Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
На складе есть миллионы электронных компонентов. Цены и сроки выполнения заказа в течение 24 часов.

SPB35N10 G

SPB35N10 G

Только для справки

Номер детали SPB35N10 G
Номер детали PNEDA SPB35N10-G
Описание MOSFET N-CH 100V 35A D2PAK
Производитель Infineon Technologies
Цена за единицу Запросить цитату
В наличии 6 966
Склады Shipped from Hong Kong SAR
Ориентировочная доставка фев 6 - фев 11 (Выберите ускоренную доставку)
Guarantee До 1 года [PNEDA-Гарантия] *

SPB35N10 G Ресурсы

Бренд Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Производитель. номер частиSPB35N10 G
КатегорияПолупроводникиТранзисторыТранзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-транзисторы - одиночные
Лист данных
SPB35N10 G, SPB35N10 G Таблица данных (Всего страниц: 8, Размер: 486,6 KB)
PDFSPB35N10 G Таблица данных Обложка
SPB35N10 G Таблица данных Страница 2 SPB35N10 G Таблица данных Страница 3 SPB35N10 G Таблица данных Страница 4 SPB35N10 G Таблица данных Страница 5 SPB35N10 G Таблица данных Страница 6 SPB35N10 G Таблица данных Страница 7 SPB35N10 G Таблица данных Страница 8

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

В PNEDA мы стремимся быть лидером отрасли, быстро и надежно поставляя высококачественные электронные компоненты нашим клиентам.

Наш подход основан на предоставлении нашим клиентам трех ключевых преимуществ:

  • Быстрое реагирование

    Наша команда быстро отвечает на ваши запросы и немедленно приступает к работе, чтобы найти ваши детали.

  • Гарантированное качество

    Наши процессы контроля качества защищают от подделки, обеспечивая надежность и производительность.

  • Глобальный доступ

    Наша всемирная сеть надежных ресурсов позволяет нам найти и доставить именно те детали, которые вам нужны.

Hot search vocabulary

  • SPB35N10 G Datasheet
  • where to find SPB35N10 G
  • Infineon Technologies

  • Infineon Technologies SPB35N10 G
  • SPB35N10 G PDF Datasheet
  • SPB35N10 G Stock

  • SPB35N10 G Pinout
  • Datasheet SPB35N10 G
  • SPB35N10 G Supplier

  • Infineon Technologies Distributor
  • SPB35N10 G Price
  • SPB35N10 G Distributor

SPB35N10 G Технические характеристики

ПроизводительInfineon Technologies
СерияSIPMOS®
Тип полевого транзистораN-Channel
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
напряжение стока в источник (Vdss)100V
ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C35A (Tc)
напряжение привода (макс. значения включены, минимальные значения включены)10V
Rds On (макс.) @ Id, Vgs44mOhm @ 26.4A, 10V
Vgs (th) (Макс) @ Id4V @ 83µA
Заряд затвора (Qg) (Макс) @ Vgs65nC @ 10V
Vgs (макс.)±20V
входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds1570pF @ 25V
Функция FET-
Рассеиваемая мощность (макс.)150W (Tc)
рабочая температура-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажаSurface Mount
Пакет устройства поставщикаPG-TO263-3-2
Упаковка / КоробкаTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Продукты, которые могут вас заинтересовать

FDBL0120N40

ON Semiconductor

Производитель

ON Semiconductor

Серия

PowerTrench®

Тип полевого транзистора

N-Channel

Технология

MOSFET (Metal Oxide)

напряжение стока в источник (Vdss)

40V

ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C

240A (Tc)

напряжение привода (макс. значения включены, минимальные значения включены)

10V

Rds On (макс.) @ Id, Vgs

1.2mOhm @ 80A, 10V

Vgs (th) (Макс) @ Id

4V @ 250µA

Заряд затвора (Qg) (Макс) @ Vgs

107nC @ 10V

Vgs (макс.)

±20V

входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds

7735pF @ 25V

Функция FET

-

Рассеиваемая мощность (макс.)

300W (Tj)

рабочая температура

-55°C ~ 175°C (TJ)

Тип монтажа

Surface Mount

Пакет устройства поставщика

8-HPSOF

Упаковка / Коробка

8-PowerSFN

IXFX55N50

IXYS

Производитель

IXYS

Серия

HiPerFET™

Тип полевого транзистора

N-Channel

Технология

MOSFET (Metal Oxide)

напряжение стока в источник (Vdss)

500V

ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C

55A (Tc)

напряжение привода (макс. значения включены, минимальные значения включены)

10V

Rds On (макс.) @ Id, Vgs

80mOhm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (Макс) @ Id

4.5V @ 8mA

Заряд затвора (Qg) (Макс) @ Vgs

330nC @ 10V

Vgs (макс.)

