NTMS5835NLR2G
Только для справки
| Номер детали | NTMS5835NLR2G |
| Номер детали PNEDA | NTMS5835NLR2G |
| Описание | MOSFET N-CH 40V 9.2A 8SOIC |
| Производитель | ON Semiconductor |
| Цена за единицу | Запросить цитату |
| В наличии | 3 168 |
| Склады | Shipped from Hong Kong SAR |
| Ориентировочная доставка | дек 7 - дек 12 (Выберите ускоренную доставку) |
| Guarantee | До 1 года [PNEDA-Гарантия] * |
|
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
|
|
NTMS5835NLR2G Ресурсы
| Бренд | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
|
| Производитель. номер части | NTMS5835NLR2G |
| Категория | Полупроводники › Транзисторы › Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-транзисторы - одиночные |
| Лист данных |
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
В PNEDA мы стремимся быть лидером отрасли, быстро и надежно поставляя высококачественные электронные компоненты нашим клиентам.
Наш подход основан на предоставлении нашим клиентам трех ключевых преимуществ:
Быстрое реагирование
Наша команда быстро отвечает на ваши запросы и немедленно приступает к работе, чтобы найти ваши детали.
Гарантированное качество
Наши процессы контроля качества защищают от подделки, обеспечивая надежность и производительность.
Глобальный доступ
Наша всемирная сеть надежных ресурсов позволяет нам найти и доставить именно те детали, которые вам нужны.
Hot search vocabulary
- NTMS5835NLR2G Datasheet
- where to find NTMS5835NLR2G
- ON Semiconductor
- ON Semiconductor NTMS5835NLR2G
- NTMS5835NLR2G PDF Datasheet
- NTMS5835NLR2G Stock
- NTMS5835NLR2G Pinout
- Datasheet NTMS5835NLR2G
- NTMS5835NLR2G Supplier
- ON Semiconductor Distributor
- NTMS5835NLR2G Price
- NTMS5835NLR2G Distributor
NTMS5835NLR2G Технические характеристики
| Производитель | ON Semiconductor |
| Серия | - |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| напряжение стока в источник (Vdss) | 40V |
| ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C | 9.2A (Ta) |
| напряжение привода (макс. значения включены, минимальные значения включены) | 4.5V, 10V |
| Rds On (макс.) @ Id, Vgs | 10mOhm @ 10A, 10V |
| Vgs (th) (Макс) @ Id | 3V @ 250µA |
| Заряд затвора (Qg) (Макс) @ Vgs | 50nC @ 10V |
| Vgs (макс.) | ±20V |
| входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 2115pF @ 20V |
| Функция FET | - |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 1.5W (Ta) |
| рабочая температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Пакет устройства поставщика | 8-SOIC |
| Упаковка / Коробка | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Продукты, которые могут вас заинтересовать
|
Производитель Infineon Technologies Серия FETKY™ Тип полевого транзистора N-Channel Технология MOSFET (Metal Oxide) напряжение стока в источник (Vdss) 20V ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C 2.4A (Ta) напряжение привода (макс. значения включены, минимальные значения включены) 2.7V, 4.5V Rds On (макс.) @ Id, Vgs 135mOhm @ 1.7A, 4.5V Vgs (th) (Макс) @ Id 700mV @ 250µA Заряд затвора (Qg) (Макс) @ Vgs 8nC @ 4.5V Vgs (макс.) ±12V входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 260pF @ 15V Функция FET Schottky Diode (Isolated) Рассеиваемая мощность (макс.) 1.3W (Ta) рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ) Тип монтажа Surface Mount Пакет устройства поставщика Micro8™ Упаковка / Коробка 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) |
Производитель ON Semiconductor Серия PowerTrench® Тип полевого транзистора N-Channel Технология MOSFET (Metal Oxide) напряжение стока в источник (Vdss) 20V ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C 9A (Ta) напряжение привода (макс. значения включены, минимальные значения включены) 2.5V, 4.5V Rds On (макс.) @ Id, Vgs 18mOhm @ 9A, 4.5V Vgs (th) (Макс) @ Id 1.5V @ 250µA Заряд затвора (Qg) (Макс) @ Vgs 15nC @ 4.5V Vgs (макс.) ±12V входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 1127pF @ 10V Функция FET - Рассеиваемая мощность (макс.) 2W (Ta) рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ) Тип монтажа Surface Mount Пакет устройства поставщика 12-BGA (2x2.5) Упаковка / Коробка 12-WFBGA |
Производитель ON Semiconductor Серия QFET® Тип полевого транзистора N-Channel Технология MOSFET (Metal Oxide) напряжение стока в источник (Vdss) 60V ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C 15.7A (Tc) напряжение привода (макс. значения включены, минимальные значения включены) 5V, 10V Rds On (макс.) @ Id, Vgs 55mOhm @ 7.85A, 10V Vgs (th) (Макс) @ Id 2.5V @ 250µA Заряд затвора (Qg) (Макс) @ Vgs 13nC @ 5V Vgs (макс.) ±20V входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 630pF @ 25V Функция FET - Рассеиваемая мощность (макс.) 30W (Tc) рабочая температура -55°C ~ 175°C (TJ) Тип монтажа Through Hole Пакет устройства поставщика TO-220F Упаковка / Коробка TO-220-3 Full Pack |
Производитель STMicroelectronics Серия MDmesh™ II Plus Тип полевого транзистора N-Channel Технология MOSFET (Metal Oxide) напряжение стока в источник (Vdss) 600V ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C 4.5A (Tc) напряжение привода (макс. значения включены, минимальные значения включены) 10V Rds On (макс.) @ Id, Vgs 1.2Ohm @ 2.25A, 10V Vgs (th) (Макс) @ Id 4V @ 250µA Заряд затвора (Qg) (Макс) @ Vgs 13.5nC @ 10V Vgs (макс.) ±25V входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 232pF @ 100V Функция FET - Рассеиваемая мощность (макс.) 60W (Tc) рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ) Тип монтажа Through Hole Пакет устройства поставщика I-PAK Упаковка / Коробка TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Производитель IXYS Серия HiPerFET™ Тип полевого транзистора N-Channel Технология MOSFET (Metal Oxide) напряжение стока в источник (Vdss) 600V ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C 60A (Tc) напряжение привода (макс. значения включены, минимальные значения включены) 10V Rds On (макс.) @ Id, Vgs 55mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Макс) @ Id 4.5V @ 8mA Заряд затвора (Qg) (Макс) @ Vgs 143nC @ 10V Vgs (макс.) ±30V входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 5800pF @ 25V Функция FET - Рассеиваемая мощность (макс.) 890W (Tc) рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ) Тип монтажа Through Hole Пакет устройства поставщика TO-247 Упаковка / Коробка TO-247-3 |
