+86-0755-83210135
sales@pneda.com
sa12@pneda.com
WeChat WeChat
3008774181
Отправить сообщение
На складе есть миллионы электронных компонентов. Цены и сроки выполнения заказа в течение 24 часов.

2N7002LT1G

2N7002LT1G 2N7002LT1G

Только для справки

Номер детали 2N7002LT1G
Номер детали PNEDA 2N7002LT1G
Производитель ON Semiconductor
Описание MOSFET N-CH 60V 0.115A SOT-23
Цена за единицу
  • 1$ 0,0000
  • 100$ 0,0000
  • 500$ 0,0000
  • 1000$ 0,0000
  • 2500$ 0,0000
В наличии 13 917 288
Склады USA, Europe, China, Hong Kong SAR
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Доставка DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery
Ориентировочная доставка авг 4 - авг 9 (Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [PNEDA-Гарантия] *

2N7002LT1G Ресурсы

Бренд ON Semiconductor
Производитель. номер части2N7002LT1G
КатегорияПолупроводникиТранзисторыТранзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-транзисторы - одиночные
Лист данных
2N7002LT1G, 2N7002LT1G Таблица данных (Всего страниц: 5, Размер: 263,62 KB)
PDF2N7002LT1H Таблица данных Обложка
2N7002LT1H Таблица данных Страница 2 2N7002LT1H Таблица данных Страница 3 2N7002LT1H Таблица данных Страница 4 2N7002LT1H Таблица данных Страница 5

2N7002LT1G Технические характеристики

ПроизводительON Semiconductor
Серия-
Тип полевого транзистораN-Channel
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
напряжение стока в источник (Vdss)60V
ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C115mA (Tc)
напряжение привода (макс. значения включены, минимальные значения включены)5V, 10V
Rds On (макс.) @ Id, Vgs7.5Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Макс) @ Id2.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс) @ Vgs-
Vgs (макс.)±20V
входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds50pF @ 25V
Функция FET-
Рассеиваемая мощность (макс.)225mW (Ta)
рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажаSurface Mount
Пакет устройства поставщикаSOT-23-3 (TO-236)
Упаковка / КоробкаTO-236-3, SC-59, SOT-23-3

В PNEDA мы стремимся быть лидером отрасли, быстро и надежно поставляя высококачественные электронные компоненты нашим клиентам.

Наш подход основан на предоставлении нашим клиентам трех ключевых преимуществ:

  • Быстрое реагирование

    Наша команда быстро отвечает на ваши запросы и немедленно приступает к работе, чтобы найти ваши детали.

  • Гарантированное качество

    Наши процессы контроля качества защищают от подделки, обеспечивая надежность и производительность.

  • Глобальный доступ

    Наша всемирная сеть надежных ресурсов позволяет нам найти и доставить именно те детали, которые вам нужны.

Продукты, которые могут вас заинтересовать

3LN01M-TL-E

ON Semiconductor

Производитель

ON Semiconductor

Серия

-

Тип полевого транзистора

N-Channel

Технология

MOSFET (Metal Oxide)

напряжение стока в источник (Vdss)

30V

ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C

150mA (Ta)

напряжение привода (макс. значения включены, минимальные значения включены)

1.5V, 4V

Rds On (макс.) @ Id, Vgs

3.7Ohm @ 80mA, 4V

Vgs (th) (Макс) @ Id

1.3V @ 100µA

Заряд затвора (Qg) (Макс) @ Vgs

1.58nC @ 10V

Vgs (макс.)

±10V

входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds

7pF @ 10V

Функция FET

-

Рассеиваемая мощность (макс.)

150mW (Ta)

рабочая температура

150°C (TJ)

Тип монтажа

Surface Mount

Пакет устройства поставщика

SC-70/MCPH3

Упаковка / Коробка

SC-70, SOT-323

STP8NM60D

STMicroelectronics

Производитель

STMicroelectronics

Серия

MDmesh™

Тип полевого транзистора

N-Channel

Технология

MOSFET (Metal Oxide)

напряжение стока в источник (Vdss)

600V

ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C

8A (Tc)

напряжение привода (макс. значения включены, минимальные значения включены)

10V

Rds On (макс.) @ Id, Vgs

1Ohm @ 2.5A, 10V

Vgs (th) (Макс) @ Id

5V @ 250µA

Заряд затвора (Qg) (Макс) @ Vgs

18nC @ 10V

Vgs (макс.)

±30V

входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds

380pF @ 25V

Функция FET

-

Рассеиваемая мощность (макс.)

