EPC2032


Только для справки
Номер детали | EPC2032 |
Номер детали PNEDA | EPC2032 |
Описание | GANFET TRANS 100V 48A BUMPED DIE |
Производитель | EPC |
Цена за единицу | Запросить цитату |
В наличии | 2 448 |
Склады | Shipped from Hong Kong SAR |
Ориентировочная доставка | фев 6 - фев 11 (Выберите ускоренную доставку) |
Guarantee | До 1 года [PNEDA-Гарантия] * |
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
EPC2032 Ресурсы
Бренд | EPC |
ECAD Module |
![]() |
Производитель. номер части | EPC2032 |
Категория | Полупроводники › Транзисторы › Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-транзисторы - одиночные |
Лист данных |
Payment Method






- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode





- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
В PNEDA мы стремимся быть лидером отрасли, быстро и надежно поставляя высококачественные электронные компоненты нашим клиентам.
Наш подход основан на предоставлении нашим клиентам трех ключевых преимуществ:
Быстрое реагирование
Наша команда быстро отвечает на ваши запросы и немедленно приступает к работе, чтобы найти ваши детали.
Гарантированное качество
Наши процессы контроля качества защищают от подделки, обеспечивая надежность и производительность.
Глобальный доступ
Наша всемирная сеть надежных ресурсов позволяет нам найти и доставить именно те детали, которые вам нужны.
Hot search vocabulary
- EPC2032 Datasheet
- where to find EPC2032
- EPC
- EPC EPC2032
- EPC2032 PDF Datasheet
- EPC2032 Stock
- EPC2032 Pinout
- Datasheet EPC2032
- EPC2032 Supplier
- EPC Distributor
- EPC2032 Price
- EPC2032 Distributor
EPC2032 Технические характеристики
Производитель | EPC |
Серия | eGaN® |
Тип полевого транзистора | N-Channel |
Технология | GaNFET (Gallium Nitride) |
напряжение стока в источник (Vdss) | 100V |
ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C | 48A (Ta) |
напряжение привода (макс. значения включены, минимальные значения включены) | 5V |
Rds On (макс.) @ Id, Vgs | 4mOhm @ 30A, 5V |
Vgs (th) (Макс) @ Id | 2.5V @ 11mA |
Заряд затвора (Qg) (Макс) @ Vgs | 15nC @ 5V |
Vgs (макс.) | +6V, -4V |
входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 1530pF @ 50V |
Функция FET | - |
Рассеиваемая мощность (макс.) | - |
рабочая температура | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Тип монтажа | Surface Mount |
Пакет устройства поставщика | Die |
Упаковка / Коробка | Die |
Продукты, которые могут вас заинтересовать
Производитель Vishay Siliconix Серия - Тип полевого транзистора N-Channel Технология MOSFET (Metal Oxide) напряжение стока в источник (Vdss) 600V ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C 3.6A (Tc) напряжение привода (макс. значения включены, минимальные значения включены) 10V Rds On (макс.) @ Id, Vgs 2.2Ohm @ 2.2A, 10V Vgs (th) (Макс) @ Id 4V @ 250µA Заряд затвора (Qg) (Макс) @ Vgs 31nC @ 10V Vgs (макс.) ±20V входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 660pF @ 25V Функция FET - Рассеиваемая мощность (макс.) 3.1W (Ta), 74W (Tc) рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ) Тип монтажа Surface Mount Пакет устройства поставщика D2PAK Упаковка / Коробка TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Производитель Microchip Technology Серия - Тип полевого транзистора N-Channel Технология MOSFET (Metal Oxide) напряжение стока в источник (Vdss) 350V ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C 135mA (Tj) напряжение привода (макс. значения включены, минимальные значения включены) 0V Rds On (макс.) @ Id, Vgs 35Ohm @ 150mA, 0V Vgs (th) (Макс) @ Id - Заряд затвора (Qg) (Макс) @ Vgs - Vgs (макс.) ±20V входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 120pF @ 25V Функция FET Depletion Mode Рассеиваемая мощность (макс.) 1.3W (Ta) рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ) Тип монтажа Surface Mount Пакет устройства поставщика TO-243AA (SOT-89) Упаковка / Коробка TO-243AA |
Производитель NXP USA Inc. Серия TrenchMOS™ Тип полевого транзистора N-Channel Технология MOSFET (Metal Oxide) напряжение стока в источник (Vdss) 150V ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C 22.2A (Tc) напряжение привода (макс. значения включены, минимальные значения включены) 5V, 10V Rds On (макс.) @ Id, Vgs 55mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Макс) @ Id 4V @ 1mA Заряд затвора (Qg) (Макс) @ Vgs 36.2nC @ 10V Vgs (макс.) ±20V входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 2080pF @ 25V Функция FET - Рассеиваемая мощность (макс.) 62.5W (Tc) рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ) Тип монтажа Surface Mount Пакет устройства поставщика 8-HVSON (6x5) Упаковка / Коробка 8-VDFN Exposed Pad |
Производитель Rohm Semiconductor Серия - Тип полевого транзистора P-Channel Технология MOSFET (Metal Oxide) напряжение стока в источник (Vdss) 60V ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C 1.5A (Ta) напряжение привода (макс. значения включены, минимальные значения включены) 4V, 10V Rds On (макс.) @ Id, Vgs 280mOhm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (Макс) @ Id 3V @ 1mA Заряд затвора (Qg) (Макс) @ Vgs 10nC @ 10V Vgs (макс.) ±20V входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 500pF @ 10V Функция FET - Рассеиваемая мощность (макс.) 1W (Ta) рабочая температура 150°C (TJ) Тип монтажа Surface Mount Пакет устройства поставщика TSMT3 Упаковка / Коробка SC-96 |
Производитель Nexperia USA Inc. Серия Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ Тип полевого транзистора N-Channel Технология MOSFET (Metal Oxide) напряжение стока в источник (Vdss) 60V ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C 53A (Tc) напряжение привода (макс. значения включены, минимальные значения включены) 5V Rds On (макс.) @ Id, Vgs 13mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Макс) @ Id 2.1V @ 1mA Заряд затвора (Qg) (Макс) @ Vgs 17.2nC @ 5V Vgs (макс.) ±10V входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 2603pF @ 25V Функция FET - Рассеиваемая мощность (макс.) 95W (Tc) рабочая температура -55°C ~ 175°C (TJ) Тип монтажа Surface Mount Пакет устройства поставщика LFPAK56, Power-SO8 Упаковка / Коробка SC-100, SOT-669 |