Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
На складе есть миллионы электронных компонентов. Цены и сроки выполнения заказа в течение 24 часов.

NTMS5835NLR2G

NTMS5835NLR2G

Только для справки

Номер детали NTMS5835NLR2G
Номер детали PNEDA NTMS5835NLR2G
Описание MOSFET N-CH 40V 9.2A 8SOIC
Производитель ON Semiconductor
Цена за единицу Запросить цитату
В наличии 3 168
Склады Shipped from Hong Kong SAR
Ориентировочная доставка фев 6 - фев 11 (Выберите ускоренную доставку)
Guarantee До 1 года [PNEDA-Гарантия] *

NTMS5835NLR2G Ресурсы

Бренд ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Производитель. номер частиNTMS5835NLR2G
КатегорияПолупроводникиТранзисторыТранзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-транзисторы - одиночные
Лист данных
NTMS5835NLR2G, NTMS5835NLR2G Таблица данных (Всего страниц: 6, Размер: 109,87 KB)
PDFNTMS5835NLR2G Таблица данных Обложка
NTMS5835NLR2G Таблица данных Страница 2 NTMS5835NLR2G Таблица данных Страница 3 NTMS5835NLR2G Таблица данных Страница 4 NTMS5835NLR2G Таблица данных Страница 5 NTMS5835NLR2G Таблица данных Страница 6

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

В PNEDA мы стремимся быть лидером отрасли, быстро и надежно поставляя высококачественные электронные компоненты нашим клиентам.

Наш подход основан на предоставлении нашим клиентам трех ключевых преимуществ:

  • Быстрое реагирование

    Наша команда быстро отвечает на ваши запросы и немедленно приступает к работе, чтобы найти ваши детали.

  • Гарантированное качество

    Наши процессы контроля качества защищают от подделки, обеспечивая надежность и производительность.

  • Глобальный доступ

    Наша всемирная сеть надежных ресурсов позволяет нам найти и доставить именно те детали, которые вам нужны.

Hot search vocabulary

  • NTMS5835NLR2G Datasheet
  • where to find NTMS5835NLR2G
  • ON Semiconductor

  • ON Semiconductor NTMS5835NLR2G
  • NTMS5835NLR2G PDF Datasheet
  • NTMS5835NLR2G Stock

  • NTMS5835NLR2G Pinout
  • Datasheet NTMS5835NLR2G
  • NTMS5835NLR2G Supplier

  • ON Semiconductor Distributor
  • NTMS5835NLR2G Price
  • NTMS5835NLR2G Distributor

NTMS5835NLR2G Технические характеристики

ПроизводительON Semiconductor
Серия-
Тип полевого транзистораN-Channel
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
напряжение стока в источник (Vdss)40V
ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C9.2A (Ta)
напряжение привода (макс. значения включены, минимальные значения включены)4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ Id, Vgs10mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Макс) @ Id3V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс) @ Vgs50nC @ 10V
Vgs (макс.)±20V
входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds2115pF @ 20V
Функция FET-
Рассеиваемая мощность (макс.)1.5W (Ta)
рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажаSurface Mount
Пакет устройства поставщика8-SOIC
Упаковка / Коробка8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Продукты, которые могут вас заинтересовать

IPB052N04NGATMA1

Infineon Technologies

Производитель

Infineon Technologies

Серия

OptiMOS™

Тип полевого транзистора

N-Channel

Технология

MOSFET (Metal Oxide)

напряжение стока в источник (Vdss)

40V

ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C

70A (Tc)

напряжение привода (макс. значения включены, минимальные значения включены)

10V

Rds On (макс.) @ Id, Vgs

5.2mOhm @ 70A, 10V

Vgs (th) (Макс) @ Id

4V @ 33µA

Заряд затвора (Qg) (Макс) @ Vgs

42nC @ 10V

Vgs (макс.)

±20V

входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds

3300pF @ 20V

Функция FET

-

Рассеиваемая мощность (макс.)

79W (Tc)

рабочая температура

-55°C ~ 175°C (TJ)

Тип монтажа

Surface Mount

Пакет устройства поставщика

D²PAK (TO-263AB)

Упаковка / Коробка

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

FDZ201N

ON Semiconductor

Производитель

ON Semiconductor

Серия

PowerTrench®

Тип полевого транзистора

N-Channel

Технология

MOSFET (Metal Oxide)

напряжение стока в источник (Vdss)

20V

ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C

9A (Ta)

напряжение привода (макс. значения включены, минимальные значения включены)

2.5V, 4.5V

Rds On (макс.) @ Id, Vgs

18mOhm @ 9A, 4.5V

Vgs (th) (Макс) @ Id

1.5V @ 250µA

Заряд затвора (Qg) (Макс) @ Vgs

15nC @ 4.5V

Vgs (макс.)

