Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
На складе есть миллионы электронных компонентов. Цены и сроки выполнения заказа в течение 24 часов.

SI4368DY-T1-E3

SI4368DY-T1-E3 SI4368DY-T1-E3

Только для справки

Номер детали SI4368DY-T1-E3
Номер детали PNEDA SI4368DY-T1-E3
Описание MOSFET N-CH 30V 17A 8-SOIC
Производитель Vishay Siliconix
Цена за единицу Запросить цитату
В наличии 2 448
Склады Shipped from Hong Kong SAR
Ориентировочная доставка фев 6 - фев 11 (Выберите ускоренную доставку)
Guarantee До 1 года [PNEDA-Гарантия] *

SI4368DY-T1-E3 Ресурсы

Бренд Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Производитель. номер частиSI4368DY-T1-E3
КатегорияПолупроводникиТранзисторыТранзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-транзисторы - одиночные
Лист данных
SI4368DY-T1-E3, SI4368DY-T1-E3 Таблица данных (Всего страниц: 8, Размер: 152,37 KB)
PDFSI4368DY-T1-GE3 Таблица данных Обложка
SI4368DY-T1-GE3 Таблица данных Страница 2 SI4368DY-T1-GE3 Таблица данных Страница 3 SI4368DY-T1-GE3 Таблица данных Страница 4 SI4368DY-T1-GE3 Таблица данных Страница 5 SI4368DY-T1-GE3 Таблица данных Страница 6 SI4368DY-T1-GE3 Таблица данных Страница 7 SI4368DY-T1-GE3 Таблица данных Страница 8

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

В PNEDA мы стремимся быть лидером отрасли, быстро и надежно поставляя высококачественные электронные компоненты нашим клиентам.

Наш подход основан на предоставлении нашим клиентам трех ключевых преимуществ:

  • Быстрое реагирование

    Наша команда быстро отвечает на ваши запросы и немедленно приступает к работе, чтобы найти ваши детали.

  • Гарантированное качество

    Наши процессы контроля качества защищают от подделки, обеспечивая надежность и производительность.

  • Глобальный доступ

    Наша всемирная сеть надежных ресурсов позволяет нам найти и доставить именно те детали, которые вам нужны.

Hot search vocabulary

  • SI4368DY-T1-E3 Datasheet
  • where to find SI4368DY-T1-E3
  • Vishay Siliconix

  • Vishay Siliconix SI4368DY-T1-E3
  • SI4368DY-T1-E3 PDF Datasheet
  • SI4368DY-T1-E3 Stock

  • SI4368DY-T1-E3 Pinout
  • Datasheet SI4368DY-T1-E3
  • SI4368DY-T1-E3 Supplier

  • Vishay Siliconix Distributor
  • SI4368DY-T1-E3 Price
  • SI4368DY-T1-E3 Distributor

SI4368DY-T1-E3 Технические характеристики

ПроизводительVishay Siliconix
СерияTrenchFET®
Тип полевого транзистораN-Channel
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
напряжение стока в источник (Vdss)30V
ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C17A (Ta)
напряжение привода (макс. значения включены, минимальные значения включены)4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ Id, Vgs3.2mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Макс) @ Id1.8V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс) @ Vgs80nC @ 4.5V
Vgs (макс.)±12V
входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds8340pF @ 15V
Функция FET-
Рассеиваемая мощность (макс.)1.6W (Ta)
рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажаSurface Mount
Пакет устройства поставщика8-SO
Упаковка / Коробка8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Продукты, которые могут вас заинтересовать

SI8429DB-T1-E1

Vishay Siliconix

Производитель

Vishay Siliconix

Серия

TrenchFET®

Тип полевого транзистора

P-Channel

Технология

MOSFET (Metal Oxide)

напряжение стока в источник (Vdss)

8V

ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C

11.7A (Tc)

напряжение привода (макс. значения включены, минимальные значения включены)

1.2V, 4.5V

Rds On (макс.) @ Id, Vgs

35mOhm @ 1A, 4.5V

Vgs (th) (Макс) @ Id

800mV @ 250µA

Заряд затвора (Qg) (Макс) @ Vgs

26nC @ 5V

Vgs (макс.)

±5V

входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds

1640pF @ 4V

Функция FET

-

Рассеиваемая мощность (макс.)

2.77W (Ta), 6.25W (Tc)

рабочая температура

-55°C ~ 150°C (TJ)

Тип монтажа

Surface Mount

Пакет устройства поставщика

4-Microfoot

Упаковка / Коробка

4-XFBGA, CSPBGA

Производитель

NXP USA Inc.

Серия

TrenchMOS™

Тип полевого транзистора

N-Channel

Технология

MOSFET (Metal Oxide)

напряжение стока в источник (Vdss)

30V

ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C

120A (Tc)

напряжение привода (макс. значения включены, минимальные значения включены)

5V, 10V

Rds On (макс.) @ Id, Vgs

1.4mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (Макс) @ Id

2.1V @ 1mA

Заряд затвора (Qg) (Макс) @ Vgs

113nC @ 5V

Vgs (макс.)

