SPB35N10 G
Только для справки
| Номер детали | SPB35N10 G |
| Номер детали PNEDA | SPB35N10-G |
| Описание | MOSFET N-CH 100V 35A D2PAK |
| Производитель | Infineon Technologies |
| Цена за единицу | Запросить цитату |
| В наличии | 6 966 |
| Склады | Shipped from Hong Kong SAR |
| Ориентировочная доставка | фев 6 - фев 11 (Выберите ускоренную доставку) |
| Guarantee | До 1 года [PNEDA-Гарантия] * |
|
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
|
|
SPB35N10 G Ресурсы
| Бренд | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
|
| Производитель. номер части | SPB35N10 G |
| Категория | Полупроводники › Транзисторы › Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-транзисторы - одиночные |
| Лист данных |
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
В PNEDA мы стремимся быть лидером отрасли, быстро и надежно поставляя высококачественные электронные компоненты нашим клиентам.
Наш подход основан на предоставлении нашим клиентам трех ключевых преимуществ:
Быстрое реагирование
Наша команда быстро отвечает на ваши запросы и немедленно приступает к работе, чтобы найти ваши детали.
Гарантированное качество
Наши процессы контроля качества защищают от подделки, обеспечивая надежность и производительность.
Глобальный доступ
Наша всемирная сеть надежных ресурсов позволяет нам найти и доставить именно те детали, которые вам нужны.
Hot search vocabulary
- SPB35N10 G Datasheet
- where to find SPB35N10 G
- Infineon Technologies
- Infineon Technologies SPB35N10 G
- SPB35N10 G PDF Datasheet
- SPB35N10 G Stock
- SPB35N10 G Pinout
- Datasheet SPB35N10 G
- SPB35N10 G Supplier
- Infineon Technologies Distributor
- SPB35N10 G Price
- SPB35N10 G Distributor
SPB35N10 G Технические характеристики
| Производитель | Infineon Technologies |
| Серия | SIPMOS® |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| напряжение стока в источник (Vdss) | 100V |
| ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C | 35A (Tc) |
| напряжение привода (макс. значения включены, минимальные значения включены) | 10V |
| Rds On (макс.) @ Id, Vgs | 44mOhm @ 26.4A, 10V |
| Vgs (th) (Макс) @ Id | 4V @ 83µA |
| Заряд затвора (Qg) (Макс) @ Vgs | 65nC @ 10V |
| Vgs (макс.) | ±20V |
| входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 1570pF @ 25V |
| Функция FET | - |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 150W (Tc) |
| рабочая температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Пакет устройства поставщика | PG-TO263-3-2 |
| Упаковка / Коробка | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Продукты, которые могут вас заинтересовать
|
Производитель ON Semiconductor Серия PowerTrench® Тип полевого транзистора N-Channel Технология MOSFET (Metal Oxide) напряжение стока в источник (Vdss) 40V ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C 240A (Tc) напряжение привода (макс. значения включены, минимальные значения включены) 10V Rds On (макс.) @ Id, Vgs 1.2mOhm @ 80A, 10V Vgs (th) (Макс) @ Id 4V @ 250µA Заряд затвора (Qg) (Макс) @ Vgs 107nC @ 10V Vgs (макс.) ±20V входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 7735pF @ 25V Функция FET - Рассеиваемая мощность (макс.) 300W (Tj) рабочая температура -55°C ~ 175°C (TJ) Тип монтажа Surface Mount Пакет устройства поставщика 8-HPSOF Упаковка / Коробка 8-PowerSFN |
Производитель IXYS Серия HiPerFET™ Тип полевого транзистора N-Channel Технология MOSFET (Metal Oxide) напряжение стока в источник (Vdss) 500V ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C 55A (Tc) напряжение привода (макс. значения включены, минимальные значения включены) 10V Rds On (макс.) @ Id, Vgs 80mOhm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Макс) @ Id 4.5V @ 8mA Заряд затвора (Qg) (Макс) @ Vgs 330nC @ 10V Vgs (макс.) ±20V входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 9400pF @ 25V Функция FET - Рассеиваемая мощность (макс.) 625W (Tc) рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ) Тип монтажа Through Hole Пакет устройства поставщика PLUS247™-3 Упаковка / Коробка TO-247-3 |
Производитель ON Semiconductor Серия QFET® Тип полевого транзистора N-Channel Технология MOSFET (Metal Oxide) напряжение стока в источник (Vdss) 250V ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C 25.5A (Tc) напряжение привода (макс. значения включены, минимальные значения включены) 10V Rds On (макс.) @ Id, Vgs 110mOhm @ 12.75A, 10V Vgs (th) (Макс) @ Id 5V @ 250µA Заряд затвора (Qg) (Макс) @ Vgs 65nC @ 10V Vgs (макс.) ±30V входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 2450pF @ 25V Функция FET - Рассеиваемая мощность (макс.) 180W (Tc) рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ) Тип монтажа Through Hole Пакет устройства поставщика TO-220-3 Упаковка / Коробка TO-220-3 |
Производитель ON Semiconductor Серия - Тип полевого транзистора N-Channel Технология MOSFET (Metal Oxide) напряжение стока в источник (Vdss) 100V ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C 5.6A (Tc) напряжение привода (макс. значения включены, минимальные значения включены) 5V Rds On (макс.) @ Id, Vgs 440mOhm @ 2.8A, 5V Vgs (th) (Макс) @ Id 2V @ 250µA Заряд затвора (Qg) (Макс) @ Vgs 8nC @ 5V Vgs (макс.) ±20V входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 235pF @ 25V Функция FET - Рассеиваемая мощность (макс.) 3.8W (Ta), 37W (Tc) рабочая температура -55°C ~ 175°C (TJ) Тип монтажа Through Hole Пакет устройства поставщика I2PAK (TO-262) Упаковка / Коробка TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Производитель STMicroelectronics Серия SuperMESH5™ Тип полевого транзистора N-Channel Технология MOSFET (Metal Oxide) напряжение стока в источник (Vdss) 1050V ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C 2A (Tc) напряжение привода (макс. значения включены, минимальные значения включены) 10V Rds On (макс.) @ Id, Vgs 8Ohm @ 750mA, 10V Vgs (th) (Макс) @ Id 5V @ 100µA Заряд затвора (Qg) (Макс) @ Vgs 10nC @ 10V Vgs (макс.) 30V входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 115pF @ 100V Функция FET - Рассеиваемая мощность (макс.) 30W (Tc) рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ) Тип монтажа Through Hole Пакет устройства поставщика ISOWATT-218FX Упаковка / Коробка ISOWATT218FX |
