SI4812BDY-T1-GE3
Только для справки
| Номер детали | SI4812BDY-T1-GE3 |
| Номер детали PNEDA | SI4812BDY-T1-GE3 |
| Описание | MOSFET N-CH 30V 7.3A 8-SOIC |
| Производитель | Vishay Siliconix |
| Цена за единицу | Запросить цитату |
| В наличии | 3 942 |
| Склады | Shipped from Hong Kong SAR |
| Ориентировочная доставка | фев 6 - фев 11 (Выберите ускоренную доставку) |
| Guarantee | До 1 года [PNEDA-Гарантия] * |
|
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
|
|
SI4812BDY-T1-GE3 Ресурсы
| Бренд | Vishay Siliconix |
| ECAD Module |
|
| Производитель. номер части | SI4812BDY-T1-GE3 |
| Категория | Полупроводники › Транзисторы › Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-транзисторы - одиночные |
| Лист данных |
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
В PNEDA мы стремимся быть лидером отрасли, быстро и надежно поставляя высококачественные электронные компоненты нашим клиентам.
Наш подход основан на предоставлении нашим клиентам трех ключевых преимуществ:
Быстрое реагирование
Наша команда быстро отвечает на ваши запросы и немедленно приступает к работе, чтобы найти ваши детали.
Гарантированное качество
Наши процессы контроля качества защищают от подделки, обеспечивая надежность и производительность.
Глобальный доступ
Наша всемирная сеть надежных ресурсов позволяет нам найти и доставить именно те детали, которые вам нужны.
Hot search vocabulary
- SI4812BDY-T1-GE3 Datasheet
- where to find SI4812BDY-T1-GE3
- Vishay Siliconix
- Vishay Siliconix SI4812BDY-T1-GE3
- SI4812BDY-T1-GE3 PDF Datasheet
- SI4812BDY-T1-GE3 Stock
- SI4812BDY-T1-GE3 Pinout
- Datasheet SI4812BDY-T1-GE3
- SI4812BDY-T1-GE3 Supplier
- Vishay Siliconix Distributor
- SI4812BDY-T1-GE3 Price
- SI4812BDY-T1-GE3 Distributor
SI4812BDY-T1-GE3 Технические характеристики
| Производитель | Vishay Siliconix |
| Серия | LITTLE FOOT® |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| напряжение стока в источник (Vdss) | 30V |
| ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C | 7.3A (Ta) |
| напряжение привода (макс. значения включены, минимальные значения включены) | 4.5V, 10V |
| Rds On (макс.) @ Id, Vgs | 16mOhm @ 9.5A, 10V |
| Vgs (th) (Макс) @ Id | 3V @ 250µA |
| Заряд затвора (Qg) (Макс) @ Vgs | 13nC @ 5V |
| Vgs (макс.) | ±20V |
| входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | - |
| Функция FET | - |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 1.4W (Ta) |
| рабочая температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Пакет устройства поставщика | 8-SO |
| Упаковка / Коробка | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Продукты, которые могут вас заинтересовать
|
Производитель STMicroelectronics Серия DeepGATE™, STripFET™ VII Тип полевого транзистора N-Channel Технология MOSFET (Metal Oxide) напряжение стока в источник (Vdss) 100V ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C 30A (Tc) напряжение привода (макс. значения включены, минимальные значения включены) 10V Rds On (макс.) @ Id, Vgs 18mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Макс) @ Id 4.5V @ 250µA Заряд затвора (Qg) (Макс) @ Vgs 25nC @ 10V Vgs (макс.) 20V входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 1640pF @ 50V Функция FET - Рассеиваемая мощность (макс.) 25W (Tc) рабочая температура -55°C ~ 175°C (TJ) Тип монтажа Through Hole Пакет устройства поставщика TO-220FP Упаковка / Коробка TO-220-3 Full Pack |
Производитель ON Semiconductor Серия QFET® Тип полевого транзистора N-Channel Технология MOSFET (Metal Oxide) напряжение стока в источник (Vdss) 400V ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C 6A (Tc) напряжение привода (макс. значения включены, минимальные значения включены) 10V Rds On (макс.) @ Id, Vgs 1Ohm @ 3A, 10V Vgs (th) (Макс) @ Id 4V @ 250µA Заряд затвора (Qg) (Макс) @ Vgs 20nC @ 10V Vgs (макс.) ±30V входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 625pF @ 25V Функция FET - Рассеиваемая мощность (макс.) 73W (Tc) рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ) Тип монтажа Through Hole Пакет устройства поставщика I2PAK (TO-262) Упаковка / Коробка TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Производитель ON Semiconductor Серия SuperFET® II Тип полевого транзистора N-Channel Технология MOSFET (Metal Oxide) напряжение стока в источник (Vdss) 800V ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C 1.6A (Tc) напряжение привода (макс. значения включены, минимальные значения включены) 10V Rds On (макс.) @ Id, Vgs 4.3Ohm @ 800mA, 10V Vgs (th) (Макс) @ Id 4.5V @ 160µA Заряд затвора (Qg) (Макс) @ Vgs 8.8nC @ 10V Vgs (макс.) ±20V входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 355pF @ 100V Функция FET - Рассеиваемая мощность (макс.) 19.2W (Tc) рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ) Тип монтажа Through Hole Пакет устройства поставщика TO-220F Упаковка / Коробка TO-220-3 Full Pack |
Производитель Infineon Technologies Серия HEXFET® Тип полевого транзистора N-Channel Технология MOSFET (Metal Oxide) напряжение стока в источник (Vdss) 100V ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C 55A (Tc) напряжение привода (макс. значения включены, минимальные значения включены) - Rds On (макс.) @ Id, Vgs 26mOhm @ 29A, 10V Vgs (th) (Макс) @ Id 2V @ 250µA Заряд затвора (Qg) (Макс) @ Vgs 140nC @ 5V Vgs (макс.) - входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 3700pF @ 25V Функция FET - Рассеиваемая мощность (макс.) - рабочая температура - Тип монтажа Surface Mount Пакет устройства поставщика D2PAK Упаковка / Коробка TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Производитель ON Semiconductor Серия PowerTrench® Тип полевого транзистора N-Channel Технология MOSFET (Metal Oxide) напряжение стока в источник (Vdss) 30V ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C 14A (Ta), 35A (Tc) напряжение привода (макс. значения включены, минимальные значения включены) 4.5V, 10V Rds On (макс.) @ Id, Vgs 7mOhm @ 14A, 10V Vgs (th) (Макс) @ Id 3V @ 250µA Заряд затвора (Qg) (Макс) @ Vgs 26nC @ 10V Vgs (макс.) ±20V входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 1590pF @ 15V Функция FET - Рассеиваемая мощность (макс.) 2.5W (Ta), 50W (Tc) рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ) Тип монтажа Surface Mount Пакет устройства поставщика 8-PQFN (5x6) Упаковка / Коробка 8-PowerTDFN |
