Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
На складе есть миллионы электронных компонентов. Цены и сроки выполнения заказа в течение 24 часов.

STL16N60M2

STL16N60M2

Только для справки

Номер детали STL16N60M2
Номер детали PNEDA STL16N60M2
Описание MOSFET N-CH 600V 8A POWERFLAT
Производитель STMicroelectronics
Цена за единицу Запросить цитату
В наличии 7 272
Склады Shipped from Hong Kong SAR
Ориентировочная доставка дек 7 - дек 12 (Выберите ускоренную доставку)
Guarantee До 1 года [PNEDA-Гарантия] *

STL16N60M2 Ресурсы

Бренд STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Производитель. номер частиSTL16N60M2
КатегорияПолупроводникиТранзисторыТранзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-транзисторы - одиночные
Лист данных
STL16N60M2, STL16N60M2 Таблица данных (Всего страниц: 15, Размер: 467,58 KB)
PDFSTL16N60M2 Таблица данных Обложка
STL16N60M2 Таблица данных Страница 2 STL16N60M2 Таблица данных Страница 3 STL16N60M2 Таблица данных Страница 4 STL16N60M2 Таблица данных Страница 5 STL16N60M2 Таблица данных Страница 6 STL16N60M2 Таблица данных Страница 7 STL16N60M2 Таблица данных Страница 8 STL16N60M2 Таблица данных Страница 9 STL16N60M2 Таблица данных Страница 10 STL16N60M2 Таблица данных Страница 11

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

В PNEDA мы стремимся быть лидером отрасли, быстро и надежно поставляя высококачественные электронные компоненты нашим клиентам.

Наш подход основан на предоставлении нашим клиентам трех ключевых преимуществ:

  • Быстрое реагирование

    Наша команда быстро отвечает на ваши запросы и немедленно приступает к работе, чтобы найти ваши детали.

  • Гарантированное качество

    Наши процессы контроля качества защищают от подделки, обеспечивая надежность и производительность.

  • Глобальный доступ

    Наша всемирная сеть надежных ресурсов позволяет нам найти и доставить именно те детали, которые вам нужны.

Hot search vocabulary

  • STL16N60M2 Datasheet
  • where to find STL16N60M2
  • STMicroelectronics

  • STMicroelectronics STL16N60M2
  • STL16N60M2 PDF Datasheet
  • STL16N60M2 Stock

  • STL16N60M2 Pinout
  • Datasheet STL16N60M2
  • STL16N60M2 Supplier

  • STMicroelectronics Distributor
  • STL16N60M2 Price
  • STL16N60M2 Distributor

STL16N60M2 Технические характеристики

ПроизводительSTMicroelectronics
СерияMDmesh™ M2
Тип полевого транзистораN-Channel
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
напряжение стока в источник (Vdss)600V
ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C8A (Tc)
напряжение привода (макс. значения включены, минимальные значения включены)10V
Rds On (макс.) @ Id, Vgs355mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (Макс) @ Id4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс) @ Vgs19nC @ 10V
Vgs (макс.)±25V
входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds704pF @ 100V
Функция FET-
Рассеиваемая мощность (макс.)52W (Tc)
рабочая температура150°C (TJ)
Тип монтажаSurface Mount
Пакет устройства поставщикаPowerFlat™ (5x6) HV
Упаковка / Коробка8-PowerVDFN

Продукты, которые могут вас заинтересовать

SPB35N10 G

Infineon Technologies

Производитель

Infineon Technologies

Серия

SIPMOS®

Тип полевого транзистора

N-Channel

Технология

MOSFET (Metal Oxide)

напряжение стока в источник (Vdss)

100V

ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C

35A (Tc)

напряжение привода (макс. значения включены, минимальные значения включены)

10V

Rds On (макс.) @ Id, Vgs

44mOhm @ 26.4A, 10V

Vgs (th) (Макс) @ Id

4V @ 83µA

Заряд затвора (Qg) (Макс) @ Vgs

65nC @ 10V

Vgs (макс.)

±20V

входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds

1570pF @ 25V

Функция FET

-

Рассеиваемая мощность (макс.)

150W (Tc)

рабочая температура

-55°C ~ 175°C (TJ)

Тип монтажа

Surface Mount

Пакет устройства поставщика

PG-TO263-3-2

Упаковка / Коробка

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

STW40N95DK5

STMicroelectronics

Производитель

STMicroelectronics

Серия

MDmesh™ DK5

Тип полевого транзистора

N-Channel

Технология

MOSFET (Metal Oxide)

напряжение стока в источник (Vdss)

950V

ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C

38A (Tc)

напряжение привода (макс. значения включены, минимальные значения включены)

10V

Rds On (макс.) @ Id, Vgs

130mOhm @ 19A, 10V

Vgs (th) (Макс) @ Id

5V @ 100µA

Заряд затвора (Qg) (Макс) @ Vgs

100nC @ 10V

Vgs (макс.)

