Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
На складе есть миллионы электронных компонентов. Цены и сроки выполнения заказа в течение 24 часов.

SI4812BDY-T1-GE3

SI4812BDY-T1-GE3 SI4812BDY-T1-GE3

Только для справки

Номер детали SI4812BDY-T1-GE3
Номер детали PNEDA SI4812BDY-T1-GE3
Описание MOSFET N-CH 30V 7.3A 8-SOIC
Производитель Vishay Siliconix
Цена за единицу Запросить цитату
В наличии 3 942
Склады Shipped from Hong Kong SAR
Ориентировочная доставка фев 6 - фев 11 (Выберите ускоренную доставку)
Guarantee До 1 года [PNEDA-Гарантия] *

SI4812BDY-T1-GE3 Ресурсы

Бренд Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Производитель. номер частиSI4812BDY-T1-GE3
КатегорияПолупроводникиТранзисторыТранзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-транзисторы - одиночные
Лист данных
SI4812BDY-T1-GE3, SI4812BDY-T1-GE3 Таблица данных (Всего страниц: 8, Размер: 181,81 KB)
PDFSI4812BDY-T1-E3 Таблица данных Обложка
SI4812BDY-T1-E3 Таблица данных Страница 2 SI4812BDY-T1-E3 Таблица данных Страница 3 SI4812BDY-T1-E3 Таблица данных Страница 4 SI4812BDY-T1-E3 Таблица данных Страница 5 SI4812BDY-T1-E3 Таблица данных Страница 6 SI4812BDY-T1-E3 Таблица данных Страница 7 SI4812BDY-T1-E3 Таблица данных Страница 8

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

В PNEDA мы стремимся быть лидером отрасли, быстро и надежно поставляя высококачественные электронные компоненты нашим клиентам.

Наш подход основан на предоставлении нашим клиентам трех ключевых преимуществ:

  • Быстрое реагирование

    Наша команда быстро отвечает на ваши запросы и немедленно приступает к работе, чтобы найти ваши детали.

  • Гарантированное качество

    Наши процессы контроля качества защищают от подделки, обеспечивая надежность и производительность.

  • Глобальный доступ

    Наша всемирная сеть надежных ресурсов позволяет нам найти и доставить именно те детали, которые вам нужны.

Hot search vocabulary

  • SI4812BDY-T1-GE3 Datasheet
  • where to find SI4812BDY-T1-GE3
  • Vishay Siliconix

  • Vishay Siliconix SI4812BDY-T1-GE3
  • SI4812BDY-T1-GE3 PDF Datasheet
  • SI4812BDY-T1-GE3 Stock

  • SI4812BDY-T1-GE3 Pinout
  • Datasheet SI4812BDY-T1-GE3
  • SI4812BDY-T1-GE3 Supplier

  • Vishay Siliconix Distributor
  • SI4812BDY-T1-GE3 Price
  • SI4812BDY-T1-GE3 Distributor

SI4812BDY-T1-GE3 Технические характеристики

ПроизводительVishay Siliconix
СерияLITTLE FOOT®
Тип полевого транзистораN-Channel
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
напряжение стока в источник (Vdss)30V
ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C7.3A (Ta)
напряжение привода (макс. значения включены, минимальные значения включены)4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ Id, Vgs16mOhm @ 9.5A, 10V
Vgs (th) (Макс) @ Id3V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс) @ Vgs13nC @ 5V
Vgs (макс.)±20V
входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds-
Функция FET-
Рассеиваемая мощность (макс.)1.4W (Ta)
рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажаSurface Mount
Пакет устройства поставщика8-SO
Упаковка / Коробка8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Продукты, которые могут вас заинтересовать

STF45N10F7

STMicroelectronics

Производитель

STMicroelectronics

Серия

DeepGATE™, STripFET™ VII

Тип полевого транзистора

N-Channel

Технология

MOSFET (Metal Oxide)

напряжение стока в источник (Vdss)

100V

ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C

30A (Tc)

напряжение привода (макс. значения включены, минимальные значения включены)

10V

Rds On (макс.) @ Id, Vgs

18mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (Макс) @ Id

4.5V @ 250µA

Заряд затвора (Qg) (Макс) @ Vgs

25nC @ 10V

Vgs (макс.)

20V

входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds

1640pF @ 50V

Функция FET

-

Рассеиваемая мощность (макс.)

25W (Tc)

рабочая температура

-55°C ~ 175°C (TJ)

Тип монтажа

Through Hole

Пакет устройства поставщика

TO-220FP

Упаковка / Коробка

TO-220-3 Full Pack

FQI6N40CTU

ON Semiconductor

Производитель

ON Semiconductor

Серия

QFET®

Тип полевого транзистора

N-Channel

Технология

MOSFET (Metal Oxide)

напряжение стока в источник (Vdss)

400V

ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C

6A (Tc)

напряжение привода (макс. значения включены, минимальные значения включены)

10V

Rds On (макс.) @ Id, Vgs

1Ohm @ 3A, 10V

Vgs (th) (Макс) @ Id

4V @ 250µA

Заряд затвора (Qg) (Макс) @ Vgs

20nC @ 10V

Vgs (макс.)

