Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
На складе есть миллионы электронных компонентов. Цены и сроки выполнения заказа в течение 24 часов.

SI1308EDL-T1-GE3

SI1308EDL-T1-GE3 SI1308EDL-T1-GE3

Только для справки

Номер детали SI1308EDL-T1-GE3
Номер детали PNEDA SI1308EDL-T1-GE3
Описание MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT323
Производитель Vishay Siliconix
Цена за единицу Запросить цитату
В наличии 1 223 676
Склады Shipped from Hong Kong SAR
Ориентировочная доставка дек 7 - дек 12 (Выберите ускоренную доставку)
Guarantee До 1 года [PNEDA-Гарантия] *

SI1308EDL-T1-GE3 Ресурсы

Бренд Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Производитель. номер частиSI1308EDL-T1-GE3
КатегорияПолупроводникиТранзисторыТранзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-транзисторы - одиночные
Лист данных
SI1308EDL-T1-GE3, SI1308EDL-T1-GE3 Таблица данных (Всего страниц: 11, Размер: 255,7 KB)
PDFSI1308EDL-T1-GE3 Таблица данных Обложка
SI1308EDL-T1-GE3 Таблица данных Страница 2 SI1308EDL-T1-GE3 Таблица данных Страница 3 SI1308EDL-T1-GE3 Таблица данных Страница 4 SI1308EDL-T1-GE3 Таблица данных Страница 5 SI1308EDL-T1-GE3 Таблица данных Страница 6 SI1308EDL-T1-GE3 Таблица данных Страница 7 SI1308EDL-T1-GE3 Таблица данных Страница 8 SI1308EDL-T1-GE3 Таблица данных Страница 9 SI1308EDL-T1-GE3 Таблица данных Страница 10 SI1308EDL-T1-GE3 Таблица данных Страница 11

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

В PNEDA мы стремимся быть лидером отрасли, быстро и надежно поставляя высококачественные электронные компоненты нашим клиентам.

Наш подход основан на предоставлении нашим клиентам трех ключевых преимуществ:

  • Быстрое реагирование

    Наша команда быстро отвечает на ваши запросы и немедленно приступает к работе, чтобы найти ваши детали.

  • Гарантированное качество

    Наши процессы контроля качества защищают от подделки, обеспечивая надежность и производительность.

  • Глобальный доступ

    Наша всемирная сеть надежных ресурсов позволяет нам найти и доставить именно те детали, которые вам нужны.

Hot search vocabulary

  • SI1308EDL-T1-GE3 Datasheet
  • where to find SI1308EDL-T1-GE3
  • Vishay Siliconix

  • Vishay Siliconix SI1308EDL-T1-GE3
  • SI1308EDL-T1-GE3 PDF Datasheet
  • SI1308EDL-T1-GE3 Stock

  • SI1308EDL-T1-GE3 Pinout
  • Datasheet SI1308EDL-T1-GE3
  • SI1308EDL-T1-GE3 Supplier

  • Vishay Siliconix Distributor
  • SI1308EDL-T1-GE3 Price
  • SI1308EDL-T1-GE3 Distributor

SI1308EDL-T1-GE3 Технические характеристики

ПроизводительVishay Siliconix
СерияTrenchFET®
Тип полевого транзистораN-Channel
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
напряжение стока в источник (Vdss)30V
ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C1.4A (Tc)
напряжение привода (макс. значения включены, минимальные значения включены)2.5V, 10V
Rds On (макс.) @ Id, Vgs132mOhm @ 1.4A, 10V
Vgs (th) (Макс) @ Id1.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс) @ Vgs4.1nC @ 10V
Vgs (макс.)±12V
входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds105pF @ 15V
Функция FET-
Рассеиваемая мощность (макс.)400mW (Ta), 500mW (Tc)
рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажаSurface Mount
Пакет устройства поставщикаSOT-323
Упаковка / КоробкаSC-70, SOT-323

Продукты, которые могут вас заинтересовать

TIP42CTU-T

ON Semiconductor

Производитель

ON Semiconductor

Серия

-

Тип полевого транзистора

-

Технология

-

напряжение стока в источник (Vdss)

-

ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C

-

напряжение привода (макс. значения включены, минимальные значения включены)

-

Rds On (макс.) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Макс) @ Id

-

Заряд затвора (Qg) (Макс) @ Vgs

-

Vgs (макс.)

-

входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds

-

Функция FET

-

Рассеиваемая мощность (макс.)

-

рабочая температура

-

Тип монтажа

-

Пакет устройства поставщика

-

Упаковка / Коробка

-

IRFR5410TRLPBF

Infineon Technologies

Производитель

Infineon Technologies

Серия

HEXFET®

Тип полевого транзистора

P-Channel

Технология

MOSFET (Metal Oxide)

напряжение стока в источник (Vdss)

100V

ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C

13A (Tc)

напряжение привода (макс. значения включены, минимальные значения включены)

10V

Rds On (макс.) @ Id, Vgs

205mOhm @ 7.8A, 10V

Vgs (th) (Макс) @ Id

4V @ 250µA

Заряд затвора (Qg) (Макс) @ Vgs

58nC @ 10V

Vgs (макс.)