±30V

входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds

3480pF @ 100V

Функция FET

-

Рассеиваемая мощность (макс.)

450W (Tc)

рабочая температура

-55°C ~ 150°C

Тип монтажа

Through Hole

Пакет устройства поставщика

TO-247

Упаковка / Коробка

TO-247-3

FCPF600N60ZL1

ON Semiconductor

Производитель

ON Semiconductor

Серия

SuperFET® III

Тип полевого транзистора

N-Channel

Технология

MOSFET (Metal Oxide)

напряжение стока в источник (Vdss)

650V

ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C

7.4A (Tc)

напряжение привода (макс. значения включены, минимальные значения включены)

10V

Rds On (макс.) @ Id, Vgs

600mOhm @ 3.7A, 10V

Vgs (th) (Макс) @ Id

3.5V @ 250µA

Заряд затвора (Qg) (Макс) @ Vgs

26nC @ 10V

Vgs (макс.)

±20V

входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds

1120pF @ 25V

Функция FET

-

Рассеиваемая мощность (макс.)

28W (Tc)

рабочая температура

-55°C ~ 150°C (TJ)

Тип монтажа

Through Hole

Пакет устройства поставщика

TO-220F

Упаковка / Коробка

TO-220-3 Full Pack

BS107PSTOB

Diodes Incorporated

Производитель

Diodes Incorporated

Серия

-

Тип полевого транзистора

N-Channel

Технология

MOSFET (Metal Oxide)

напряжение стока в источник (Vdss)

200V

ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C

120mA (Ta)

напряжение привода (макс. значения включены, минимальные значения включены)

2.6V, 5V

Rds On (макс.) @ Id, Vgs

30Ohm @ 100mA, 5V

Vgs (th) (Макс) @ Id

-

Заряд затвора (Qg) (Макс) @ Vgs

-

Vgs (макс.)

±20V

входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds

-

Функция FET

-

Рассеиваемая мощность (макс.)

500mW (Ta)

рабочая температура

-55°C ~ 150°C (TJ)

Тип монтажа

Through Hole

Пакет устройства поставщика

E-Line (TO-92 compatible)

Упаковка / Коробка

E-Line-3

PMF250XNEX

Nexperia

Производитель

Nexperia USA Inc.

Серия

-

Тип полевого транзистора

N-Channel

Технология

MOSFET (Metal Oxide)

напряжение стока в источник (Vdss)

30V

ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C

1A (Ta)

напряжение привода (макс. значения включены, минимальные значения включены)

2.5V, 4.5V

Rds On (макс.) @ Id, Vgs

254mOhm @ 900mA, 4.5V

Vgs (th) (Макс) @ Id

1.25V @ 250µA

Заряд затвора (Qg) (Макс) @ Vgs

1.65nC @ 4.5V

Vgs (макс.)

±12V

входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds

81pF @ 15V

Функция FET

-

Рассеиваемая мощность (макс.)

342mW (Ta)

рабочая температура

-55°C ~ 150°C (TJ)

Тип монтажа

Surface Mount

Пакет устройства поставщика

SC-70

Упаковка / Коробка

SC-70, SOT-323

Недавно продано

STPS30L60CT

STPS30L60CT

STMicroelectronics

DIODE ARRAY SCHOTTKY 60V TO220AB

74LVC02AD,118

74LVC02AD,118

Nexperia

IC GATE NOR 4CH 2-INP 14SO

MSP5.0A-M3/89A

MSP5.0A-M3/89A

Vishay Semiconductor Diodes Division

TVS DIODE 5V 10.9V MICROSMP

ATF-54143-TR1G

ATF-54143-TR1G

Broadcom

FET RF 5V 2GHZ SOT-343

EEU-FR1E101B

EEU-FR1E101B

Panasonic Electronic Components

CAP ALUM 100UF 20% 25V RADIAL

ATSAMD21G18A-AUT

ATSAMD21G18A-AUT

Microchip Technology

IC MCU 32BIT 256KB FLASH 48TQFP

MMBT2222ALT1G

MMBT2222ALT1G

ON Semiconductor

TRANS NPN 40V 0.6A SOT23

MAX3087EESA+

MAX3087EESA+

Maxim Integrated

IC TRANSCEIVER FULL 1/1 8SOIC

EP53A8LQI

EP53A8LQI

Intel

DC DC CONVERTER 0.6-5V 5W

S25FL208K0RMFI041

S25FL208K0RMFI041

Cypress Semiconductor

IC FLASH 8M SPI 76MHZ 8SOIC

PIC18F6527-I/PT

PIC18F6527-I/PT

Microchip Technology

IC MCU 8BIT 48KB FLASH 64TQFP

CK45-R3AD222K-NRA

CK45-R3AD222K-NRA

TDK

CAP CER 2200PF 1KV RADIAL