100W (Tc)

рабочая температура

-65°C ~ 150°C (TJ)

Тип монтажа

Through Hole

Пакет устройства поставщика

TO-220AB

Упаковка / Коробка

TO-220-3

IRFB3307

Infineon Technologies

Производитель

Infineon Technologies

Серия

HEXFET®

Тип полевого транзистора

N-Channel

Технология

MOSFET (Metal Oxide)

напряжение стока в источник (Vdss)

75V

ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C

130A (Tc)

напряжение привода (макс. значения включены, минимальные значения включены)

10V

Rds On (макс.) @ Id, Vgs

6.3mOhm @ 75A, 10V

Vgs (th) (Макс) @ Id

4V @ 150µA

Заряд затвора (Qg) (Макс) @ Vgs

180nC @ 10V

Vgs (макс.)

±20V

входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds

5150pF @ 50V

Функция FET

-

Рассеиваемая мощность (макс.)

250W (Tc)

рабочая температура

-55°C ~ 175°C (TJ)

Тип монтажа

Through Hole

Пакет устройства поставщика

TO-220AB

Упаковка / Коробка

TO-220-3

FDG316P

ON Semiconductor

Производитель

ON Semiconductor

Серия

PowerTrench®

Тип полевого транзистора

P-Channel

Технология

MOSFET (Metal Oxide)

напряжение стока в источник (Vdss)

30V

ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C

1.6A (Ta)

напряжение привода (макс. значения включены, минимальные значения включены)

4.5V, 10V

Rds On (макс.) @ Id, Vgs

190mOhm @ 1.6A, 10V

Vgs (th) (Макс) @ Id

3V @ 250µA

Заряд затвора (Qg) (Макс) @ Vgs

5nC @ 10V

Vgs (макс.)

±20V

входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds

165pF @ 15V

Функция FET

-

Рассеиваемая мощность (макс.)

750mW (Ta)

рабочая температура

-55°C ~ 150°C (TJ)

Тип монтажа

Surface Mount

Пакет устройства поставщика

SC-88 (SC-70-6)

Упаковка / Коробка

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

IXFN120N25

IXYS

Производитель

IXYS

Серия

-

Тип полевого транзистора

N-Channel

Технология

MOSFET (Metal Oxide)

напряжение стока в источник (Vdss)

250V

ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C

120A

напряжение привода (макс. значения включены, минимальные значения включены)

-

Rds On (макс.) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Макс) @ Id

-

Заряд затвора (Qg) (Макс) @ Vgs

-

Vgs (макс.)

-

входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds

-

Функция FET

-

Рассеиваемая мощность (макс.)

-

рабочая температура

-

Тип монтажа

Chassis Mount

Пакет устройства поставщика

SOT-227B

Упаковка / Коробка

SOT-227-4, miniBLOC

Certificates

Быстрый запрос

Добавить в корзину

Свяжитесь с нами

Нужна помощь?

Не стесняйтесь обращаться к нам, если у вас есть вопросы по 2N7002LT1G.

Недавно продано

CP2105-F01-GM

CP2105-F01-GM

Silicon Labs

IC SGL USB-DL UART BRIDGE 24QFN

AD8109ASTZ

AD8109ASTZ

Analog Devices

IC VIDEO CROSSPOINT SWIT 80LQFP

39213150000

39213150000

Littelfuse

FUSE BRD MNT 3.15A 250VAC RADIAL

ALT4532M-171-T001

ALT4532M-171-T001

TDK

XFRMR LAN 1CT:1CT 170UH

XC3SD3400A-4CSG484LI

XC3SD3400A-4CSG484LI

Xilinx

IC FPGA 309 I/O 484CSBGA

BZX585-B4V7,115

BZX585-B4V7,115

Nexperia

DIODE ZENER 4.7V 300MW SOD523

SHT30-ARP-B

SHT30-ARP-B

Sensirion AG

SENSOR HUMID/TEMP 5V ANLG 3% SMD

ISL4221EIRZ

ISL4221EIRZ

Renesas Electronics America Inc.

IC TRANSCEIVER FULL 1/1 16QFN

VC060318A400RP

VC060318A400RP

AVX

VARISTOR 25.5V 30A 0603

MC33990D

MC33990D

NXP

IC TRANSCEIVER HALF 1/1 8SOIC

ADG3308BRUZ

ADG3308BRUZ

Analog Devices

IC TRNSLTR BIDIRECTIONAL 20TSSOP

SSC54-E3/57T

SSC54-E3/57T

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE SCHOTTKY 40V 5A DO214AB