Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
На складе есть миллионы электронных компонентов. Цены и сроки выполнения заказа в течение 24 часов.

EPC2032

EPC2032 EPC2032

Только для справки

Номер детали EPC2032
Номер детали PNEDA EPC2032
Описание GANFET TRANS 100V 48A BUMPED DIE
Производитель EPC
Цена за единицу Запросить цитату
В наличии 2 448
Склады Shipped from Hong Kong SAR
Ориентировочная доставка фев 6 - фев 11 (Выберите ускоренную доставку)
Guarantee До 1 года [PNEDA-Гарантия] *

EPC2032 Ресурсы

Бренд EPC
ECAD Module ECAD
Производитель. номер частиEPC2032
КатегорияПолупроводникиТранзисторыТранзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-транзисторы - одиночные
Лист данных
EPC2032, EPC2032 Таблица данных (Всего страниц: 6, Размер: 1 289,48 KB)
PDFEPC2032 Таблица данных Обложка
EPC2032 Таблица данных Страница 2 EPC2032 Таблица данных Страница 3 EPC2032 Таблица данных Страница 4 EPC2032 Таблица данных Страница 5 EPC2032 Таблица данных Страница 6

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

В PNEDA мы стремимся быть лидером отрасли, быстро и надежно поставляя высококачественные электронные компоненты нашим клиентам.

Наш подход основан на предоставлении нашим клиентам трех ключевых преимуществ:

  • Быстрое реагирование

    Наша команда быстро отвечает на ваши запросы и немедленно приступает к работе, чтобы найти ваши детали.

  • Гарантированное качество

    Наши процессы контроля качества защищают от подделки, обеспечивая надежность и производительность.

  • Глобальный доступ

    Наша всемирная сеть надежных ресурсов позволяет нам найти и доставить именно те детали, которые вам нужны.

Hot search vocabulary

  • EPC2032 Datasheet
  • where to find EPC2032
  • EPC

  • EPC EPC2032
  • EPC2032 PDF Datasheet
  • EPC2032 Stock

  • EPC2032 Pinout
  • Datasheet EPC2032
  • EPC2032 Supplier

  • EPC Distributor
  • EPC2032 Price
  • EPC2032 Distributor

EPC2032 Технические характеристики

ПроизводительEPC
СерияeGaN®
Тип полевого транзистораN-Channel
ТехнологияGaNFET (Gallium Nitride)
напряжение стока в источник (Vdss)100V
ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C48A (Ta)
напряжение привода (макс. значения включены, минимальные значения включены)5V
Rds On (макс.) @ Id, Vgs4mOhm @ 30A, 5V
Vgs (th) (Макс) @ Id2.5V @ 11mA
Заряд затвора (Qg) (Макс) @ Vgs15nC @ 5V
Vgs (макс.)+6V, -4V
входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds1530pF @ 50V
Функция FET-
Рассеиваемая мощность (макс.)-
рабочая температура-40°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажаSurface Mount
Пакет устройства поставщикаDie
Упаковка / КоробкаDie

Продукты, которые могут вас заинтересовать

IRFBC30SPBF

Vishay Siliconix

Производитель

Vishay Siliconix

Серия

-

Тип полевого транзистора

N-Channel

Технология

MOSFET (Metal Oxide)

напряжение стока в источник (Vdss)

600V

ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C

3.6A (Tc)

напряжение привода (макс. значения включены, минимальные значения включены)

10V

Rds On (макс.) @ Id, Vgs

2.2Ohm @ 2.2A, 10V

Vgs (th) (Макс) @ Id

4V @ 250µA

Заряд затвора (Qg) (Макс) @ Vgs

31nC @ 10V

Vgs (макс.)

±20V

входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds

660pF @ 25V

Функция FET

-

Рассеиваемая мощность (макс.)

3.1W (Ta), 74W (Tc)

рабочая температура

-55°C ~ 150°C (TJ)

Тип монтажа

Surface Mount

Пакет устройства поставщика

D2PAK

Упаковка / Коробка

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

DN3135N8-G

Microchip Technology

Производитель

Microchip Technology

Серия

-

Тип полевого транзистора

N-Channel

Технология

MOSFET (Metal Oxide)

напряжение стока в источник (Vdss)

350V

ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C

135mA (Tj)

напряжение привода (макс. значения включены, минимальные значения включены)

0V

Rds On (макс.) @ Id, Vgs

35Ohm @ 150mA, 0V

Vgs (th) (Макс) @ Id

-

Заряд затвора (Qg) (Макс) @ Vgs

-

Vgs (макс.)

±20V

входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds

120pF @ 25V

Функция FET

Depletion Mode

Рассеиваемая мощность (макс.)

