-3
Упаковка / КоробкаTO-236-3, SC-59, SOT-23-3

В PNEDA мы стремимся быть лидером отрасли, быстро и надежно поставляя высококачественные электронные компоненты нашим клиентам.

Наш подход основан на предоставлении нашим клиентам трех ключевых преимуществ:

  • Быстрое реагирование

    Наша команда быстро отвечает на ваши запросы и немедленно приступает к работе, чтобы найти ваши детали.

  • Гарантированное качество

    Наши процессы контроля качества защищают от подделки, обеспечивая надежность и производительность.

  • Глобальный доступ

    Наша всемирная сеть надежных ресурсов позволяет нам найти и доставить именно те детали, которые вам нужны.

Продукты, которые могут вас заинтересовать

IRLU8203PBF

Infineon Technologies

Производитель

Infineon Technologies

Серия

HEXFET®

Тип полевого транзистора

N-Channel

Технология

MOSFET (Metal Oxide)

напряжение стока в источник (Vdss)

30V

ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C

110A (Tc)

напряжение привода (макс. значения включены, минимальные значения включены)

4.5V, 10V

Rds On (макс.) @ Id, Vgs

6.8mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (Макс) @ Id

3V @ 250µA

Заряд затвора (Qg) (Макс) @ Vgs

50nC @ 4.5V

Vgs (макс.)

±20V

входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds

2430pF @ 15V

Функция FET

-

Рассеиваемая мощность (макс.)

140W (Tc)

рабочая температура

-55°C ~ 175°C (TJ)

Тип монтажа

Through Hole

Пакет устройства поставщика

I-PAK

Упаковка / Коробка

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

IRFS644B_FP001

ON Semiconductor

Производитель

ON Semiconductor

Серия

-

Тип полевого транзистора

N-Channel

Технология

MOSFET (Metal Oxide)

напряжение стока в источник (Vdss)

250V

ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C

14A (Tc)

напряжение привода (макс. значения включены, минимальные значения включены)

10V

Rds On (макс.) @ Id, Vgs

280mOhm @ 7A, 10V

Vgs (th) (Макс) @ Id

4V @ 250µA

Заряд затвора (Qg) (Макс) @ Vgs

60nC @ 10V

Vgs (макс.)

±30V

входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds

1600pF @ 25V

Функция FET

-

Рассеиваемая мощность (макс.)

43W (Tc)

рабочая температура

-55°C ~ 150°C (TJ)

Тип монтажа

Through Hole

Пакет устройства поставщика

TO-220F

Упаковка / Коробка

TO-220-3 Full Pack

FCP22N60N-F102

ON Semiconductor

Производитель

ON Semiconductor

Серия

-

Тип полевого транзистора

N-Channel

Технология

MOSFET (Metal Oxide)

напряжение стока в источник (Vdss)

600V

ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C

22A (Tc)

напряжение привода (макс. значения включены, минимальные значения включены)

10V

Rds On (макс.) @ Id, Vgs

165mOhm @ 11A, 10V

Vgs (th) (Макс) @ Id

4V @ 250µA

Заряд затвора (Qg) (Макс) @ Vgs

45nC @ 10V

Vgs (макс.)

±45V

входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds

1950pF @ 100V

Функция FET

-

Рассеиваемая мощность (макс.)

205W (Tc)

рабочая температура

-55°C ~ 150°C (TJ)

Тип монтажа

Through Hole

Пакет устройства поставщика

TO-220-3

Упаковка / Коробка

TO-220-3

2N7002WKX-13

Diodes Incorporated

Производитель

Diodes Incorporated

Серия

Automotive, AEC-Q101

Тип полевого транзистора

N-Channel

Технология

MOSFET (Metal Oxide)

напряжение стока в источник (Vdss)

60V

ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C

115mA (Ta)

напряжение привода (макс. значения включены, минимальные значения включены)

5V, 10V

Rds On (макс.) @ Id, Vgs

7.5Ohm @ 50mA, 5V

Vgs (th) (Макс) @ Id

2V @ 250µA

Заряд затвора (Qg) (Макс) @ Vgs

-

Vgs (макс.)

±20V

входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds

50pF @ 25V

Функция FET

-

Рассеиваемая мощность (макс.)

200mW (Ta)

рабочая температура

-55°C ~ 150°C (TJ)

Тип монтажа

Surface Mount

Пакет устройства поставщика

SOT-323

Упаковка / Коробка

SC-70, SOT-323

NTP75N03-006

ON Semiconductor

Производитель

ON Semiconductor

Серия

-

Тип полевого транзистора

N-Channel

Технология

MOSFET (Metal Oxide)

напряжение стока в источник (Vdss)

30V

ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C

75A (Tc)

напряжение привода (макс. значения включены, минимальные значения включены)

10V

Rds On (макс.) @ Id, Vgs

6.5mOhm @ 37.5A, 10V

Vgs (th) (Макс) @ Id

2V @ 250µA

Заряд затвора (Qg) (Макс) @ Vgs

75nC @ 5V

Vgs (макс.)

±20V

входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds

5635pF @ 25V

Функция FET

-

Рассеиваемая мощность (макс.)

2.5W (Ta), 125W (Tc)

рабочая температура

-55°C ~ 150°C (TJ)

Тип монтажа

Through Hole

Пакет устройства поставщика

TO-220AB

Упаковка / Коробка

TO-220-3

Certificates

Быстрый запрос

Добавить в корзину

Свяжитесь с нами

Нужна помощь?

Не стесняйтесь обращаться к нам, если у вас есть вопросы по BSS138-7-F.

Недавно продано

MC33174DR2G

MC33174DR2G

ON Semiconductor

IC OPAMP GP 4 CIRCUIT 14SOIC

IR2110STRPBF

IR2110STRPBF

Infineon Technologies

IC DRIVER HIGH/LOW SIDE 16SOIC

LV8548MC-AH

LV8548MC-AH

ON Semiconductor

IC MOTOR DRIVER PAR MFP10S

ADP3330ARTZ-5-RL7

ADP3330ARTZ-5-RL7

Analog Devices

IC REG LINEAR 5V 200MA SOT23-6

LTC4365IDDB#TRMPBF

LTC4365IDDB#TRMPBF

Linear Technology/Analog Devices

IC OVERVOLTAGE PROTECT 8-DFN

MC33074DR2G

MC33074DR2G

ON Semiconductor

IC OPAMP GP 4 CIRCUIT 14SOIC

STGW45HF60WDI

STGW45HF60WDI

STMicroelectronics

IGBT 600V 70A 250W TO247

LTC6813ILWE-1#3ZZPBF

LTC6813ILWE-1#3ZZPBF

Linear Technology/Analog Devices

18 CHANNEL MULTICELL BATTERY STA

NFE31PT220R1E9L

NFE31PT220R1E9L

Murata

FILTER LC(T) 22PF SMD

BTB06-600SWRG

BTB06-600SWRG

STMicroelectronics

TRIAC SENS GATE 600V 6A TO220AB

1.5KE200CA

1.5KE200CA

STMicroelectronics

TVS DIODE 171V 353V DO201

LPS0800H1000JB

LPS0800H1000JB

Vishay Sfernice

RES CHAS MNT 100 OHM 5% 800W