±10V

входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds

16150pF @ 25V

Функция FET

-

Рассеиваемая мощность (макс.)

349W (Tc)

рабочая температура

-55°C ~ 175°C (TJ)

Тип монтажа

Through Hole

Пакет устройства поставщика

I2PAK

Упаковка / Коробка

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

IRL530L

Vishay Siliconix

Производитель

Vishay Siliconix

Серия

-

Тип полевого транзистора

N-Channel

Технология

MOSFET (Metal Oxide)

напряжение стока в источник (Vdss)

100V

ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C

15A (Tc)

напряжение привода (макс. значения включены, минимальные значения включены)

4V, 5V

Rds On (макс.) @ Id, Vgs

160mOhm @ 9A, 5V

Vgs (th) (Макс) @ Id

2V @ 250µA

Заряд затвора (Qg) (Макс) @ Vgs

28nC @ 5V

Vgs (макс.)

±10V

входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds

930pF @ 25V

Функция FET

-

Рассеиваемая мощность (макс.)

-

рабочая температура

-55°C ~ 175°C (TJ)

Тип монтажа

Through Hole

Пакет устройства поставщика

TO-262-3

Упаковка / Коробка

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

AOTF12T60P

Alpha & Omega Semiconductor

Производитель

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Серия

-

Тип полевого транзистора

N-Channel

Технология

MOSFET (Metal Oxide)

напряжение стока в источник (Vdss)

600V

ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C

12A (Tc)

напряжение привода (макс. значения включены, минимальные значения включены)

10V

Rds On (макс.) @ Id, Vgs

520mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (Макс) @ Id

5V @ 250µA

Заряд затвора (Qg) (Макс) @ Vgs

50nC @ 10V

Vgs (макс.)

±30V

входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds

2028pF @ 100V

Функция FET

-

Рассеиваемая мощность (макс.)

50W (Tc)

рабочая температура

-55°C ~ 150°C (TJ)

Тип монтажа

Through Hole

Пакет устройства поставщика

TO-220-3F

Упаковка / Коробка

TO-220-3 Full Pack

Производитель

IXYS

Серия

HiPerFET™

Тип полевого транзистора

N-Channel

Технология

MOSFET (Metal Oxide)

напряжение стока в источник (Vdss)

1000V

ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C

38A (Tc)

напряжение привода (макс. значения включены, минимальные значения включены)

10V

Rds On (макс.) @ Id, Vgs

220mOhm @ 22A, 10V

Vgs (th) (Макс) @ Id

6.5V @ 8mA

Заряд затвора (Qg) (Макс) @ Vgs

264nC @ 10V

Vgs (макс.)

±30V

входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds

13600pF @ 25V

Функция FET

-

Рассеиваемая мощность (макс.)

960W (Tc)

рабочая температура

-55°C ~ 150°C (TJ)

Тип монтажа

Chassis Mount

Пакет устройства поставщика

SOT-227B

Упаковка / Коробка

SOT-227-4, miniBLOC

Недавно продано

ECX-.327-CDX-1293

ECX-.327-CDX-1293

ECS

CRYSTAL 32.7680KHZ 12.5PF SMD

MT41J128M16JT-093:K

MT41J128M16JT-093:K

Micron Technology Inc.

IC DRAM 2G PARALLEL 96FBGA

GP2Y1023AU0F

GP2Y1023AU0F

SHARP/Socle Technology

MOD DUST SENSOR 5PIN QFN

IRF7240TRPBF

IRF7240TRPBF

Infineon Technologies

MOSFET P-CH 40V 10.5A 8-SOIC

ISL29023IROZ-T7

ISL29023IROZ-T7

Renesas Electronics America Inc.

SENSOR OPT 540NM AMBIENT 6ODFN

MAX531BCPD

MAX531BCPD

Maxim Integrated

IC DAC 12BIT V-OUT 14DIP

ESDALC5-1BM2

ESDALC5-1BM2

STMicroelectronics

TVS DIODE 5V SOD882

IHLP2525CZERR47M01

IHLP2525CZERR47M01

Vishay Dale

FIXED IND 470NH 17.5A 4.2 MOHM

Q8F1CXXB12E

Q8F1CXXB12E

APEM Inc.

INDICATOR 12V 8MM FLUSH BLUE

ADF4351BCPZ

ADF4351BCPZ

Analog Devices

IC SYNTH PLL VCO 32LFCSP

LTC6655BHMS8-1.25#TRPBF

LTC6655BHMS8-1.25#TRPBF

Linear Technology/Analog Devices

IC VREF SERIES 1.25V 8MSOP

TSV992IQ2T

TSV992IQ2T

STMicroelectronics

IC OPAMP GP 2 CIRCUIT 8DFN