±30V

входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds

625pF @ 25V

Функция FET

-

Рассеиваемая мощность (макс.)

73W (Tc)

рабочая температура

-55°C ~ 150°C (TJ)

Тип монтажа

Through Hole

Пакет устройства поставщика

I2PAK (TO-262)

Упаковка / Коробка

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

FCPF4300N80Z

ON Semiconductor

Производитель

ON Semiconductor

Серия

SuperFET® II

Тип полевого транзистора

N-Channel

Технология

MOSFET (Metal Oxide)

напряжение стока в источник (Vdss)

800V

ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C

1.6A (Tc)

напряжение привода (макс. значения включены, минимальные значения включены)

10V

Rds On (макс.) @ Id, Vgs

4.3Ohm @ 800mA, 10V

Vgs (th) (Макс) @ Id

4.5V @ 160µA

Заряд затвора (Qg) (Макс) @ Vgs

8.8nC @ 10V

Vgs (макс.)

±20V

входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds

355pF @ 100V

Функция FET

-

Рассеиваемая мощность (макс.)

19.2W (Tc)

рабочая температура

-55°C ~ 150°C (TJ)

Тип монтажа

Through Hole

Пакет устройства поставщика

TO-220F

Упаковка / Коробка

TO-220-3 Full Pack

IRL2910STRRPBF

Infineon Technologies

Производитель

Infineon Technologies

Серия

HEXFET®

Тип полевого транзистора

N-Channel

Технология

MOSFET (Metal Oxide)

напряжение стока в источник (Vdss)

100V

ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C

55A (Tc)

напряжение привода (макс. значения включены, минимальные значения включены)

-

Rds On (макс.) @ Id, Vgs

26mOhm @ 29A, 10V

Vgs (th) (Макс) @ Id

2V @ 250µA

Заряд затвора (Qg) (Макс) @ Vgs

140nC @ 5V

Vgs (макс.)

-

входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds

3700pF @ 25V

Функция FET

-

Рассеиваемая мощность (макс.)

-

рабочая температура

-

Тип монтажа

Surface Mount

Пакет устройства поставщика

D2PAK

Упаковка / Коробка

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

FDMS8680

ON Semiconductor

Производитель

ON Semiconductor

Серия

PowerTrench®

Тип полевого транзистора

N-Channel

Технология

MOSFET (Metal Oxide)

напряжение стока в источник (Vdss)

30V

ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C

14A (Ta), 35A (Tc)

напряжение привода (макс. значения включены, минимальные значения включены)

4.5V, 10V

Rds On (макс.) @ Id, Vgs

7mOhm @ 14A, 10V

Vgs (th) (Макс) @ Id

3V @ 250µA

Заряд затвора (Qg) (Макс) @ Vgs

26nC @ 10V

Vgs (макс.)

±20V

входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds

1590pF @ 15V

Функция FET

-

Рассеиваемая мощность (макс.)

2.5W (Ta), 50W (Tc)

рабочая температура

-55°C ~ 150°C (TJ)

Тип монтажа

Surface Mount

Пакет устройства поставщика

8-PQFN (5x6)

Упаковка / Коробка

8-PowerTDFN

Недавно продано

MBR130LSFT1G

MBR130LSFT1G

ON Semiconductor

DIODE SCHOTTKY 30V 1A SOD123L

1SMB5925BT3G

1SMB5925BT3G

ON Semiconductor

DIODE ZENER 10V 3W SMB

LT1112IS8#TRPBF

LT1112IS8#TRPBF

Linear Technology/Analog Devices

IC OPAMP GP 2 CIRCUIT 8SO

MT41K512M16HA-107:A

MT41K512M16HA-107:A

Micron Technology Inc.

IC DRAM 8G PARALLEL 96FBGA

ADG201AKNZ

ADG201AKNZ

Analog Devices

IC SWITCH QUAD SPST 16DIP

93LC46C-I/SN

93LC46C-I/SN

Microchip Technology

IC EEPROM 1K SPI 3MHZ 8SOIC

1014-12

1014-12

Microsemi

RF TRANS NPN 50V 1.4GHZ 55LT

DG641DY

DG641DY

Vishay Siliconix

IC VIDEO SWITCH SPST 16SOIC

XC9572XL-10VQ44I

XC9572XL-10VQ44I

Xilinx

IC CPLD 72MC 10NS 44VQFP

2SC4793(F,M)

2SC4793(F,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

TRANS NPN 230V 1A TO220NIS

TCS3200D-TR

TCS3200D-TR

ams

IC COLOR SENSOR LIGHT-FREQ 8SOIC

B0520LW-7-F

B0520LW-7-F

Diodes Incorporated

DIODE SCHOTTKY 20V 500MA SOD123