±12V

входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds

1127pF @ 10V

Функция FET

-

Рассеиваемая мощность (макс.)

2W (Ta)

рабочая температура

-55°C ~ 150°C (TJ)

Тип монтажа

Surface Mount

Пакет устройства поставщика

12-BGA (2x2.5)

Упаковка / Коробка

12-WFBGA

FQI5N20LTU

ON Semiconductor

Производитель

ON Semiconductor

Серия

QFET®

Тип полевого транзистора

N-Channel

Технология

MOSFET (Metal Oxide)

напряжение стока в источник (Vdss)

200V

ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C

4.5A (Tc)

напряжение привода (макс. значения включены, минимальные значения включены)

5V, 10V

Rds On (макс.) @ Id, Vgs

1.2Ohm @ 2.25A, 10V

Vgs (th) (Макс) @ Id

2V @ 250µA

Заряд затвора (Qg) (Макс) @ Vgs

6.2nC @ 5V

Vgs (макс.)

±25V

входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds

325pF @ 25V

Функция FET

-

Рассеиваемая мощность (макс.)

3.13W (Ta), 52W (Tc)

рабочая температура

-55°C ~ 150°C (TJ)

Тип монтажа

Through Hole

Пакет устройства поставщика

I2PAK (TO-262)

Упаковка / Коробка

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

STU6N60M2

STMicroelectronics

Производитель

STMicroelectronics

Серия

MDmesh™ II Plus

Тип полевого транзистора

N-Channel

Технология

MOSFET (Metal Oxide)

напряжение стока в источник (Vdss)

600V

ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C

4.5A (Tc)

напряжение привода (макс. значения включены, минимальные значения включены)

10V

Rds On (макс.) @ Id, Vgs

1.2Ohm @ 2.25A, 10V

Vgs (th) (Макс) @ Id

4V @ 250µA

Заряд затвора (Qg) (Макс) @ Vgs

13.5nC @ 10V

Vgs (макс.)

±25V

входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds

232pF @ 100V

Функция FET

-

Рассеиваемая мощность (макс.)

60W (Tc)

рабочая температура

-55°C ~ 150°C (TJ)

Тип монтажа

Through Hole

Пакет устройства поставщика

I-PAK

Упаковка / Коробка

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

FDD6670AL

ON Semiconductor

Производитель

ON Semiconductor

Серия

PowerTrench®

Тип полевого транзистора

N-Channel

Технология

MOSFET (Metal Oxide)

напряжение стока в источник (Vdss)

30V

ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C

84A (Ta)

напряжение привода (макс. значения включены, минимальные значения включены)

4.5V, 10V

Rds On (макс.) @ Id, Vgs

5mOhm @ 18A, 10V

Vgs (th) (Макс) @ Id

3V @ 250µA

Заряд затвора (Qg) (Макс) @ Vgs

56nC @ 5V

Vgs (макс.)

±20V

входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds

3845pF @ 15V

Функция FET

-

Рассеиваемая мощность (макс.)

83W (Ta)

рабочая температура

-55°C ~ 175°C (TJ)

Тип монтажа

Surface Mount

Пакет устройства поставщика

D-PAK (TO-252)

Упаковка / Коробка

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Недавно продано

89HP0604SBZBNRGI

89HP0604SBZBNRGI

IDT, Integrated Device Technology

IC REDRIVER SAS/SATA 36VFQFPN

NC7SB3157P6X

NC7SB3157P6X

ON Semiconductor

IC SWITCH SPDT SC70-6

HX1198FNL

HX1198FNL

Pulse Electronics Network

PULSE XFMR 1CT:1CT TX 1CT:1CT RX

PIC18F6390-I/PT

PIC18F6390-I/PT

Microchip Technology

IC MCU 8BIT 8KB FLASH 64TQFP

X9C503SIZT1

X9C503SIZT1

Renesas Electronics America Inc.

IC DGTL POT 50KOHM 100TAP 8SOIC

MAX1681ESA

MAX1681ESA

Maxim Integrated

IC REG CHARGE PUMP INV 8SOIC

1014-12

1014-12

Microsemi

RF TRANS NPN 50V 1.4GHZ 55LT

XA7Z020-1CLG484Q

XA7Z020-1CLG484Q

Xilinx

IC SOC CORTEX-A9 667MHZ 484BGA

RT0402BRD07100RL

RT0402BRD07100RL

Yageo

RES SMD 100 OHM 0.1% 1/16W 0402

T491C107K016AT

T491C107K016AT

KEMET

CAP TANT 100UF 10% 16V 2312

SMBJ14A-13-F

SMBJ14A-13-F

Diodes Incorporated

TVS DIODE 14V 23.2V SMB

SML-D12V8WT86

SML-D12V8WT86

Rohm Semiconductor

LED RED DIFFUSED 0603 SMD