±20V

входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds

9400pF @ 25V

Функция FET

-

Рассеиваемая мощность (макс.)

625W (Tc)

рабочая температура

-55°C ~ 150°C (TJ)

Тип монтажа

Through Hole

Пакет устройства поставщика

PLUS247™-3

Упаковка / Коробка

TO-247-3

FQP27N25

ON Semiconductor

Производитель

ON Semiconductor

Серия

QFET®

Тип полевого транзистора

N-Channel

Технология

MOSFET (Metal Oxide)

напряжение стока в источник (Vdss)

250V

ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C

25.5A (Tc)

напряжение привода (макс. значения включены, минимальные значения включены)

10V

Rds On (макс.) @ Id, Vgs

110mOhm @ 12.75A, 10V

Vgs (th) (Макс) @ Id

5V @ 250µA

Заряд затвора (Qg) (Макс) @ Vgs

65nC @ 10V

Vgs (макс.)

±30V

входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds

2450pF @ 25V

Функция FET

-

Рассеиваемая мощность (макс.)

180W (Tc)

рабочая температура

-55°C ~ 150°C (TJ)

Тип монтажа

Through Hole

Пакет устройства поставщика

TO-220-3

Упаковка / Коробка

TO-220-3

IRLI510ATU

ON Semiconductor

Производитель

ON Semiconductor

Серия

-

Тип полевого транзистора

N-Channel

Технология

MOSFET (Metal Oxide)

напряжение стока в источник (Vdss)

100V

ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C

5.6A (Tc)

напряжение привода (макс. значения включены, минимальные значения включены)

5V

Rds On (макс.) @ Id, Vgs

440mOhm @ 2.8A, 5V

Vgs (th) (Макс) @ Id

2V @ 250µA

Заряд затвора (Qg) (Макс) @ Vgs

8nC @ 5V

Vgs (макс.)

±20V

входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds

235pF @ 25V

Функция FET

-

Рассеиваемая мощность (макс.)

3.8W (Ta), 37W (Tc)

рабочая температура

-55°C ~ 175°C (TJ)

Тип монтажа

Through Hole

Пакет устройства поставщика

I2PAK (TO-262)

Упаковка / Коробка

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

STFW2N105K5

STMicroelectronics

Производитель

STMicroelectronics

Серия

SuperMESH5™

Тип полевого транзистора

N-Channel

Технология

MOSFET (Metal Oxide)

напряжение стока в источник (Vdss)

1050V

ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C

2A (Tc)

напряжение привода (макс. значения включены, минимальные значения включены)

10V

Rds On (макс.) @ Id, Vgs

8Ohm @ 750mA, 10V

Vgs (th) (Макс) @ Id

5V @ 100µA

Заряд затвора (Qg) (Макс) @ Vgs

10nC @ 10V

Vgs (макс.)

30V

входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds

115pF @ 100V

Функция FET

-

Рассеиваемая мощность (макс.)

30W (Tc)

рабочая температура

-55°C ~ 150°C (TJ)

Тип монтажа

Through Hole

Пакет устройства поставщика

ISOWATT-218FX

Упаковка / Коробка

ISOWATT218FX

Недавно продано

LTC6655BHMS8-1.25#TRPBF

LTC6655BHMS8-1.25#TRPBF

Linear Technology/Analog Devices

IC VREF SERIES 1.25V 8MSOP

B0520LW-7-F

B0520LW-7-F

Diodes Incorporated

DIODE SCHOTTKY 20V 500MA SOD123

SMBJ15CA

SMBJ15CA

Microsemi

TVS DIODE 15V 24.4V DO214AA

ADF4351BCPZ

ADF4351BCPZ

Analog Devices

IC SYNTH PLL VCO 32LFCSP

ATMEGA32U4-MUR

ATMEGA32U4-MUR

Microchip Technology

IC MCU 8BIT 32KB FLASH 44VQFN

MPQ7053

MPQ7053

Central Semiconductor Corp

TRANS 2NPN/2PNP 250V 0.5A

AOZ1094AIL

AOZ1094AIL

Alpha & Omega Semiconductor

IC REG BUCK ADJUSTABLE 5A 8SOIC

MBR130LSFT1G

MBR130LSFT1G

ON Semiconductor

DIODE SCHOTTKY 30V 1A SOD123L

WSH28185L000FEA

WSH28185L000FEA

Vishay Dale

RES 0.005 OHM 1% 5W 2818

74F175SCX

74F175SCX

ON Semiconductor

IC FF D-TYPE SNGL 4BIT 16SOIC

LTC4303IMS8#TRPBF

LTC4303IMS8#TRPBF

Linear Technology/Analog Devices

IC ACCELERATOR I2C HOTSWAP 8MSOP

TSV992IQ2T

TSV992IQ2T

STMicroelectronics

IC OPAMP GP 2 CIRCUIT 8DFN