±20V

входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds

760pF @ 25V

Функция FET

-

Рассеиваемая мощность (макс.)

66W (Tc)

рабочая температура

-55°C ~ 150°C (TJ)

Тип монтажа

Surface Mount

Пакет устройства поставщика

D-Pak

Упаковка / Коробка

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

STI12N65M5

STMicroelectronics

Производитель

STMicroelectronics

Серия

MDmesh™ V

Тип полевого транзистора

N-Channel

Технология

MOSFET (Metal Oxide)

напряжение стока в источник (Vdss)

650V

ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C

8.5A (Tc)

напряжение привода (макс. значения включены, минимальные значения включены)

10V

Rds On (макс.) @ Id, Vgs

430mOhm @ 4.3A, 10V

Vgs (th) (Макс) @ Id

5V @ 250µA

Заряд затвора (Qg) (Макс) @ Vgs

22nC @ 10V

Vgs (макс.)

±25V

входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds

900pF @ 100V

Функция FET

-

Рассеиваемая мощность (макс.)

70W (Tc)

рабочая температура

150°C (TJ)

Тип монтажа

Through Hole

Пакет устройства поставщика

I2PAK

Упаковка / Коробка

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

NVTFWS015N04CTAG

ON Semiconductor

Производитель

ON Semiconductor

Серия

Automotive, AEC-Q101

Тип полевого транзистора

N-Channel

Технология

MOSFET (Metal Oxide)

напряжение стока в источник (Vdss)

40V

ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C

9.4A (Ta), 27A (Tc)

напряжение привода (макс. значения включены, минимальные значения включены)

10V

Rds On (макс.) @ Id, Vgs

17.3mOhm @ 7.5A, 10V

Vgs (th) (Макс) @ Id

3.5V @ 20µA

Заряд затвора (Qg) (Макс) @ Vgs

6.3nC @ 10V

Vgs (макс.)

±20V

входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds

325pF @ 25V

Функция FET

-

Рассеиваемая мощность (макс.)

2.9W (Ta), 23W (Tc)

рабочая температура

-55°C ~ 175°C (TJ)

Тип монтажа

Surface Mount

Пакет устройства поставщика

8-WDFN (3.3x3.3)

Упаковка / Коробка

8-PowerWDFN

RSM002N06T2L

Rohm Semiconductor

Производитель

Rohm Semiconductor

Серия

-

Тип полевого транзистора

N-Channel

Технология

MOSFET (Metal Oxide)

напряжение стока в источник (Vdss)

60V

ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C

250mA (Ta)

напряжение привода (макс. значения включены, минимальные значения включены)

2.5V, 10V

Rds On (макс.) @ Id, Vgs

2.4Ohm @ 250mA, 10V

Vgs (th) (Макс) @ Id

2.3V @ 1mA

Заряд затвора (Qg) (Макс) @ Vgs

-

Vgs (макс.)

±20V

входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds

15pF @ 25V

Функция FET

-

Рассеиваемая мощность (макс.)

150mW (Ta)

рабочая температура

150°C (TJ)

Тип монтажа

Surface Mount

Пакет устройства поставщика

VMT3

Упаковка / Коробка

SOT-723

Недавно продано

HUF75344P3

HUF75344P3

ON Semiconductor

MOSFET N-CH 55V 75A TO-220AB

MC7805CDTRKG

MC7805CDTRKG

ON Semiconductor

IC REG LINEAR 5V 1A DPAK

B3S-1000P

B3S-1000P

Omron Electronics Inc-EMC Div

SWITCH TACTILE SPST-NO 0.05A 24V

USB2514BI-AEZG

USB2514BI-AEZG

Microchip Technology

IC CONTROLLER USB 36QFN

BC184C

BC184C

ON Semiconductor

TRANS NPN 30V 0.5A TO-92

SI4368DY-T1-E3

SI4368DY-T1-E3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 30V 17A 8-SOIC

74LVC1G04Z-7

74LVC1G04Z-7

Diodes Incorporated

IC INVERTER 1CH 1-INP SOT553

ATF-54143-TR1G

ATF-54143-TR1G

Broadcom

FET RF 5V 2GHZ SOT-343

ECLAMP2410P.TCT

ECLAMP2410P.TCT

Semtech

FILTER RC(PI) 45 OHM/12PF SMD

ADA4091-2ACPZ-RL

ADA4091-2ACPZ-RL

Analog Devices

IC OPAMP GP 2 CIRCUIT 8LFCSP

ATSAMD21G18A-AUT

ATSAMD21G18A-AUT

Microchip Technology

IC MCU 32BIT 256KB FLASH 48TQFP

ALDP112W

ALDP112W

Panasonic Electric Works

RELAY GEN PURPOSE SPST 5A 12V