1.3W (Ta)

рабочая температура

-55°C ~ 150°C (TJ)

Тип монтажа

Surface Mount

Пакет устройства поставщика

TO-243AA (SOT-89)

Упаковка / Коробка

TO-243AA

Производитель

NXP USA Inc.

Серия

TrenchMOS™

Тип полевого транзистора

N-Channel

Технология

MOSFET (Metal Oxide)

напряжение стока в источник (Vdss)

150V

ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C

22.2A (Tc)

напряжение привода (макс. значения включены, минимальные значения включены)

5V, 10V

Rds On (макс.) @ Id, Vgs

55mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (Макс) @ Id

4V @ 1mA

Заряд затвора (Qg) (Макс) @ Vgs

36.2nC @ 10V

Vgs (макс.)

±20V

входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds

2080pF @ 25V

Функция FET

-

Рассеиваемая мощность (макс.)

62.5W (Tc)

рабочая температура

-55°C ~ 150°C (TJ)

Тип монтажа

Surface Mount

Пакет устройства поставщика

8-HVSON (6x5)

Упаковка / Коробка

8-VDFN Exposed Pad

RQ5L015SPTL

Rohm Semiconductor

Производитель

Rohm Semiconductor

Серия

-

Тип полевого транзистора

P-Channel

Технология

MOSFET (Metal Oxide)

напряжение стока в источник (Vdss)

60V

ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C

1.5A (Ta)

напряжение привода (макс. значения включены, минимальные значения включены)

4V, 10V

Rds On (макс.) @ Id, Vgs

280mOhm @ 1.5A, 10V

Vgs (th) (Макс) @ Id

3V @ 1mA

Заряд затвора (Qg) (Макс) @ Vgs

10nC @ 10V

Vgs (макс.)

±20V

входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds

500pF @ 10V

Функция FET

-

Рассеиваемая мощность (макс.)

1W (Ta)

рабочая температура

150°C (TJ)

Тип монтажа

Surface Mount

Пакет устройства поставщика

TSMT3

Упаковка / Коробка

SC-96

BUK9Y15-60E,115

Nexperia

Производитель

Nexperia USA Inc.

Серия

Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™

Тип полевого транзистора

N-Channel

Технология

MOSFET (Metal Oxide)

напряжение стока в источник (Vdss)

60V

ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C

53A (Tc)

напряжение привода (макс. значения включены, минимальные значения включены)

5V

Rds On (макс.) @ Id, Vgs

13mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (Макс) @ Id

2.1V @ 1mA

Заряд затвора (Qg) (Макс) @ Vgs

17.2nC @ 5V

Vgs (макс.)

±10V

входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds

2603pF @ 25V

Функция FET

-

Рассеиваемая мощность (макс.)

95W (Tc)

рабочая температура

-55°C ~ 175°C (TJ)

Тип монтажа

Surface Mount

Пакет устройства поставщика

LFPAK56, Power-SO8

Упаковка / Коробка

SC-100, SOT-669

Недавно продано

DG641DY

DG641DY

Vishay Siliconix

IC VIDEO SWITCH SPST 16SOIC

LT1464CS8#PBF

LT1464CS8#PBF

Linear Technology/Analog Devices

IC OPAMP JFET 2 CIRCUIT 8SO

T491C107K016AT

T491C107K016AT

KEMET

CAP TANT 100UF 10% 16V 2312

WSH28185L000FEA

WSH28185L000FEA

Vishay Dale

RES 0.005 OHM 1% 5W 2818

1014-12

1014-12

Microsemi

RF TRANS NPN 50V 1.4GHZ 55LT

89HP0604SBZBNRGI

89HP0604SBZBNRGI

IDT, Integrated Device Technology

IC REDRIVER SAS/SATA 36VFQFPN

MAX3645EEE+

MAX3645EEE+

Maxim Integrated

IC AMP LIMITING 16-QSOP

Q8F1CXXB12E

Q8F1CXXB12E

APEM Inc.

INDICATOR 12V 8MM FLUSH BLUE

CP2105-F01-GM

CP2105-F01-GM

Silicon Labs

IC SGL USB-DL UART BRIDGE 24QFN

LTC6655BHMS8-1.25#TRPBF

LTC6655BHMS8-1.25#TRPBF

Linear Technology/Analog Devices

IC VREF SERIES 1.25V 8MSOP

MT41K128M16JT-125 XIT:K

MT41K128M16JT-125 XIT:K

Micron Technology Inc.

IC DRAM 2G PARALLEL 96FBGA

93LC46C-I/SN

93LC46C-I/SN

Microchip Technology

IC EEPROM 1K SPI 3MHZ 8SOIC